绝缘层上半导体多晶膜激光再结晶临界条件

从理论的角度分析了绝缘衬底对其上面半导体多晶膜激光熔化再结晶过程的影响, 发现低导热的绝缘层使产生固一液相变的临界激光功率有明显的降低.用喇曼光谱测量了激光再结晶SOI层中的应力. 应力的出现是多晶膜内曾经发生过固一液相的佐证.从这一思想出发, 对LPCVD方法制备的大量SOI 样品进行激光再结晶临界条件的研究, 证明了忽略绝缘层低热导影响的模型不能解释实验结果, 而经过修正的公式则可以较好地拟合实验结果, 关键词：     

基于改善空间关联性的混沌控制

基于混沌信号的统计特性，提出了一种通过改善混沌信号的空间关联性实现混沌控制的方法.以Hénon离散混沌系统和四阶Chua's电路超混沌连续系统为例进行了数值研究，验证了这种控制方法的有效性.结果表明， 通过改善混沌信号之间的空间关联性， 混沌系统能以较快的速度收敛到它的平衡点或多种周期轨道. 关键词： 混沌控制 空间关联性 Hénon系统 四阶Chua's电路     

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术，得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱，加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA)，输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃，1.74μm激光器的特征温度T₀=57K，和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. 关键词： MOCVD InGaAs/InGaAsP 应变量子阱 分布反馈激光器     

超声波声孔效应中气泡动力学的研究

在超声快速制取组织细胞病理切片的过程中，发现激励信号对切片制取效果有明显的影响.为了掌握超声激励信号对组织细胞的影响规律，达到快速制取病理切片的最佳状态，从气泡空化模型入手，通过改变激励信号频率、声压、气泡初始半径和液体黏滞系数等参量，研究了声孔效应中气泡动力学激励机制.数值计算表明：空化泡振动随激励声压增强而升高，随液体黏滞系数增强而减弱；一定频率范围内空化泡振动能保持在膨胀、收缩和振荡的稳定空化状态，存在空化泡稳态振动的最佳激励频率；一定初始半径能保证空化泡产生稳定的振动，存在空化泡稳态振动幅度最大的初始半径.实际操作中，在频率、声压、初始半径和黏滞系数综合作用的若干空化阈内，声孔效应使超声快速法制取细胞组织切片获得最佳效果. 关键词： 声孔效应 超声空化 气泡振动 稳态空化域     

偶氮苯衍生物三阶非线性的四波混频研究

用皮秒Ｎｄ：ＹＡＧ激光器的倍频光（５３２ｎｍ）对具有离域π－共轭电子云结构的偶氮苯类样品材料作简并四波混频补给，测得三阶非线性电极化率ｘ＾（３）和它们的时间响应分别为１０＾－９ｅｓｕ和２０ｐｓ，并对影响ｘ＾（３）的瞬时光栅作用和ｘ＾（３）的响应时间人了讨论。     

声流现象的研究及其应用

本文从声流产生的机理出发，综合了影响声流的诸因素，介绍了声流现象的检测方法及声流效应的应用。     

Equivalent boundary integral equations for plane elasticity

Indirect and direct boundary integral equations equivalent to the original boundary value problem of differential equation of plane elasticity are established rigorously. The unnecessity or deficiency of some customary boundary integral equations is indicated by examples and numerical comparison.     

Thin strain-relaxed SiGe grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

Large-scale preparation of thin strain-relaxed SiGe is achieved by combining ion implantation and ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. The resulting materials were analyzed by double crystal X-ray diffraction, micro-Raman spectroscopy, and tapping mode atomic force microscope. Results revealed that 100-nm-thick Si_0.7Ge_0.3 layers with the diameter of 125 mm and full strain relaxation are successfully prepared by pre-modifying the Si substrates using 50 keV Ar⁺ ions. The strain relaxation is also disclosed to change with both ion species and energy. However, post-modification of SiGe by ion implantation will cause serious damage to the crystal structures, and result in the formation of poly-crystal SiGe.     

PIXE analysis of the Mn-doped content in Ga1-xMnxN film grown by LP-MOVPE

Summary Department of Technical Physics, School of Physics, Peking Unive     

电热泵用于蔬菜温室供热的经济性分析

现代化蔬菜温室是我国都市农业发展中的一个重要组成部分，目前这类温室的冬季加热均以燃煤方式为主．伴随着越加严重的城市环境污染，温室供热系统也面临着改造问题，需要引入清洁供热方式，热泵供热是其中的一种．本文以上海地区现代化蔬菜温室为研究对象，分析了蔬菜温室中使用电热泵供热的运行成本，并与燃煤供热方式进行了对比．就热泵供热系统在温室中的应用前景及可行性、经济性进行了分析，为热泵在温室供热系统中的应用提供了可参考依据．