溶液成膜的温度对聚对苯二甲酸乙二酯结晶度的影响

<正> 用溶液成膜是制备聚合物薄膜的常用方法之一。但是溶液成膜的条件,如成膜温度,溶液浓度等对半结晶聚合物结晶度的影响研究报道较少。制备聚对苯二甲酸乙二酯(PET)非晶态薄膜通常使用熔融热压其后淬火的方法。由于PET在熔点附近易于降解,在薄膜中产生气泡,因而很难制备较大面积的均一厚度的薄膜,如在拉伸试验中所需     

不同环境下聚合物表面酸碱性的变化

应用测接触角并辅以XPS分析,研究了一种共聚物(MMA-Co-4Vp)在各种表面成型条件下及介质环境中的表面酸碱性变化,探索了其变化规律及导致变化的原因。     

金属酞菁激发态与氧的相互作用

比较了几种金属酞菁光敏产生单重态氧和超氧负离子的能力,结果表明它们产生¹O₂的能力与中心金属的电子结构有关,取决于三重态寿命和量子产率。顺序如下:Zn>Ga>Cu>H₂>Al>Co。产生O₂^·-的能力不仅与三重态寿命和量子产率有关,也与激发能和氧化还原电位有关。其顺序如下:Ga>Al>Cu>Zn。还研究了酪氨酸与镓酞菁激发态相互作用,酪氨酸猝灭镓酞菁荧光。在除氧条件光激发下,酪氨酸猝灭镓酞菁的激发三重态发生电子转移,检测到GaTSPc^-在560nm处的瞬态吸收,在氧的存在下进一步反应生成O₂^·-。     

X—射线荧光光谱法分析燃油锅炉受热面的灰渣成分

用X-射线荧光光谱(XRF)法测定了火电厂燃油锅炉受热面的灰渣成分,给出了XRF测试条件,与等离子体发射光谱法的测试结果进行了对比。     

无箔二极管电流电压关系研究

本文给出了无箔二极管物理特性的数值模拟研究结果。研究得到了二极管电流与二极管结构参数、二极管电压以及外加磁场强度等参数的变化关系特性，并且应用这些关系特性得到了在外加磁场强度足够大情况下二极管电流的近似表达为Ib=(7.5/x)(x+(0.81-x)/(1+0.7Ld2/δr))(r2/3-1)3/2，其中Ld为阴阳极间距；Rc为阴极发射端面的外半径；Rp为漂移管管壁半径；x=ln(Rp/Rc)，δr =Rp-Rc。这一表达式在大量二极管结构参数和二极管电压参数情况下与数值模拟结果在10％误差范围内相一致，能够比较准确的表达无箔二极管的电流电压关系。     

A note on spectrum distribution of constraint preconditioned generalized saddle point matrices

In this note, results concerning the eigenvalue distribution and form of the eigenvectors of the constraint preconditioned generalized saddle point matrix and its minimal polynomial are given. These results extend previous ones that appeared in the literature. Copyright © 2009 John Wiley & Sons, Ltd.     

外源一氧化氮对镉胁迫下番茄幼苗叶绿体保护作用的光谱学分析

镉（Cd）是重要的重金属污染源，一氧化氮（NO）是近年来发现的一种普遍存在于生物界的信使分子，研究表明其参与了植物对Cd胁迫的应答反应调控。文章用硝普纳（SNP）作为NO供体，向番茄幼苗喷洒100mol&#183;L^-1SNP1d后加入50mol&#183;L^-1Cd处理7d，取完全展开叶片，提取叶绿体进行光谱学研究，分别测定了叶绿体室温吸收光谱、叶绿体低温荧光光谱和DCPIP电子传递效率等指标，研究外源NO缓解Cd对叶绿体毒性的影响。结果发现，CA对叶绿素a、叶绿素b和类胡萝b素含量都有不同程度的降低，NO处理缓解了CA的影响，使叶绿体室温吸收光谱的吸收率提高；CA导致686nm处峰（PSII）偏移4nrn，峰值降低33％，734nm处峰值降低23％，外源NO缓解了Cd对光合系统的影响，使得叶绿体低温荧光光谱在686和734nm的峰值分别仅下降17％和100o；以DCPIP为人工电子受体，Cd处理的叶绿体中DCPIP还原速率较慢，光合电子传递（H2O→DCPIP）速率降低1．5倍，外源NO处理显著缓解了Cd对电子传递链的抑制，使其光合电子传递速率恢复到对照的水平。该研究可为NO处理增强植物对Cd胁迫的抗性提供理论依据。     

High-Current Multi-Finger Mesa InGaAs/InP DHBTs

Characteristics of single- and multi-finger mesa InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors （DHBTs） are compared. The current gain decreases with the increasing number nf of the emitter fingers due to the mutual thermal interaction between the fingers. The Kirk current can be as high as 150mA for four-finger DHBT. No degradation of the peak of the current gain cutoff frequency ft is found for multi-finger DHBTs. The peak of the maximum oscillation frequency fmax decreases with an increase of nf due to the increasing parasitic resistance of the base. The results are very helpful for applications of the common-base DHBTs in power amplifiers operating at very high frequencies.     

糖基亚苄基NaBH_3 CN-HCl选择性开环过程中乙酰基迁移现象的研究

用NaBH3CN HCl/Et2 O对 3 O 乙酰基 4,6 O 亚苄基 β D 吡喃半乳糖乙硫苷 (2 )进行还原开环 ,发现有乙酰基迁移至 2 位的产物生成 ;进一步的实验表明 ,室温条件下 ,NaBH3CN与 2的作用导致乙酰基的迁移     

Search for exotic state 1-+ π1(1400) at BESⅢ

The J/ψ hadronic decays provide good laboratory to search for the hybrid states with exotic quantum numbers. A full Partial Wave Analysis (PWA) is performed to the generated Monte Carlo J/ψ→ pηπ data, based on the design of BESⅢ detector, to study the sensitivity of searching for a possible exotic state at BESⅢ.