首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   12724篇
  免费   2251篇
  国内免费   1832篇
化学   9301篇
晶体学   224篇
力学   792篇
综合类   125篇
数学   1293篇
物理学   5072篇
  2024年   30篇
  2023年   228篇
  2022年   447篇
  2021年   527篇
  2020年   542篇
  2019年   480篇
  2018年   464篇
  2017年   441篇
  2016年   631篇
  2015年   679篇
  2014年   856篇
  2013年   999篇
  2012年   1057篇
  2011年   1163篇
  2010年   862篇
  2009年   813篇
  2008年   943篇
  2007年   880篇
  2006年   784篇
  2005年   635篇
  2004年   506篇
  2003年   418篇
  2002年   389篇
  2001年   353篇
  2000年   257篇
  1999年   242篇
  1998年   182篇
  1997年   173篇
  1996年   169篇
  1995年   133篇
  1994年   86篇
  1993年   73篇
  1992年   59篇
  1991年   56篇
  1990年   45篇
  1989年   29篇
  1988年   29篇
  1987年   31篇
  1986年   22篇
  1985年   20篇
  1984年   19篇
  1983年   7篇
  1982年   6篇
  1981年   3篇
  1980年   9篇
  1979年   3篇
  1976年   7篇
  1975年   3篇
  1971年   2篇
  1957年   3篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
矩阵方程AXB+CYD=E的对称极小范数最小二乘解   总被引:4,自引:0,他引:4  
袁仕芳  廖安平  雷渊 《计算数学》2007,29(2):203-216
对于任意给定的矩阵A∈Rm×n,B∈Rn×s,C∈Rm×k,D∈Rk×s,E∈Rm×s,本文利用矩阵的Kmnecker积和Moore-Penrose广义逆,研究矩阵方程AXB CYD=E的对称极小范数最小二乘解,得到了解的表达式.并由此给出了矩阵方程AXB=C的双对称极小范数最小二乘解的表达式.此外,我们还给出了求矩阵方程AXB=C的双对称极小范数最小二乘解的数值算法和数值例子.  相似文献   
992.
为实现准等熵压缩的波阻抗梯度飞片的实验研究   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
采用粉末冶金方法,制备出波阻抗沿厚度方向呈特定分布的WMoTi体系梯度飞片,在二级轻气炮上进行了梯度飞片击靶实验的初步研究.结果表明,利用梯度飞片可以实现对靶样品的准等熵压缩,击靶后产生的波阵面是平缓、连续上升的,明显不同于冲击压缩的陡峭波阵面,靶面压力峰值最高达到了167GPa.波阻抗按二次函数分布的梯度飞片能够获得最佳的击靶波形 关键词: 波阻抗梯度飞片 准等熵压缩  相似文献   
993.
研究了掺铒的纳米相氟氧化物玻璃陶瓷(Er(3):FOV)的红外量子剪裁现象,测量了红外和可见的Er(3):FOV的荧光光谱.结果发现光激发2H11/2能级的4 I13/24I15/2荧光跃迁的近似量子剪裁效率已达约186.28%.计算了有关的无辐射弛豫速率、自发辐射速率和能量传递速率,分析了有关的能量传递动力学过程,发现  相似文献   
994.
We study two aspects of higher dimensional operators in standard model effective field theory.We first introduce a perturbative power counting rule for the entries in the anomalous dimension matrix of operators with equal mass dimension.The power counting is determined by the number of loops and the difference of the indices of the two operators involved,which in turn is defined by assuming that all terms in the standard model Lagrangian have an equal perturbative power.Then we show that the operators with the lowest index are unique at each mass dimension d,i.e.,(H~?H)~(d/2)for even d≥4,and(L~TεH)C(L~TεH)~T(H~?H)~((d-5)/2)for odd d≥5.Here H,L are the Higgs and lepton doublet,andε,C the antisymmetric matrix of rank two and the charge conjugation matrix,respectively.The renormalization group running of these operators can be studied separately from other operators of equal mass dimension at the leading order in power counting.We compute their anomalous dimensions at one loop for general d and find that they are enhanced quadratically in d due to combinatorics.We also make connections with classification of operators in terms of their holomorphic and anti-holomorphic weights.  相似文献   
995.
We report a method for measuring diffusion coefficient D of liquids by using an aplanatic and asymmetric cylinder lens with a liquid core, which is designed as both a diffusion pool and the main imaging element. The precision is better than 10-4 RIU in measuring refractive index. The D values of ethylene glycol (EG) in water are measured for various EG concentrations at 25℃, and Dinf = 1.043 × 10^-5 cm^2/s under the condition of infinite dilution is obtained. The method is characterized by observing the diffusion process directly, faster measurement and obtaining the D value under the condition of infinite dilution.  相似文献   
996.
双电解液锂空气电池因其高理论能量密度受到广泛研究,但电池正极侧氧还原反应(ORR)速率低,其反应速率是限制锂空气电池发展的主要因素之一.本文提出了以钌(Ru)掺杂单层石墨烯作为正极ORR催化剂,采用第一性原理计算nRu (n=1~3)掺杂石墨烯的电子结构和氧气在Ru掺杂石墨烯表面的吸附性能,并以过渡态搜索方法获得ORR反应路径,研究碱性溶液中Ru掺杂单层石墨烯作用下的ORR机理.研究结果表明,经Ru原子掺杂后,石墨烯能够获得稳定的掺杂结构,且电导率显著提升.同原始单层石墨烯相比,Ru掺杂石墨烯增强了对O2的吸附能力.在三Ru(n=3)掺杂石墨烯表面进行的ORR无需克服任何能垒.此外,三Ru掺杂石墨烯表面对OH基团的吸附能最低,有利于ORR的连续进行.研究表明三Ru掺杂石墨烯有望成为一种新型的ORR催化剂以提高双电解液锂空气电池的性能.  相似文献   
997.
