首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   16023篇
  免费   3312篇
  国内免费   4990篇
化学   12263篇
晶体学   581篇
力学   1134篇
综合类   454篇
数学   1873篇
物理学   8020篇
  2024年   38篇
  2023年   169篇
  2022年   497篇
  2021年   538篇
  2020年   613篇
  2019年   527篇
  2018年   529篇
  2017年   623篇
  2016年   670篇
  2015年   815篇
  2014年   1032篇
  2013年   1300篇
  2012年   1271篇
  2011年   1464篇
  2010年   1325篇
  2009年   1375篇
  2008年   1553篇
  2007年   1372篇
  2006年   1379篇
  2005年   1189篇
  2004年   902篇
  2003年   675篇
  2002年   693篇
  2001年   731篇
  2000年   688篇
  1999年   401篇
  1998年   247篇
  1997年   209篇
  1996年   187篇
  1995年   170篇
  1994年   141篇
  1993年   150篇
  1992年   135篇
  1991年   99篇
  1990年   115篇
  1989年   81篇
  1988年   61篇
  1987年   71篇
  1986年   55篇
  1985年   44篇
  1984年   35篇
  1983年   29篇
  1982年   16篇
  1981年   19篇
  1980年   16篇
  1979年   19篇
  1978年   12篇
  1966年   7篇
  1965年   7篇
  1964年   7篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
分层流是气液两相流中常见的流动型式,分层流中液层高度是计算的基本数据,由于界面波的存在,对液层的测量和预测都很困难.Vlachos提出了预测气液两相分层流液层厚度的关系式,但这一关系式并不适用于倾斜下降管气液两相流.本文提出了计算倾斜下降管气液两相分层流截面含气率的理论模型,在这种模型下得到的截面含气率和实验结果符合良好.在大量实验的基础上,考虑了倾角、管径、气液各相折算速度的影响,根据实验数据提出了预测液层厚度的关系式。  相似文献   
62.
王书鸿  王九庆  叶强  乐琪 《中国物理 C》2002,26(12):1302-1308
为获得尽可能高的正电子(e+)产额,严格控制初级电子(e)束在e+产生靶上的束半径是至关重要的.首先分析了使e束半径增大的各因素和对这些因素的制约;然后以北京正负电子对撞机(BEPC)的正电子源为例,给出了束半径的实测值和计算值的比较,以具体说明这些因素的影响;最后讨论了北京正负电子对撞机二期工程(BEPC-Ⅱ)的相应优化设计研究,提出了获得靶上最小束半径的若干途径.  相似文献   
63.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长   总被引:2,自引:2,他引:0  
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。  相似文献   
64.
NO-2-I-体系双波长紫外分光光度法测定痕量亚硝酸根   总被引:2,自引:0,他引:2  
在稀盐酸介质中,亚硝酸根氧化碘化钾的反应产物I-3在288nm和352nm处有两个强吸收峰.基于此建立了双波长紫外分光光度法测定痕量NO-2的新方法.该法简便、快速、选择性好,线性范围为0-0.4μg/mL,检出限为3.4×10-9g/mL.用于河水、井水、矿泉水中亚硝酸根的测定,结果令人满意.  相似文献   
65.
我国医疗费用增长与医疗设备投入的相关性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
近年来我国卫生总费用占GDP的比例增长很快,而在卫生费用结构上则发生政府投入下降和个人支出的上升。本文采集了大量的统计数据,采用统计相关性研究的方法,论证了医疗设备规模的不断扩大是导致医疗费用上升的主要因素之一;医疗设备的快速增长与医院维修费用投入的增长直接相关,而引起医疗设备维修大量投入的主要原因则是故障期内医疗设备的非正常闲置。本文通过对个人卫生费用的上升、医疗设备规模的扩大及其医疗设备维修投入费用增加相关性的分析,说明了在这种关系下,十分有必要研究医院医疗设备维修体系,以在卫生投入和患者权益上达到平衡。  相似文献   
66.
依据"非定常两代流型"理论,验证了二维叶栅在均匀进气条件下,施加激励对其性能所起的改善作用,尔后重点研究了进口具有总压的周向畸变时,施加激励对其气动性能的影响。计算结果表明,在有无进口畸变时,施加一定的激励都会改善流场结构,气动参数有积极变化,压升和效率增加,特别是在流量比较小时,变化尤为明显.对于进口畸变和施加激励影响压气机性能的内在原因,从流场结构的变化方面进行了初步分析。  相似文献   
67.
测量了19F+27Al耗散反应产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数,入射束流的能量从110.25MeV到118.75MeV, 能量步长为250keV. 从产物的 能量自关联函数中提取了反应中所形成的中间双核系统的转动惯量, 与相粘模型计算的刚体转动惯量相比较, 结果表明形成的双核系统有大的形变.  相似文献   
68.
The phase boundary theory and the contact rule of phase regions are compared, and some weaknesses of the latter are manifested. The comparison between the Gupta’s method and the boundary theory method for constructing multicomponent isobaric sections is also presented.  相似文献   
69.
我国封闭式投资基金业绩评价实证研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
随着我国基金行业超常发展,恰当的分析和评价基金业绩已越来越重要。本文根据CAPM的基本原理,利用国外先进的基金业绩评价方法对我国封闭式基金的综合业绩进行实证研究。研究结果表明:总体来看,基金获得的市场超额收益显著为负。基金经理不具有证券选择能力,但具有一定的市场择时能力,但这两种能力均不显著。同时,我们还发现不同投资风格的基金经理具有不同的证券选择能力和市场择时能力。  相似文献   
70.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号