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991.
提出了一种基于X射线衍射增强成像(DEI)断层计算机X射线层析术(CT)图像的物体尺寸精确测量方法.X射线衍射增强成像是一种基于相位衬度的成像技术.通过建立DEI的简化模型,研究衍射成像过程中品体转角、投影图像谷点位置、成像系统等效模糊等因素之间关系,由此具体探讨了系统模糊效应对圆物体边界成像带来的位置偏移,并以圆形被测样品为例.提出可精确测定直径的简单有效算法.通过理论仿真模型数据和北京同步辐射装置上的实测数据验证了该算法的精度.该方法实现了利用DEI图像对被测物体几何尺寸的精确测量,可用于对牛物组织样品等物体内部微小结构的尺寸的精确测量. 相似文献
992.
用射频控共溅射方法在不同温度的单晶硅基片上生长薄膜,然后在800℃真空环境下对薄膜进行退火处理,成功获得了结晶状态良好的Zn2GeO4多晶薄膜.利用X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行了结构、成分和形貌分析,研究了基片温度对三者的影响.结果显示,当基片温度升高到400℃以上时,薄膜中的Zn2GeO4晶粒在(220)方向上显示出了明显的择优取向.当基片温度在500-600℃范围内,有利于GeO2结晶相的形成.XPS显示薄膜中存在着Zn2GeO4,GeO2,GeO,ZnO四种化合态.同时,随着基片温度的升高,晶粒尺寸增大且薄膜表面趋于平整.薄膜的光致发光在绿光带存在中心波长为530和550 nm两个峰,应该归因于主体材料Zn2GeO4中两个不同的Ge2 的发光中心. 相似文献
993.
994.
995.
提出并利用高频CO2激光脉冲在普通单模通信光纤上写出了包层旋转折变型长周期光纤光栅(R-LPFG). 在分析R-LPFG波导结构和双折射特性的基础上,对光栅周期数和折变旋转度分别为50和7.2°/周期的R-LPFG进行了实验研究.结果表明,这种类型的光栅可极大地降低其谐振波长对横向负荷不同作用方向所表现出的方向相关性,并且其谐振峰幅度横向负荷灵敏度在任意方向下均高达0.37dB/(g·mm-1) ,是普通LPFG横向负荷灵敏度的9倍左右.利用R-LPFG的温度线性响应特性和独特的横向负荷特性,设计并实验研究了一种动态增益均衡器,用其平坦掺铒光纤放大器增益谱,在C波段32nm范围内,其平坦度小于±0.5dB,可满足实际环境对通信系统的平坦应用要求.
关键词:
光纤通信技术
长周期光纤光栅
动态增益均衡
旋转折变 相似文献
996.
997.
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析.
关键词:
微晶硅薄膜太阳电池
气体流量
ZnO/Ag/Al背反射电极 相似文献
998.
笔者最近有机会听了一些老师的初中物理课,在一些老师的“内能”概念教学实践中,笔者发现他们总是在想方设法运用各种教学手段强调如下两个教学要点: 相似文献
999.
Characteristics of pentacene organic thin film transistor with top gate and bottom contact 下载免费PDF全文
High performance pentacene organic thin film transistors (OTFT) were
designed and fabricated using SiO2 deposited by electron beam
evaporation as gate dielectric material. Pentacene thin films were
prepared on glass substrate with S--D electrode pattern made from ITO
by means of thermal evaporation through self-organized process. The
threshold voltage VTH was --2.75± 0.1V in 0---50V
range, and that subthreshold slopes were 0.42± 0.05V/dec. The
field-effect mobility (μEF) of OTFT device increased with
the increase of VDS, but the μEF of OTFT device
increased and then decreased with increased VGS when VDS was kept constant. When VDS was --50V, on/off current
ratio was 0.48× 105 and subthreshold slope was 0.44V/dec.
The μEF was 1.10cm2/(V.s), threshold voltage
was --2.71V for the OTFT device. 相似文献
1000.
利用两粒子纠缠态作为经典信息的载体,结合Hash函数和量子本地操作提出了一种可以实现双向认证功能的量子秘密共享方案,并且分析了它的安全性. 这种方案的安全性基于秘密共享双方的认证密钥和传输过程中粒子排列次序的保密. 若不考虑认证和窃听检测所消耗的粒子,平均1个Bell态共享2 bit经典信息.
关键词:
量子秘密共享
认证密钥
量子双向认证
两粒子量子纠缠 相似文献