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51.
对乙酰基偶氮氯膦与镧显色反应的研究及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了对乙酰基偶氮氯膦与镧的显色反应 ,在 0 .2 mol/L 盐酸介质中 ,有乙醇及吐温 - 80存在时 ,生成3∶ 1紫色络合物。 λmax=6 75 nm,ε=7.33× 1 0 4 L· mol- 1· cm- 1。采用双波长法 ,以 5 30 nm为参比波长 ,6 75 nm为测定波长 ,ε=9.2 0× 1 0 4 L· mol- 1· cm- 1 ,镧含量在 0— 37.5 μg/2 5 m L范围内符合比耳定律。本法用于电子工业钛酸镧烧结中游离氧化镧的测定 ,结果令人满意。 相似文献
52.
利用相位共轭技术补偿光纤中色散效应的条件 总被引:1,自引:0,他引:1
利用相位共轭器的频率反转特性的,补偿光纤中的色散效应,在理论上和实验上得到了证明.由色散脉冲的傅里叶交换确定了光纤中二次色散效应可以被忽略的条件,得到了共轭器的反射率和带宽与非线性介质的长度L,参数|K|L之间的关系曲线,找到了影响补偿效果的主要因素. 相似文献
53.
YAO Zhen-Zhi ZHANG Chun-Yi ZHU Hong-Wu MENG Xiang-Hua LU Xing SHAN Wen-Rui TIAN Bo 《理论物理通讯》2008,49(5):1125-1128
In this paper, we derive the bilinear form for a variable-coefficient Kadomtsev Petviashvili-typed equation. Based on the bilinear form, we obtain the Wronskian determinant solution, which is proved to be indeed an exact solution of this equation through the Wronskian technique. In addition, we testify that this equation can be reduced to a Jacobi identity by considering its solution as a Grammian determinant by means of Pfaffian derivative formulae. 相似文献
54.
采用二苯碳酰二肼为络合剂,正戊醇为萃取剂,乙醇为助溶剂,建立了微珠析相微萃取-石墨炉原子吸收法测定地质样品中痕量Cr的分析方法。实验详细探讨了微珠析相微萃取的析相条件、石墨炉原子吸收工作参数及共存离子的干扰,优化了体系萃取条件。实验结果表明:微珠析相微萃取既起到了分离富集的作用,在石墨炉升温程序中又起到了基体改进剂的作用;当萃取剂用量为0.2~1.5 mL时,使之与水完全互溶所需助溶剂体积约为水相体积的0.2~0.5倍;方法线性范围为0~10 μg·L-1,检出限为0.057 μg·L-1,相对标准偏差(RSD)为3.3%(c= 2.5 μg·L-1,n=11);当萃取剂用量为1.5 mL、水相体积15 mL时,与直接溶液进样相比其灵敏度可提高10倍。所建立的方法用于地质标准参考物质AGV-2和G-2中Cr的测定,测定值与参考值具有较好的一致性。 相似文献
55.
对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索。 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索, 确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度, 蚀刻出符合要求的管坑阵列, 为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础。 The 3 D structures in silicon are increasingly coming to use in many fields. For example, the high resolution X ray digital imaging detector can be made by coupling CCD and the scintillating screen which is made by the array trenches filled with CsI(Tl). In the present work, we explored the technology of etching micro array on the n type silicon with high resistance. By studying the relative parameters of anisotropic etching of KOH and electro chemical etching of HF, the optimized concentration of HF was determined and the micro pore array trenches with 200 μm in depth were realized. The results establish an experimental base for further fabrication of the scintillating screen. 相似文献
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在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究。通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系,并与Al掺杂和N掺杂的ZnO薄膜进行对比。实验结果表明,N掺杂的浓度高达1020cm-3;N-Al共掺杂极大地增加了ZnO的成核速率,其主要原因是N离化所起的作用;N-Al共掺的ZnO薄膜显示出p型性质,而N掺杂的ZnO薄膜由于N原子处于非激活状态而呈现高阻,这说明N-Al共掺杂对ZnO中N原子的活化起到一定作用。 相似文献
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