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951.
本文从G-P平均势场理论出发,探讨了三维球对称非谐势阱中玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)的G-P方程;用数值计算方法研究了三维球对称非谐势阱中原子间有相互作用的玻色-爱因斯坦凝聚气体的基态解;分析了非谐振势能项对玻色-爱因斯坦凝聚体的分布、能量和化学势的影响。 相似文献
952.
采用中频感应提拉法生长了高质量的Tm:Y2SiO5(Tm:YSO)晶体,测定了晶体的晶格常数和分凝系数.运用劳厄照相法确定了单斜晶系Tm:YSO晶体的三个偏振轴〈010〉,D1和D2,在室温下测量了三个偏振轴方向的吸收光谱、荧光光谱和荧光寿命,计算了晶体吸收峰的吸收线宽和吸收截面.研究发现,相对于其他两个偏振轴方向,D1方向在790nm处出现较强的吸收峰,
关键词:
2SiO5')" href="#">Tm:Y2SiO5
单斜晶系
吸收光谱
荧光光谱 相似文献
953.
根据强扰动理论,在长波长近似条件下推导出蜂窝结构吸波材料等效介电常数和等效磁导率的计算公式.电磁参数计算结果表明,蜂窝结构吸波材料等效介电常数和等效磁导率均小于吸收层的介电常数和磁导率,但等效介电常数的降幅更大,从而使等效介电常数更接近于等效磁导率,这正是吸波材料波阻抗匹配设计所需要的.反射率计算结果表明,不同的蜂窝高度,吸收层对应一最优厚度,使蜂窝结构吸波材料的反射率最低.这些结果对于蜂窝结构吸波材料设计具有一定的意义.
关键词:
蜂窝结构吸波材料
等效介电常数
等效磁导率
反射率 相似文献
954.
This paper reports that polarized far-infrared reflectivity measurements have been done on LiGaO2 single crystal along two crystalline taxes at different temperatures. The temperature dependent frequencies of the longitudinal and transverse optical phonon have been obtained from the real part of optical conductivity and the loss function respectively. A small Drude component is observed at frequency below 300 cm^-1 which could arise from Li ions or oxygen deficiencies. The ionicity of LiGaO2 has been studied from the analysis of the Born effective charge of different ions. 相似文献
955.
Influence of reaction gas flows on the properties of SiGe:H thin film prepared by plasma assisted
reactive thermal chemical vapour deposition 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
A new preparing technology, very high frequency plasma assisted reactive thermal chemical vapour deposition (VHFPA-RTCVD), is introduced to prepare SiGe:H thin films on substrate kept at a lower temperature. In the previous work, reactive thermal chemical vapour deposition (I~TCVD) technology was successfully used to prepare SiGe:H thin films, but the temperature of the substrate needed to exceed 400℃. In this work, very high frequency plasma method is used to assist RTCVD technology in reducing the temperature of substrate by largely enhancing the temperature of reacting gases on the surface of the substrate. The growth rate, structural properties, surface morphology, photo- conductivity and dark-conductivity of SiGe:H thin films prepared by this new technology are investigated for films with different germanium concentrations, and the experimental results are discussed. 相似文献
956.
957.
采用水电极介质阻挡放电装置,在氩气和空气的混合气体放电中,对超四边形斑图的形成进行了实验研究.发现随着外加电压的升高,斑图类型经历了四边形斑图、准超点阵斑图、超四边形斑图、条纹斑图或六边形斑图的演化顺序.对这些斑图进行了傅里叶谱分析,得到了空间模式随电压的变化关系.此外,在外加电压升高的过程中,出现了具有不同空间尺度的两种超四边形斑图,它们满足不同的驻波条件.分析了壁电荷在超四边形斑图形成中的作用.实验测量了斑图类型随气隙间距和外加电压变化的相图以及超四边形斑图随气隙间距和气隙气压变化的相图.测量了击穿电
关键词:
介质阻挡放电
斑图
壁电荷
放电参量 相似文献
958.
导模共振滤波器由于其高峰值反射率,低旁带反射,窄带以及带宽可控等优良特性引起了人们极大的关注,采用亚波长光栅的导模共振效应可以实现传统基于高低折射率介质的多层膜滤波器所无法实现的特殊功能,在弱调制模式下,其共振带宽可以被压缩到零点几纳米,但是由于介质表面和空气层的菲涅耳反射,使得偏离或者远离共振区时的反射率偏高,根据等效介质理论,亚波长光栅在远离共振区可以被看为均匀的薄膜,本文通过对导模共振光栅进行单层、双层以及三层抗反射设计,有效的降低了导模共振光栅的旁带反射率,从而在可见光波段获得了性能优良的共振滤波
关键词:
导模共振
平面波导
傅里叶模式理论
窄带滤波 相似文献
959.
960.
通过扫描电镜和X射线衍射对SiO2衬底上生长并五苯和酞菁铜薄膜的表面形貌进行表征,并得到在SiO2衬底上生长的并五苯薄膜是以岛状结构生长,其大小约为100nm,且薄膜有较好的结晶取向,呈多晶态存在. 酞菁铜薄膜则没有表现出明显的生长机理,其呈非晶态存在. 还对通过掩膜的方法制作得以酞菁铜和并五苯为有源层的顶栅极有机薄膜晶体管的特性进行了研究. 有源层的厚度为40nm,绝缘层SiO2的厚度为250nm,器件的沟道宽长比(W/关键词:
有机薄膜晶体管
并五苯薄膜
酞菁铜薄膜
μEF)')" href="#">场效应迁移率(μEF) 相似文献