高分子电光材料在THz辐射源领域的研究进展

THz辐射以其独特的性质和广阔的应用前景正吸引着科学家们广泛的关注,选择综合性能优良的辐射源材料是THz科学技术发展的关键,高分子电光材料相对传统晶体具有许多无法比拟的优势,如电光系数高、相干长度大、无声子吸收带隙、设计灵活多样等,能获得响应强、频带宽、平坦连续的THz谱图,是一类极具研究价值的THz辐射源材料。本文在简要介绍THz辐射的基础上,综述了近年来高分子电光材料在THz辐射源领域的研究进展,对影响THz辐射信号的因素作了相应分析,并指出了目前存在的主要问题。     

光纤CAN总线接口设计

基于CAN控制器SJAl000提出了光纤CAN(Fiber—CAN)总线网络的设计方案。采用光纤作为传输介质提高电动汽车CAN通信网抗干扰能力。详细分析了双绞线CAN(Wire—CAN)总线的接口协议，设计了基于此协议的Fiber—CAN总线接口电路和相应的接口驱动，以及光纤CAN总线和双绞线CAN总线间转换接口。通过3个节点的Fiber-CAN总线组网，验证了接口协议和接口电路设计的正确性。     

施工项目技术经济综合管理研究

本文主要分析和总结了有关施工项目管理中的人力资源管理、施工质量控制、施工进度与成本控制、合同管理以及信息技术的应用等方面存在的突出问题以及科学、有效的解决办法,可为类似项目管理或研究提供参考．从对施工项目管理研究中得出的结论对加快施工进度、降低工程成本、提高工程质量具有重要的实际意义和广泛推广的经济价值．     

坛紫菜对干出和酸雨胁迫的生理响应

以坛紫菜为试验材料,研究不同强度酸雨(pH值分别为5.6、4.5、4.0、3.5)对坛紫菜生理特性的影响.试验中测定了坛紫菜细胞膜透性、抗氧化酶活性及叶绿素荧光参数等生理指标,以比较适当干出和完全浸泡、黑暗和光照条件下酸雨胁迫对坛紫菜生理特性的影响.结果表明:(1)经过不同方式处理的模拟酸雨处理后,适当干出处理的坛紫菜...     

氧化光栅型垂直腔面发射激光器的研究

通过分析矩形出光孔径和亚波长金属光栅结构,发现大孔径高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振控制的难点在于横模非常复杂。因此提出一种新型的氧化光栅型VCSEL结构,不仅能够很好地在有源区内引入各项异性的增益结构,并且最大的优势还在于能够完美地控制大孔径VCSEL的横模。通过有限元软件对器件有源区的电流分布进行了模拟,发现当光栅脊的宽度为1.8 μm时,载流子在光栅两端聚集的现象基本上可以消除,而且其电流密度分布差可以达到很高。     

二维铁电材料α-In2Se3 表面分子束外延生长Pb 纳米岛的STM 研究

铁电材料拥有自发电极化, 不同的极化方向会对异质结的电子结构产生可逆的和非易失性的影响. 本工作采用分子束外延技术在二维铁电材料α-In2Se3 衬底上成功制备了 Pb 纳米岛构建 Pb/α-In2Se3 超导铁电异质结,并通过扫描隧道显微镜表征了其表面原子结构与电子结构. 进一步的扫描隧道谱测量显示不同层厚 Pb 岛的量子阱态消失, 并且我们在4.5 K 的温度下没有观察到超导能隙, 表明铁电衬底会影响 Pb 岛的电子结构, 甚至其超导特性. 这些发现为理解铁电衬底对超导性的影响提供了参考, 并为调控低维量子材料中的电子结构及超导性提供了新的思路.     

血液接触生物材料的血液相容性评价研究进展

生物材料的血液相容性是决定该材料能否在临床成功应用的重要标准之一.当材料与血液接触后,会引起溶血、凝血和免疫等一系列反应,机制复杂且受多种因素影响.因此,在材料临床应用前需根据ISO 10993-4进行生物相容性评价,血液相容性评价是其中重要部分,但目前尚未形成统一的评价标准与评价体系.本文总结了近年对血液相容性评价的...     

In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-Al_xGa_(1-x)N激活能的影响

Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。     

GaN基p-i-n型雪崩探测器的制备与表征

制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器.器件在-5V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA.响应增益-偏压曲线显示,可重复的雪崩增益起始于80 V附近,在85 V左右增益达到最大为120,表明所制备的器件具有较好的质量.C-V测量用来确定载流子的分布和耗尽信息,结果显示,P型层在15 ...     

利用宇宙线对BESⅢ量能器CsⅠ（Tl）晶体探测器单元的测量

利用宇宙射线进行探测器模型的性能测试是高能物理普遍采用的方法，其中最重要的步骤之一就是确定宇宙线入射的准确位置和径迹．多数采用丝室探测器来进行宇宙线的精确定位，需要很高的造价和复杂的电子学系统．本文介绍一种简单的定位方法，采用塑料闪烁体条加波移剂光纤编码读出的方式，可以实现精度为1cm的定位．据此建立了一套实验装置，对BESⅢ电磁量能器CsⅠ（Tl）晶体探测器单元的光输出强度和不均匀性进行了测量．