特征函数的性质

得到了特征函数、条件特征函数的一致可微性和条件特征函数的反演公式.     

自组装单层保护金纳米团簇的量子化电容充电

本文研究自组装单层保护金纳米团簇(C12Au MPC)在常温下二氯甲烷溶液中的量子化电容充电效应.示差脉冲伏安曲线显示金核平均直径为2.0 nm的C12Au MPC在-0.6~0.6 V电位区间内有9个明显的量子化电容充电峰,其双电层电容总的变化趋势为在零电荷电位附近最小,随着电位正移或负移电容变大.而且随着该金核尺寸的增大,MPC双电层电容值也变大.     

超薄层BCP对有机电致发光器件性能的影响

采用真空热蒸镀的方法,在常规的双层器件结构的基础上,设计了三层双异质结有机电致发光器件(OLED):indium-tin oxide(ITO)/N,N′-diphenyl-N,N′-bis(1-naphthyl)(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenan throline(BCP)/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Mg∶Ag。通过对器件的电致发光(EL)光谱及器件性能的表征,研究了不同超薄层BCP的厚度对OLED器件性能的影响。结果表明,当超薄层BCP的厚度从0.1nm逐渐增加到4.0nm时,器件的EL光谱实现了绿光→蓝绿光→蓝光的变化;BCP层有效地调节了载流子的复合区域,改变了器件的发光颜色,提高了器件的亮度和发光效率。     

甘氨酸Schiff碱三核铜(Ⅱ)配合物为载体的硫氰酸根离子电极的研究

研究了3-羧基水杨醛缩甘氨酸Schiff碱三核铜(Ⅱ)配合物[Cu(Ⅱ)-CGSBT]为中性载体的PVC膜阴离子电极,该电极对硫氰酸根离子(SCN-)具有优良的电位响应特征并呈现出反Hofmeister序列行为,其选择性顺序为:SCN- > ClO-4> I- > Sal- > NO-3> NO-2>F- >SO2-4>Br-> SO2-3>Cl-.电极在pH 5.0的磷酸盐缓冲溶液体系中对SCN-在5.6×10-6～0.1 mol/L范围内呈现近能斯特响应,斜率为-56.3 mV/dec,检出限为2.0 μmol/L.采用交流阻抗技术和红外光谱研究了阴离子与载体的作用机理.将电极应用于废水分析,结果令人满意.     

具有前置公用工程的换热器网络的通用解法

本文在罗行等人提出的分级超结构换热器网络的通用解的基础上,提出一种将热冷公用工程放置于换热器网络每一级的冷热流体之前的带分流的分级超结构换热器网络数学模型,并根据这种新型的模型推导出换热器网络的出口温度和每一级流股节点的温度的计算公式,从而增强了分级超结构换热器网络模型的适用性.最后用实例证明所提出的数学模型的正确性.     

超强飞秒激光与固体靶产生的超热电子加热机制

 在SILEX-1激光器上测量了超强飞秒激光与Ta靶相互作用产生的出射超热电子能谱及角分布,研究了出射超热电子加热机制。激光脉宽为 30 fs,激光功率密度为8.5×10¹⁸ W/cm²。靶前法线方向超热电子温度为550 keV。从实验结果可知：共振吸收是靶前法线方向超热电子主要加热机制,这与靶前存在大密度标长预等离子体的实验条件吻合。靶厚为6～50 μm时,靶后超热电子沿法线方向出射;靶厚为2 mm时,该发射峰消失。     

同轴线-矩形波导结散射特性的数值分析

 提出了一种数值分析同轴线-矩形波导结散射特性的模式匹配方法。采用同轴线和矩形波导的本征模函数表示电磁场分量,通过同轴线-矩形波导结截面横向场分量匹配获得波导结的散射参数,引入电场模式匹配矩阵的解析形式提高了计算效率。给出了基于模式匹配法数值仿真的各种同轴线-矩形波导结散射特性及仿真结果分析,并与3维全电磁波分析软件HFSS的仿真结果进行了比较,二者非常吻合。模式匹配法计算效率高,能广泛应用于微波毫米波元器件及系统结构的设计与优化。     

负折射介质中可控自陡峭效应对孤子传输的影响

研究了具有非线性极化的负折射介质中孤子脉冲的传输特性,着重分析了在常规非线性传输模型中不曾出现的由负折射介质色散磁导率导致的可控自陡峭效应对孤子传输的影响.结果表明,与正自陡峭效应一样,负自陡峭效应同样造成孤子脉冲的非对称、中心偏移和高阶孤子衰减,但脉冲偏移的方向与正自陡峭效应情形相反.此外,利用可控自陡峭效应可以从某种程度上抵消三阶色散效应导致的孤子脉冲偏移,从而实现孤子脉冲中心的无偏移传输.     

微波消解石墨炉原子吸收光谱法测定水产品中镉

采用微波消解样品,石墨炉原子吸收光谱法测定水产品中镉。在最佳试验条件下,镉的线性范围为0—2μg·L-1,检出限为1.3pg。相对标准偏差为1.9%—3.1%,本方法简便,快速、准确。     

硅基掺锰富硅氧化硅薄膜的电致发光

硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源,文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n＋型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅（SiO2∶Si）薄膜,然后用热扩散法进行了锰（Mn2＋）掺杂和光学活化。高分辨透射电镜观察表明薄膜中形成了3～5 nm的硅纳米晶体。该薄膜在紫外光照射下发射出明亮的绿光,光致发光谱峰位在524 nm（2.36 eV）,一般认为这是来自Mn2＋能级4T1 →6A1基态跃迁的绿光辐射;其荧光寿命为0.8 ms。将该掺锰富硅二氧化硅（SiO2∶Si∶Mn2＋）做成电致发光结构,在低反偏电压下观察到近乎白色的电致发光（EL）,光谱范围覆盖了400～800 nm。研究表明,该电致发光谱来源于薄膜中的Mn2＋以及氧化硅中的缺陷发光中心两者光谱的叠加;Mn2＋的发光是靠薄膜中的热电子来激发的;并由此探讨了薄膜中的硅纳米晶体在电致发光过程中的作用。