Amorphous MnxGe1-x :H ferromagnetic semiconductor films prepared in mixed Ar with 20% H2 by magnetron cosputtering show global ferromagnetism with positive coercivity at low temperatures. With increasing temperature, the coercivity of MnxGe1-x :H films first changes from positive to negative, and then back to positive again, which was not found in the corresponding MnxGe1-x and other ferromagnetic semiconductors before. For Mn0.4Ge0.6 :H film, the inverted Hall loop is also observed at 30 K, which is consistent with the negative coercivity. The negative coercivity is explained by the antiferromagnetic exchange coupling between the H-rich ferromagnetic regions separated by the H-poor non-ferromagnetic spacers. Hydrogenation is a useful method to tune the magnetic properties of MnxGe1-x films for the application in spintronics.  相似文献   
998.
魏政鸿  云峰  丁文  黄亚平  王宏  李强  张烨  郭茂峰  刘硕  吴红斌 《物理学报》2015,64(12):127304-127304
研究了Ag的厚度、退火时间、沉积温度对于Ni/Ag/Ti/Au电极的反射率及与p-GaN欧姆接触性能的影响. 利用分光光度计测量反射率, 采用圆形传输线模型计算比接触电阻率. 结果表明: 随着Ag厚度的增加, Ni/Ag/Ti/Au电极的反射率逐渐增大; 在氧气氛围中, 随着退火时间从1 min增至10 min, 300 ℃退火时, 比接触电阻率持续下降, 而对于400-600 ℃退火, 比接触电阻率先减小后增大; 在300和400 ℃氧气中进行1-10 min 的退火后, Ni/Ag/Ti/Au的反射率变化较小, 退火温度高于400 ℃时, 随着退火时间的增加, 反射率急剧下降; 在400 ℃氧气中3 min退火后, 比接触电阻率可以达到3.6×10-3 Ω·cm2. 此外, 适当提高沉积温度可以增加Ni/Ag/Ti/Au的反射率并降低比接触电阻率, 沉积温度为120 ℃条件下的Ni/Ag/Ti/Au电极在450 nm处反射率达到90.1%, 比接触电阻率为6.4×10-3 Ω·cm2. 综合考虑电学和光学性能, 在沉积温度为120 ℃下蒸镀Ni/Ag/Ti/Au (1/200/100/100 nm)并在400 ℃氧气中进行3 min退火可以得到较优化的电极. 利用此电极制作的垂直结构发光二极管在350 mA电流下的工作电压为2.95 V, 输出光功率为387.1 mW, 电光转换效率达到37.5%.  相似文献   
999.
 从介质对光的吸收机理出发,研究了吸收系数较小的受激布里渊散射(SBS)新介质六氯-1,3-丁二烯(C4Cl6)。通过基本的物理参数,确定了入射光波长为1 064 nm时C4Cl6的SBS参数,其吸收系数约为0.003 cm-1,声子寿命约为0.25 ns,增益系数约为4.9 cm·GW-1。分析了入射光波长与介质SBS参数的关系,布里渊频移与入射光波长成反比,声子寿命与入射光波长的平方成正比,增益系数一般与入射光波长无关。在单池SBS系统中,利用Nd:YAG调Q激光器研究了C4Cl6的SBS性能。实验结果表明:由于其吸收系数小,与具有相同增益系数的H2O比较,C4Cl6具有较高的能量反射率(饱和能量反射率大于55%)和较宽的SBS脉宽;由于其声子寿命短,与具有相同吸收系数的CS2比较,C4Cl6的SBS波形上升时间较短。吸收系数小和声子寿命短的特点,使C4Cl6适合作为放大池介质,这对优化SBS介质选取,提高SBS系统性能具有一定意义。  相似文献   
1000.
宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性, 本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型, 分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学特性和热学特性的影响. 研究表明, 对于基区Ge组分为阶梯分布的HBT, 由于Ge组分缓变引入了少子加速电场, 使它与均匀基区Ge组分HBT相比, 具有更高的特征频率fT, 且电流增益βfT随温度变化变弱, 这有利于防止器件在宽温区工作时电学特性的漂移.同时, 器件整体温度有所降低, 但器件各指温度分布均匀性较差.考虑多指HBT各发射极指散热能力存在差异, 在器件纵向结构设计为基区Ge组分阶梯分布的同时, 对其横向版图进行发射极指间距渐变结构设计, 用于改善器件各指温度分布的均匀性, 进而提高HBT的热稳定性.结果表明, 与基区Ge组分为均匀分布的等发射极指间距结构HBT相比, 新器件各指温度分布均匀性明显改善, fT保持了较高的值, 且βfT 随温度变化不敏感, 热不稳定性得到显著改善, 显示了新器件在宽温区大电流下工作的优越性. 关键词: SiGe 异质结双极晶体管 Ge组分分布 发射极指间距渐变技术 热稳定性  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号