新工科背景下高分子材料类人才创新创业能力培养的改革与实践

近年来随着双一流建设的不断发展,高校更加注重对大学生创新创业能力的培养.本文基于新工科建设和工程教育专业认证的要求,以四川大学高分子材料与工程专业为例,通过构建分阶段分层次的培养步骤、全面实施"一条龙、全过程"本科生导师制、打造"本研协同"的专业培养模式以及加强实践能力培养,论述了高分子材料与工程专业学生创新创业能力的...     

天文观测相机低噪声CCD视频处理电路的分析与设计

在讨论天文观测相机低噪声视频处理电路的基础上,对前置放大、差分放大、可编程增益放大、相关双采样及16bit模数转换等关键组成部分进行了分析,给出各组成部分的设计方法。对所设计的低噪声视频处理电路进行了PSPICE仿真和实验测试,仿真和实验结果表明,该视频处理电路在本身引入噪声较小的同时,有效地抑制了CCD的复位噪声和1/f等低频噪声,使天文观测相机的整机噪声<15e-,达到了指标要求。     

单分子操纵与单分子生物物理

文章介绍了近年来发展起来的一些单分子操纵实验技术如光镊、磁镊、微针、斯托克斯拖曳技术，以及应用这些技术拉伸、旋转、解链DNA分子，从而研究其力学性质所取得的研究进展．各种蛋白质如T7 DNA聚合酶、拓扑异构酶，SWI／SNF染色质重建复合体、RNA聚合酶与DNA的作用在生化过程中十分重要，因此，文章也介绍了这些蛋白质与DNA在单分子的水平上相互作用所取得的研究进展．     

Growth and Characterization of A1GaN/A1N/GaN HEMT Structures with a Compositionally Step-Graded A1GaN Barrier Layer

A new A1GaN/A1N/GaN high electron mobility transistor （HEMT） structure using a compositionally step-graded A1GaN barrier layer is grown on sapphire by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD）. The structure demonstrates significant enhancement of two-dimensional electron gas （2DEG） mobility and smooth surface morphology compared with the conventional HEMT structure with high A1 composition A1GaN barrier. The high 2DEG mobility of 1806 cm2/Vs at room temperature and low rms surface roughness of 0.220 nm for a scan area of 5μm×5 μm are attributed to the improvement of interracial and crystal quality by employing the stepgraded barrier to accommodate the large lattice mismatch stress. The 2DEG sheet density is independent of the measurement temperature, showing the excellent 2DEG confinement of the step-graded structure. A low average sheet resistance of 314.5Ω/square, with a good resistance uniformity of 0.68%, is also obtained across the 50 mm epilayer wafer. HEMT devices are successfully fabricated using this material structure, which exhibits a maximum extrinsic transconductance of 218 mS/ram and a maximum drain current density of 800 mA/mm.     

一类部分信息的随机控制问题的极值原理

在本文中,我们证明了一类部分信息的随机控制问题的极值原理的一个充分条件和一个必要条件.其中,随机控制问题的控制系统是一个由鞅和Brown运动趋动的随机偏微分方程.     

定时截尾场合双参数威布尔分布的贝叶斯推断

给出了定时截尾下,双参数威布尔分布中参数及可靠性指标的Bayes估计,并且给出了未来观测值的贝叶斯预测问题.     

HL-2M 装置真空室设计

HL-2M 真空室结构为“D”形截面的双层-薄壁-全焊接式-环状结构,内环直径 2m,外环径 5.22m, 高 3.02m,由 20 个扇形段组成而成。真空室上开设有 121 个窗口以满足真空抽气、实验诊断、辅助加热及工程安 装等方面的要求;支撑采用滑动杆式结构;材料选用 Inconel625、Inconel718 与 316L 组合。运用有限元法对真空 室进行了结构强度评估,真空室满足设计要求。     

HL-1装置等离子体特性的初步研究

HL-1装置在环向磁场2.3T下运行,获得135kA平衡稳定等离子体,平顶时间160ms。实验表明,环向磁场杂散分量约为纵场的万分之一,导体壳和平衡场基本上能保证等离子体的平衡。观察到的电子温度约500eV,平均电子密度2.8×10~(13)cm~(-3),能量约束时间10ms,有效电荷数小于3,最低稳定运行安全因子2.5,最长放电持续时间1040ms。在对MHD稳定性进行观察的基础上,确定了稳定运行区域;极限密度服从Murakami定标律。     

HL—1装置密度极限破裂分析

HL-1装置上观测到大量的密度极限破裂放电。其主要特性是破裂前偏离几何中心的磁面位移很小,中心区总是观测到锯齿现象,破裂后,其电流中断时间大于20ms。本文详细分析了出现在电流上升段,坪段及下降段密度极限破裂的特征。其中一类是由于辐射功率超过加热功率所确定的村上极限,没有观测到先兆振荡;另一类是由于约束变坏所确定的赫吉尔极限,可观测到驰豫几毫秒的先兆振荡,这类放电破裂后多数能恢复。该装置运行的最大村上参数是0.35×10~(20)m~(-2).T~(-1)。     

收入管理的MMV动态拍卖机制研究

随着互联网上交易的增多,多单位同质产品销售的拍卖机制成为了一个新的研究方向.针对易逝性服务产品的收入管理问题,提出将产品销售分为多个拍卖期的MMV(Multi-period and Multi-unit Vickrey(Auction with Reserve Pricing)动态拍卖机制,给出每期最优拍卖单位数和保留价格的确定方法,证明了最优拍卖单位数分别关于剩余存量和销售时间单增的性质,以及保留价格关于剩余存量的单降性.最后证明MMV机制的每期实际成交价格将高于Vulcano(2002)提出的MSP(Modified Second-Price)机制,根据易逝性服务产品的需求特点得到MMV机制优于MSP机制的结论.