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A New Fourier Iterative Algorithm for the Design of Phase-only Diffractive Optical Element Used in Laser Beam Shaping 总被引:3,自引:0,他引:3
ANewFourierIterativeAlgorithmfortheDesignofPhase-onlyDiffractiveOpticalElementUsedinLaserBeamShapingSANGTao;LIAOJianghong;LUZ... 相似文献
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Pound-Drever-Hall(PDH)稳频方法涉及光学和电学2个部分,综合仿真较为困难。针对该问题,设计了PDH的电路部分。根据器件的工作原理,采用电路模型搭建光学元件。在此基础上进行了器件的单独仿真和开环PDH光、电综合仿真,仿真使用长度为15 cm,腔镜反射率为0.97的Fabry-Pérot腔(F-P腔),并采用20 MHz的调制频率。仿真结果表明:器件模型搭建合理;激光器在无频率漂移时,系统输出较小幅度的零漂移信号;在频率漂移为5 MHz,10 MHz,15 MHz时,系统输出较为理想的误差信号。最后对仿真结果进行了讨论,并提出了改进方案。 相似文献
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基于受激布里渊散射的波长间隔可变多波长光纤激光器 总被引:1,自引:1,他引:0
提出了一个基于自激发受激布里渊散射的波长间隔可变多波长光纤激光器.利用单模光纤中自激发产生的非线性布里渊增益和掺铒光纤的线性增益组成混合增益光纤激光器,从而使光纤激光器在室温下产生稳定的多波长输出.改变双折射光纤环镜滤波器中保偏光纤的长度,可以实现波长间隔可变多波长激光产生,提高了多波长光纤激光器操作的灵活性和实用性.实验实现了波长间隔从0.8nm至0.076nm可变的多波长激光产生,波长数随波长间隔减小而增加,间隔为0.08nm的激光波长数达86. 相似文献
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影响光孤子传输的因素分析和可能的解决方案 总被引:1,自引:0,他引:1
从光孤子传输所满足的非线性薛定谔方程出发,通过对方程中参数的分析和选择,对影响孤子传输的各种因素采用单独分析和综合分析对比方法得到了两个新的结论:(1)二阶色散参数在不太大的范围内变化只会影响脉冲的幅值,对脉冲形状影响不大,而输入脉冲的啁啾则是使脉冲发生畸变的主要原因;(2)在啁啾、三阶色散和五阶非线性同时存在的情况下,它们对脉冲都会产生很大的影响,且存在相互影响和制约关系,三者在某一参数值附近,对脉冲却存在着增益效应和"整容"作用。针对分析结果从理论上提出了改进光孤子传输特性的解决方案,这对光孤子通信的实践过程是有一定实际意义的。 相似文献
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本文分析了数字减影血管造影(DSA)引导下双侧子宫动脉栓塞术在穿透性凶险性前置胎盘患者中的应用效果及对母婴结局的影响。选择2017年12月~2019年7月我院收治的穿透性凶险性前置胎盘患者45例,依据是否行子宫动脉栓塞术,将患者分为观察组(n=25例)和对照组(n=20例)。观察组行DSA引导下双侧子宫动脉栓塞术治疗,对照组行常规剖宫产手术治疗。术后7天对患者效果进行评估,比较两组手术指标、母婴结局及并发症发生率。结果显示:观察组失血量、红细胞输血量、冷沉淀输血量、住院时间,少(短)于对照组,新生儿1 min Agpar评分高于对照组,差异有统计学意义(P<0.05)。观察组新生儿肺炎、新生儿呼吸窘迫综合征、新生儿窒息及新生儿高胆红素血症发生率均低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05)。观察组子宫切除、产后出血、失血性休克和DIC发生率均低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05)。表明DSA引导下双侧子宫动脉栓塞术治疗穿透性凶险性前置胎盘的效果确切,可明显减少患者术中出血量及术后并发症,降低手术风险,改善临床结局,且微创、安全,值得临床推广应用。 相似文献
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室温300K下,由于AlxGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42eV到AlN的6.2eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料.高质量高铝组分AlxGa1-xN材料生长的一大困难就是AlxGa1-xN与常用的蓝宝石衬底之间大的晶格失配和热失配.因而采用MOCVD在GaN/蓝宝石上生长的AlxGa1-xN薄膜由于受张应力作用非常容易发生龟裂.GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层技术是释放应力和减少AlxGa1-xN薄膜中缺陷的有效方法.研究了GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对GaN/蓝宝石上AlxGa1-xN外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响.通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,AlxGa1-xN外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得到.AlxGa1-xN外延薄膜的缺陷密度通过测量X射线衍射得到.对于具有相同阱垒厚度的超晶格,例如4nm/4nm,5nm/5nm,8nm/8nm的GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格,研究发现随着超晶格周期厚度的增加AlxGa1-xN外延薄膜缺陷密度降低,AlxGa1-xN外延薄膜处于张应变状态,且5nm/5nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层AlxGa1-xN外延薄膜的张应变最小.在保持5nm阱宽不变的情况下,将垒宽增大到8nm,即十个周期的5nm/8nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层使AlxGa1-xN外延层应变状态由张应变变为压应变.由X射线衍射结果计算了AlxGa1-xN外延薄膜的刃型位错和螺型位错密度,结果表明超晶格插入层对螺型位错和刃型位错都有一定的抑制效果.透射电镜图像表明超晶格插入层使位错发生合并、转向或是使位错终止,且5nm/8nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层导致AlxGa1-xN外延薄膜中的刃型位错倾斜30°左右,释放一部分压应变. 相似文献
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