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191.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K. 相似文献
192.
193.
就一般非完整约束系统,从约束方程满足的变分恒等式出发,利用增广位形流形上的向量场定义三类非自由变分,即非完整变分:vakonomic变分、Hlder变分、Suslov变分,并讨论它们之间的关系以及它们成为自由变分的充要条件.利用非完整变分以及相应的积分变分原理建立两类动力学方程:vakonomic方程和Routh方程或Chaplygin方程.通过vakonomic方程分别与Routh方程和Chaplygin方程比较,得到它们具有共同解的两类充分必要条件.这些条件并不是约束的可积性条件.
关键词:
非完整约束
非完整变分
Chetaev条件
vakonomic动力学 相似文献
194.
195.
FTIR光谱遥测红外药剂的燃烧温度 总被引:2,自引:0,他引:2
本文利用遥感FTIR光谱,对红外药剂的燃烧特性进行了研究。在分辨率为4cm^-1时,收集4700-740cm^-1波段的光谱。从HF等燃烧产物发射的分子振转基带精细结构的谱线强度分布,可以对燃烧温度进行遥感测定,并给出了燃烧温度随时间的变化关系,实验结果表明燃烧表面附近温度梯度很大,存在着急剧的变化温度场,同时也说明,在不干扰火焰温度场的情况下,利用遥感FTIR光谱对剧烈的、非稳态快速燃烧的火焰温度进行连续实时的遥感测量,是一种快速、准确、灵敏度高的测温方法,显示了它在燃烧温度测量、产物浓度测试以及燃烧机理研究等方面的应用前景。 相似文献
196.
Q. Sun Q. Wang X.G. Gong V. Kumar Y. Kawazoe 《The European Physical Journal D - Atomic, Molecular, Optical and Plasma Physics》2002,18(1):77-81
We report results of the atomic and electronic structures of Al7C cluster using ab initio molecular dynamics with ultrasoft pseudopotentials and generalized gradient approximation. The lowest energy structure is
found to be the one in which carbon atom occupies an interstitial position in Al7 cluster. The electronic structure shows that the recent observation [Chem. Phys. Lett. 316, 31 (2000)] of magic behavior of Al7C- cluster is due to a large highest occupied and lowest unoccupied molecular orbital (HOMO-LUMO) gap which makes Al7C- chemically inert. These results have further led us to the finding of a new neutral magic cluster Al7N which has the same number of valence electrons as in Al7C- and a large HOMO-LUMO gap of 1.99 eV. Further, calculations have been carried out on (Al7N)2 to study interaction between magic clusters.
Received 28 July 2001 相似文献
197.
198.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.
关键词:
非弹性中子散射
填充式方钴矿
近藤绝缘体 相似文献
199.
报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关. 相似文献
200.