磁电垒结构中自旋极化输运性质的研究

研究了电子隧穿几类磁电垒结构的自旋极化输运性质，导出统一的传输概率公式，揭示了非 均匀磁场的分布与自旋过滤的关系，同时表明采用有效朗德因子较大的半导体材料可以显著 增强磁电垒结构的自旋过滤效果. 关键词： 磁电垒 自旋过滤 自旋电子学 自旋极化     

硼酸三甲酯为探针红外光谱定量研究氧化镁的路易斯碱性

采用硼酸三甲酯(BATE)作为探针分子对MgO的路易斯碱性进行了红外光谱定量研究。MgO对硼酸三甲酯的吸附使硼酸三甲酯在1360cm-1的谱峰分裂成1410cm-1和1300cm-1两个峰,1036cm-1的谱峰紫移到1060cm-1。低压下吸收峰高与硼酸三甲酯压力成正比,与MgO含量成正比。结果表明MgO有一定的路易斯碱强度,与硼酸三甲酯之间的吸附是单分子层化学吸附。     

矩形点阵法测量激光测距机瞄准轴与接收轴一致性

针对激光测距机瞄准轴与接收轴一致性的测量，提出了一种新的方法——矩形点阵法，并通过大量的实验验证了此方法的可行性。通过对结果的计算和误差分析，确定了此方法能够使激光测距机的发射次数在50次以内，测量精度达到10″以内。为激光测距机瞄准轴与发射轴平行性的自动测量提供了一种途径。     

一种新型有机电致微腔结构的双模发射

采用结构Glass／DBR／ITO／NPB／NPB：Alq／Alq／Al制作了有机微腔电致发光器件。将空穴传输材料与发光材料以一定比例混合作为发光层，为了便于对比，在不改变有机层的膜厚的情况下同时制作了传统的异质结微腔器件，发现两种器件的发光光谱有很大不同，器件的复合效率与传统的异质结器件相比也得到了很大提高，这是因为将两种有机材料混合能消除界面势垒，提高器件的复合效率，从而提高了器件的发光性能，实现了微腔双模发射，且两个模式的半峰全宽分别为8nm和12nm。通过进一步优化器件结构可以实现微腔白光发射。     

衰减全反射型电压传感器的理论和实验研究

提出了一种新型反射型聚合物波导电压传感器理论,并且进行了实验研究。这种电压传感器采用棱镜波导耦合结构,在棱镜下底面依次镀有金属膜一聚合物一金属膜三层结构。通过两层金属膜对极化聚合物加电压,利用聚合物材料电光效应和导模共振吸收峰对聚合物折射率的敏感特性,通过反射光强的测量来确定作用电压的变化值。实验中的测试电压范围是从-140V至 140V,得到的线性度值为0．991,电压测量的分辨力为0．1V,电压测量灵敏度系数为0．0011V^-1。实验表明这种电压传感器具有良好的线性和较高的灵敏度。     

10.6μm激光诱导扩散中热致破坏的抑制

在半导体激光诱导扩散实验中,用连续波CO2 10．6μm激光聚焦后照射基片表面。为实现局部区域的选择扩散,激光光斑半径仅数十微米。要使曝光区温度达到扩散实验要求,必须使曝光区功率密度很高。另一方面,Si、InP等半导体材料对10．6μm波长激光的吸收系数随温度的升高而增大,这导致实验时容易产生热致破坏,损伤基片。在分析热致破坏的产生机理后,提出了在聚焦激光束照射下,曝光区温度的数值计算方法。计算结果表明,在半导体基片初始温度为室温时,以恒定功率的激光束照射基片,曝光区温度不能稳定在扩散试验需要的温度范围。在此基础上,提出了预热基片及对曝光区温度进行实时控制等抑制热致破坏的方法,有效地克服了这一困难。这对于用激光微细加工制作出高性能的单片光电集成电路(OEICs)器件有重要意义。     

Determination of q=1 surface by the variation of pellet ablation rate on the HL-1M

Strong drop of Hα emission has been observed on the HL-1M tokamak by means of a detector array while a pellet crosses the q=1 surface. In this article, the q=1 surface has been determined precisely by the interval and the shape of the Hα emission striations on the pellet trajectory due to the variation of pellet ablation rate. The q-profile and current density distribution at the plasma centre region have been calculated according to the pellet ablation rate and the magnetic shear feature.     

Atomic dynamics in the mode－mode competition system

The atomic dynamical properties in the system with competing k-photon and l-photon transitions are studied fully by means of quantum theory. We discuss the influences of the mode－mode competition, the relative competing strengths of the atom and the two-mode field, and the initial state of the system on the atomic dynamics. We show that the presence of the mode－mode competition can result in quite a periodical collapses-revivals of the atomic inversion and the increase of the initial photons of the system can lead to the collapse－revival phenomenon and prolong the revival time of the atomic inversion.     

胶体金纳米颗粒的荧光光谱特性

研究了胶体金纳米颗粒的荧光激发光谱和荧光发射光谱特性.增大激发光的波长,发射峰相应红移并在629nm达到最强,对应的灵敏激发波长为473nm.增加金纳米颗粒粒径,观察到发射谱的峰值先增大然后减小.发射峰产生的原因在于电子与带间空穴的复合导致非线性共振光散射.发射峰强度和金颗粒粒径的关系可以用表面等离子体震荡引起的局域场增强来解释,数值计算结果和实验结果能较好的吻合.     

漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响

结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si_1－βGe_β中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值. 关键词： 应变硅金属氧化物半导体场效应管 漏致势垒降低 二维泊松方程 阈值电压模型