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981.
本文对GaAs光电阴极片UHV系统中原子级表面清洁方法做了研究,它们是:光加热法、直接加热法、离子轰击加退火法、热子加热法,表面清洁效果用装于UHV系统中间在线俄歇检测,表面质量用Aa/GaAuger峰高进行比较,指出两种用于第三代象增强器光电阴极的表面清洁方法:CS-离子轰击加退火法和热子背加热法。 相似文献
982.
激光二极管泵浦的高重复频率Nd:YAG激光器 总被引:1,自引:1,他引:1
报道两个1.5W连续激光二极管端面泵浦的声光调QNd:YAG激光器,输出激光脉冲的最高重复频率为30kHz重复频率1kHz时,最窄脉宽为12ns,最高峰值功率为12.1kW。 相似文献
983.
984.
985.
986.
Y. H. Zhang X. H. Zhou Q. Z. Zhao X. F. Sun X. G. Lei Y. X. Guo Z. Liu X. F. Chen Y. T. Zhu S. X. Wen G. J. Yuan X. A. Liu 《Zeitschrift für Physik A Hadrons and Nuclei》1996,355(1):335-336
High spin states of the odd-odd162Lu nucleus have been studied via147Sm(19F,4nγ)162Lu reaction at 95 MeV beam energy. Level scheme for yrast band based onπ[h11/2 v[i13/2] quasiparticle configuration was established up to I π = (23?) for the first time. This band shows the signature inversion in energy before backbending generally appeared in this mass region. It is stressed that the signature splitting in162Lu is larger than that in the160Tm nucleus. 相似文献
987.
988.
利用广义不确定关系修正的态密度方程并采用Wentzel-Kramers-Brillouin(WKB)近似方法,计算了Reissner-Nordstrm-de Sitter(RNdS)黑洞时空中标量场的统计力学熵.结果表明,由这种方法得到的黑洞熵与它的内、外视界面积和宇宙视界面积之和成正比,这与采用其他方法所得的结果一致,从而揭示了黑洞熵与视界面积之间的内在联系,也进一步表明了黑洞熵是视界面上量子态的熵,是一种量子效应. 相似文献
989.
半导体纳米线作为纳米器件的作用区和连接部分具有理想的形状, 把电子运动和原子周期性限制在一维结构当中.通过体材料的已知特性, 有效地选择材料组分使纳米线的低维结构优点更加突出.此外, 还可以通过其他方式来调整纳米线特性, 如控制纳米线直径、晶体学生长方向、结构相、表面晶体学晶面和饱和 度等内部或固有的特性;施加电场、磁场、热场和力场等外部影响. 体材料InAs和GaSb的晶格常数非常相近, 因此InAs/GaSb异质结构晶格失配很小, 可生长成为优良的红外光电子材料.另外, 体材料InAs在二元III---V化合物半导体中具有最低的有效质量, 这使得电子限制在InAs层的InAs/GaSb超晶格具有良好的输运特性. 本文通过第一原理计算研究轴线沿[001]和[111]闪锌矿晶体学方向的 (InAs)1/(GaSb)1超晶格纳米线(下标表示分子或双原子单层的数量) 的结构、电子和力学特性, 以及它们随纳米线直径(线径约为0.5---2.0 nm)的变化规律.另外, 分析了外部施加的应力对电子特性的影响, 考察了不同线径(InAs)1/(GaSb)1超晶格纳米线的电子带边能级随轴向应变的变化, 从而确定超晶格电子能带的带边变形势. 相似文献
990.