全文获取类型
收费全文 | 30797篇 |
免费 | 5201篇 |
国内免费 | 5088篇 |
专业分类
化学 | 24263篇 |
晶体学 | 424篇 |
力学 | 1728篇 |
综合类 | 417篇 |
数学 | 3788篇 |
物理学 | 10466篇 |
出版年
2024年 | 52篇 |
2023年 | 516篇 |
2022年 | 725篇 |
2021年 | 872篇 |
2020年 | 1192篇 |
2019年 | 1184篇 |
2018年 | 1011篇 |
2017年 | 836篇 |
2016年 | 1486篇 |
2015年 | 1473篇 |
2014年 | 1877篇 |
2013年 | 2291篇 |
2012年 | 2631篇 |
2011年 | 2792篇 |
2010年 | 2151篇 |
2009年 | 2012篇 |
2008年 | 2279篇 |
2007年 | 2031篇 |
2006年 | 1859篇 |
2005年 | 1640篇 |
2004年 | 1378篇 |
2003年 | 1151篇 |
2002年 | 1404篇 |
2001年 | 1145篇 |
2000年 | 899篇 |
1999年 | 675篇 |
1998年 | 524篇 |
1997年 | 414篇 |
1996年 | 449篇 |
1995年 | 368篇 |
1994年 | 317篇 |
1993年 | 289篇 |
1992年 | 211篇 |
1991年 | 199篇 |
1990年 | 138篇 |
1989年 | 125篇 |
1988年 | 101篇 |
1987年 | 72篇 |
1986年 | 53篇 |
1985年 | 62篇 |
1984年 | 55篇 |
1983年 | 35篇 |
1982年 | 24篇 |
1981年 | 23篇 |
1980年 | 17篇 |
1979年 | 12篇 |
1978年 | 9篇 |
1977年 | 5篇 |
1974年 | 4篇 |
1957年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
Q.-Y. Shao A.-D. Li J.-B. Cheng H.-Q. Ling D. Wu Z.-G. Liu N.-B. Ming C. Wang H.-W. Zhou B.-Y. Nguyen 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2005,81(6):1181-1185
LaAlO3 (LAO) gate dielectric films were deposited on Si substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. The interfacial structure and composition distribution were investigated by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), secondary-ion mass spectroscopy (SIMS), and Auger-electron spectroscopy (AES). HRTEM confirms that there exists an interfacial layer between LAO and Si in most samples. AES, SIMS, and XPS analyses indicate that the interfacial layer is compositionally graded La–Al silicate and the Al element is severely deficient close to the Si surface. Electrical properties of LAO films were evaluated. No evident difference in electrical properties between samples with and without native SiO2 layers was observed. The electrical properties are discussed in terms of LAO growth mechanisms, in relation to the interfacial structure. PACS 73.40.Qv; 81.15.Gh; 77.55.+f; 68.35.-p 相似文献
92.
We present a semimonolithic frequency-doubler from 1080 to 540 nm with 80% doubling efficiency and up to 849-mW output power of green light. 相似文献
93.
94.
95.
96.
97.
利用Harris模型,通过求解等离子体平衡方程,计算俘获粒子份额,分别对常规剪切和中心负剪切下tokamak中的自举电流的大小和剖面准直性进行了计算和分析.自举电流分布与等离子体平衡电流分布之间的剖面准直性可以通过调整等离子体的密度、温度和电流分布参数,以及描述等离子体形状的拉长度k和三角变形因子d来获得.中心负剪切位形有利于自举电流产生,并有好的剖面准直性.通过计算比较,分别在常规剪切位形下和中心负剪切位形下获得了一组优化的等离子体参数,在这组参数下,自举电流有较大的份额和好的剖面准直性
关键词:
tokamak
自举电流
剖面准直性 相似文献
98.
99.
Under the dielectric continuum model and Loudon’s uniaxial crystal model, the properties of the quasi-confined (QC) optical phonon dispersions and the electron-QC phonons coupling functions in a cylindrical wurtzite nanowire are deduced via the method of electrostatic potential expanding. Numerical computations on a GaN/Al0.15Ga0.85N wurtzite nanowire are performed. Results reveal that, for a definite axial wave number kz and a certain azimuthal quantum number m, there are infinite branches of QC modes. The frequencies of these QC modes fall into two regions, i.e. a high frequency region and a low frequency region. The dispersion of the QC modes are quite apparant only when kz and m are small. The lower-order QC modes in the higher frequency region play more important role in the electron-QC phonon interactions. Moreover, for the higher-order QC modes in the high frequency region, the electrostatic potentials “escaping” out of the well-layer material nearly could be ignored. 相似文献
100.
合成了两种新型噻吩基卟啉-5,15-二(2-噻吩基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉7a(45.1%)和5,15-二(2-联噻吩基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉7b(61.2%),并研究了它们的光谱性质,其中荧光光谱的最大发射峰蜂都在631nm处,量子产率分别为4.1%(7a)和1.4%(7b)。 相似文献