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51.
麻黄生物碱中一对光学异构体在薄层色谱原位的表面增强拉曼光谱研究 总被引:4,自引:0,他引:4
应用表面增强技术(SERS)将薄层色谱(TLC)与傅里叶变换拉曼光谱(FT-Raman)联用,在薄层色谱分离斑点原位,获得中草药麻黄中麻黄生物碱衍生物中一对关于手性碳的光学异构体:去甲基麻黄碱,去甲基伪麻黄碱指纹光谱的新方法。研究表明,在薄层色谱原位仅16 μg的样品,就可获得以上分子的主要特征谱带;并且光学异构体的光谱特征明显不同,在银溶胶微粒表面增强作用下去甲基麻黄碱、去甲基伪麻黄碱分子中与苯环相关的波数为1 004,1 605 cm-1振动获最大增强。从而阐明了应用TLC-SERS联用技术,可有效地对中草药主要化学成分中光学异构体进行高灵敏度分离与指纹鉴定。 相似文献
52.
介绍了一种基于傅里叶变换轮廓术的三维面形测量系统中相位失真的预矫正方法。由于投影系统和成像系统的空间三角位置关系、投影仪的发散照明和两套系统蕴含的光学畸变,投影一幅相位与空间坐标成理想线性关系的标准正弦光场,拍摄到的条纹相位和空间坐标不再呈线性分布,引起相位失真,甚至会影响系统测量精度。该方法借鉴反向条纹投影的思想,计算拍摄光场的非线性相位分布与理想的线性相位分布之间的关系,预先矫正,反算出一个新的待投影光场。实验结果表明这种方法能有效地减小该类相位失真所导致的测量误差,获得了更好的测量结果. 相似文献
53.
含高阶非线性效应的薛定谔方程的精确解研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用孤子理论,研究了含三次和五次非线性项的非线性薛定谔方程,在参数取不同值时得到了方程的新型亮孤子解、新型暗孤子解和新的三角函数周期解。 相似文献
54.
Non-Maxwellian particle distribution functions possessing high energy tail
and shoulder in the profile of distribution function considerably change the damping characteristics of the waves. In the present paper Landau damping of electron plasma (Langmuir) waves and ion-acoustic waves in a hot, isotropic, unmagnetized plasma is studied with the generalized
(r,q) distribution function. The results show that for the Langmuir
oscillations Landau damping becomes severe as the spectral index r or q
reduces. However, for the ion-acoustic waves Landau damping is more
sensitive to the ion temperature than the spectral indices. 相似文献
55.
56.
57.
JIANG Wei-na YANG Shi-long LU Wen XU Li TANG Ying XUE Hua-yu GAO Bu-hong DU Li-ting SUN Hai-jun MA Meng-tao XU Hai-jun CAO Fu-liang 《光谱学与光谱分析》2018,38(8):2650-2656
制备了一种基于天然产物槲皮素接枝硅包银核壳结构的纳米荧光传感器(Ag@SiO2@Qc),对铜离子具有好的选择性和灵敏性。Ag@SiO2@Qc与Cu2+离子结合后,荧光发射强度发生猝灭,并且可通过荧光滴定光谱得到了荧光滴定曲线:y = -32.864x+587.59(R2=0.998),其线性范围分别为:3×10-7~4.8×10-6 mol·L-1,最低检测限为1.0×10-7 mol·L-1。并且将Ag@SiO2@Qc应用于环境中水样的检测结果的准确度好,精密度高,而且更加环保、方便、快捷,具有很大发展潜力与应用价值。 相似文献
58.
Effects of Annealing on Schottky Characteristics in A1GaN/GaN HEMT with Transparent Gate Electrode 下载免费PDF全文
A1GaN/GaN heterostructure transistors are promising for power and switching applications. In addition, the transparent wide band-gap A1GaN/GaN heterostructure systems have received considerable attention to transparent electronics. Nowdays, Al-doped ZnO (AZO) thin film plays an increas- ingly important role in various fields of transparent electronics.The AZO-gated A1GaN/GaN HEMT with good dc characteristics and frequency character- istics has been reported. Annealing is widely used to improve the electri- cal characteristics of A1GaN/GaN HEMTs. It is re- ported that the Schottky leakage current can be re- duced by over four orders of magnitude by annealing in an A1GaN/GaN heterostructure with ITO/Ni/Au electrode. Pei et al. reported that the transparency of Ni/ITO gates of A1GaN/GaN HEMTs has been sig- nificantly improved after annealing. However, the evaluation of Schottky C V characteristics was ab- sent. Up to now, few results are reported on the Schot- tky annealing characteristics of AZO in A1GaN/GaN HEMT. Thus the effects of annealing on the leakage current, transparency and interface states character- istics need further study. 相似文献
59.
60.