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71.
统计优化迭代法测量质子交换波导折射率分布   总被引:5,自引:0,他引:5  
提出了一种用于拟合测量渐变波导的折射率分布的新的理论处理。该方法把统计优化手段导入循环迭代法 ,可适用于费米函数这一类曲线变化范围大、且有多个自变量的函数。实验上用焦磷酸质子交换制备了LiNbO3波导样品 ,用该方法对退火后的折射率分布作了测量拟合 ,折射率拟合值与实验值的均方差为± 8.2× 10 - 4。  相似文献   
72.
采用矩阵奇异值分解(singular value decomposition, SVD)的方法,对高温射频超导量子干涉仪(HTc rf-SQUID)采集到的单通道心磁信号进行处理.证明了对于近似周期性的心磁信号,在无参考噪声的情况下矩阵奇异值分解的方法与自适应窄带陷波相结合有较好的消除广谱噪声的效果. 关键词: 高温射频超导量子干涉仪 心磁信号 奇异值分解 噪声消除  相似文献   
73.
腺嘌呤及其β-环糊精包结物的光谱研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
通过紫外光谱的摩尔比法确定了腺嘌呤与β-环糊精(β-CD)包结物的包结比为1:1,通过紫外光谱和荧光光谱研究了腺嘌呤在酸性,中性,及碱性条件下的光谱变化及与β-CD包结物的光谱变化,分别求得了它们与β-CD包结的平衡常数。  相似文献   
74.
S—R分解定理的唯一性,存在性和客观性   总被引:3,自引:0,他引:3  
对于连续体的一切物理可能的变形场,其变形梯度张量F可被分解为一个对称张量S和一个正交张量R的直和,这便是S-R分解定理.本文通过矩阵方法和张量方法证明了S-R分解定理的唯一性、存在性和客观性.  相似文献   
75.
Using a scanning tunneling microscope, quantum dots with diameters of order 25 Å have been fabricated on the cleaved InSb (110) surface in UHV. Both In and Sb atoms were clearly resolved on the cleaved surface.  相似文献   
76.
The boundedness of the every solution and the asymptotic behavior of all solutions of the nonlinear neutral delay differential equation [x(t) - P(t)x(t - t)]' Q1 (t)f(x{t-σ1))-Q2(t)f(x(t -σ2))=0,t≥t0 are investigated, whereτ,σ1,σ2∈(0,∞), P∈C([t0,∞),R), and Q1,Q2∈C([t0,∞),R), f∈C(R,R). The sufficient conditions obtained improve the existing results in the literatures.  相似文献   
77.
The theory of asymptotic speeds of spread and monotone traveling waves is established for a class of monotone discrete and continuous‐time semiflows and is applied to a functional differential equation with diffusion, a time‐delayed lattice population model and a reaction‐diffusion equation in an infinite cylinder. © 2005 Wiley Periodicals, Inc.  相似文献   
78.
荧光波长对共焦显微镜成像特性的影响   总被引:7,自引:0,他引:7  
导出了共焦显微镜中不同荧光波长情况下的荧光功率传输函数、三维脉冲响应函数(3D-PSF)和三维光学传递函数(3D-OTF)。结果表明,不同的荧光波长对共焦显微镜的空间截止频率、分辨率、光学传递函数存在明显的影响。当激发波长与荧光波长的比值下降到一定程度时,可以看到明显的失锥现象。  相似文献   
79.
几种N-取代马来酰胺酸辅酶模型的核磁共振研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
我们对8种N-取代马来酰胺酸辅酶模型与不同类型的亲核试剂反应后生成的产物进行了1H、13C NMR的研究, 测得1H、13C谱化学位移,研 究探讨其规律性, 并测试了IR谱和元素分析.  相似文献   
80.
Patterned uniformly (100)-orientated silicon nanocrystallite (SiNC) films were fabricated based on hydrogen ion implantation technique and typical electrochemical anodic etching method. The surface morphology and microstructure characteristics of the films were characterized by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, X-ray diffraction, and atomic force microscopy. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.2 V/μm at current density of 0.1 μA/cm2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1 mA/cm2 under a bias field of about 11 V/μm. The experimental results demonstrate that the SiNC films have great potential applications for flat panel displays.  相似文献   
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