全文获取类型
收费全文 | 53164篇 |
免费 | 13131篇 |
国内免费 | 4400篇 |
专业分类
化学 | 53504篇 |
晶体学 | 591篇 |
力学 | 1717篇 |
综合类 | 303篇 |
数学 | 4320篇 |
物理学 | 10260篇 |
出版年
2024年 | 36篇 |
2023年 | 366篇 |
2022年 | 527篇 |
2021年 | 796篇 |
2020年 | 2000篇 |
2019年 | 3269篇 |
2018年 | 1667篇 |
2017年 | 1322篇 |
2016年 | 4158篇 |
2015年 | 4387篇 |
2014年 | 4517篇 |
2013年 | 5388篇 |
2012年 | 4615篇 |
2011年 | 4004篇 |
2010年 | 4159篇 |
2009年 | 4143篇 |
2008年 | 3735篇 |
2007年 | 2943篇 |
2006年 | 2600篇 |
2005年 | 2551篇 |
2004年 | 2188篇 |
2003年 | 1887篇 |
2002年 | 2593篇 |
2001年 | 1884篇 |
2000年 | 1697篇 |
1999年 | 755篇 |
1998年 | 363篇 |
1997年 | 357篇 |
1996年 | 288篇 |
1995年 | 244篇 |
1994年 | 228篇 |
1993年 | 165篇 |
1992年 | 114篇 |
1991年 | 131篇 |
1990年 | 112篇 |
1989年 | 78篇 |
1988年 | 76篇 |
1987年 | 64篇 |
1986年 | 51篇 |
1985年 | 38篇 |
1984年 | 31篇 |
1983年 | 32篇 |
1982年 | 31篇 |
1981年 | 21篇 |
1980年 | 20篇 |
1979年 | 9篇 |
1976年 | 8篇 |
1975年 | 12篇 |
1971年 | 4篇 |
1959年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
72.
73.
Wen Zhang Hui Huang Yu Ding Margherita Gavagnin Ernesto Mollo Guido Cimino Yue‐Wei Guo 《Helvetica chimica acta》2006,89(4):813-820
Three new polyoxygenated steroids, muricesteroid ( 1 ), and menellsteroids A ( 2 ) and B ( 3 ), were isolated from two species of the South China Sea gorgonian Muricella flexuosa and Menella verrucosa Brundin , respectively. The structures of these new compounds were elucidated on the basis of extensive spectroscopic analysis, chemical methods and comparison with known related compounds. 相似文献
74.
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析.
关键词:
微晶硅薄膜太阳电池
气体流量
ZnO/Ag/Al背反射电极 相似文献
75.
It is proved that the variety of relevant disjunction lattices has the finite embeddability property. It follows that Avron's relevance logic RMI min has a strong form of the finite model property, so it has a solvable deducibility problem. This strengthens Avron's result that RMI min is decidable. (© 2006 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) 相似文献
76.
以CF4和C6H6的混合气体作为气源,在微波电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜(aC:F),并在N2气氛中作了退火处理以考察其热稳定性.通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对含量和光学带隙,发现膜中CC键含量与光学带隙之间存在着密切的关联,在高微波功率下沉积的氟化非晶碳膜具有低的光学带隙和较好的热稳定性.
关键词:
氟化非晶碳膜
光学带隙
退火温度
热稳定性 相似文献
77.
78.
79.
80.
Let
d−1{(x1,…,xd)
d:x21+···+x2d=1} be the unit sphere of the d-dimensional Euclidean space
d. For r>0, we denote by Brp (1p∞) the class of functions f on
d−1 representable in the formwhere dσ(y) denotes the usual Lebesgue measure on
d−1,
and Pλk(t) is the ultraspherical polynomial.For 1p,q∞, the Kolmogorov N-width of Brp in Lq(
d−1) is given bythe left-most infimum being taken over all N-dimensional subspaces XN of Lq(
d−1).The main result in this paper is that for r2(d−1)2,where ANBN means that there exists a positive constant C, independent of N, such that C−1ANBNCAN.This extends the well-known Kashin theorem on the asymptotic order of the Kolmogorov widths of the Sobolev class of the periodic functions. 相似文献