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992.
993.
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We have applied DFT calculations to devise some (SiH)48X12 heterofullerenes with replacing of 12 Si–H units with a series of the group III and V dopants, P, N, As, B, Al and Ga, with the configuration of one dopant per pentagonal ring. Our results indicate that binding energies of heterofullerenes with group III dopants are smaller than those of heterfullerenes with group V dopants. Density of state obtained for the systems indicate a distinct change near the valence level compared to that of Si60H60, and a local energy level appears after the doping. (SiH)48X12 heterofullerenes with the group III and V dopants are composed of positively and negatively charged dopant atoms, each of which is surrounded by opposite charged Si atoms. The electrophilicity values of (SiH)48X12 heterofullerenes, except for (SiH)48N12, are greater than that of their parent. Because of the higher electronegativity of group V elements and electron transfer from the cages to the group V dopants, electrophilicity values for the (SiH)48X12 heterofullerenes with the group V dopants are always smaller than those of heterofullerenes with the group III dopants.  相似文献   
996.
Research on Chemical Intermediates - Grafting of 4-(sulfoamino)butanoic acid on superparamagnetic γ-Fe2O3@SiO2 nanoparticles afforded γ-Fe2O3@SiO2@4-(sulfoamino)butanoic acid as a novel...  相似文献   
997.
998.
999.
1000.
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