首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   179433篇
  免费   874篇
  国内免费   262篇
化学   89524篇
晶体学   2635篇
力学   9377篇
综合类   7篇
数学   20911篇
物理学   58115篇
  2020年   1848篇
  2019年   2288篇
  2018年   3394篇
  2017年   3523篇
  2016年   4157篇
  2015年   1852篇
  2014年   3586篇
  2013年   7047篇
  2012年   5532篇
  2011年   6586篇
  2010年   5510篇
  2009年   5635篇
  2008年   6360篇
  2007年   6323篇
  2006年   5617篇
  2005年   4980篇
  2004年   4821篇
  2003年   4366篇
  2002年   4521篇
  2001年   4999篇
  2000年   3690篇
  1999年   2823篇
  1998年   2603篇
  1997年   2457篇
  1996年   2253篇
  1995年   2048篇
  1994年   2005篇
  1993年   2038篇
  1992年   2073篇
  1991年   2380篇
  1990年   2314篇
  1989年   2384篇
  1988年   2264篇
  1987年   2294篇
  1986年   2125篇
  1985年   2656篇
  1984年   2670篇
  1983年   2316篇
  1982年   2371篇
  1981年   2275篇
  1980年   2076篇
  1979年   2393篇
  1978年   2547篇
  1977年   2639篇
  1976年   2729篇
  1975年   2536篇
  1974年   2467篇
  1973年   2634篇
  1972年   2152篇
  1971年   1973篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 250 毫秒
901.
902.
High-accuracy film thickness measurements in the range below 100 nm can be made by various complex methods like spectral ellipsometry (SE), scanning force microscopy (SFM), grazing incidence X-ray reflectometry (GIXR), or X-ray fluorescence analysis (XRF). The measurement results achieved with these methods are based on different interactions between the film and the probe. A key question in nanotechnology is how to achieve consistent results on a level of uncertainty below one nanometre with different techniques.Two different types of thickness standards are realised. Metal film standards for X-ray techniques in the thickness range 10 to 50 nm are calibrated by GIXR with monochromatised synchrotron radiation of 8048 eV. The results obtained at four different facilities show excellent agreement. SiO2 on Si standards for SE and SFM in the thickness range 6 to 1000 nm are calibrated by GIXR with monochromatised synchrotron radiation of 1841 eV and with a metrological SFM. Consistent results within the combined uncertainties are obtained with the two methods. Surfaces and interfaces of both types of standards are additionally investigated by transmission electron microscopy (TEM). PACS 61.10.Kw; 68.55.Jk; 06.20.Fn; 06.60.Mr; 07.79.Lh  相似文献   
903.
V. I. Telnov 《Pramana》2007,69(6):1177-1179
One of the interaction regions at the linear colliders should be compatible both with e + e and γγ, γe modes of operation. In this paper, the differences in requirements and possible design solutions are discussed.   相似文献   
904.
A scheme for utilization of chloride solutions of complex composition with α-and β-activity of up to 35 and 28 kBq 1?1, respectively, is suggested.  相似文献   
905.
906.
A new mechanism of pulsed laser oscillation based on ion-ion recombination is proposed. The advantages of utilizing this mechanism in a pulsed mode are considered, and the expected characteristics of the proposed lasers are estimated.  相似文献   
907.
Kalvius  G. M.  Wagner  F. E.  Halevy  I.  Gal  J. 《Hyperfine Interactions》2003,151(1-4):195-207
Hyperfine Interactions - The YFe4Al8 and ErFe4Al8 intermetallics were studied by57Fe Mössbauer spectroscopy between 2 K and room temperature. The spectra are consistent with iron occupying 8f...  相似文献   
908.
A study is conducted of the relationship between the asymptotic behavior of a subharmonic function of finite order in a cone and the distribution of the measure associated with it.Translated from Ukrainskii Matematicheskii Zhurnal, Vol. 43, No. 2, pp. 247–261, Febraury, 1991.  相似文献   
909.
Possible orders and subgraphs of the fixed points of a distance-regular graph with the intersection array {8, 7, 5; 1, 1, 4} are found. It is shown that such a graph is not vertex-transitive.  相似文献   
910.
The instability of the rectilinear form of parallel weakly interacting dislocations, manifesting itself in their spontaneous wave-like bending, has been investigated. It is shown that softening of a crystal leads to the enhancement of this instability.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号