全文获取类型
收费全文 | 85534篇 |
免费 | 18675篇 |
国内免费 | 9182篇 |
专业分类
化学 | 76332篇 |
晶体学 | 1076篇 |
力学 | 3872篇 |
综合类 | 535篇 |
数学 | 8005篇 |
物理学 | 23571篇 |
出版年
2024年 | 122篇 |
2023年 | 1051篇 |
2022年 | 1643篇 |
2021年 | 2118篇 |
2020年 | 3298篇 |
2019年 | 4551篇 |
2018年 | 2845篇 |
2017年 | 2575篇 |
2016年 | 5681篇 |
2015年 | 5993篇 |
2014年 | 6490篇 |
2013年 | 7981篇 |
2012年 | 7832篇 |
2011年 | 7207篇 |
2010年 | 6371篇 |
2009年 | 6445篇 |
2008年 | 6277篇 |
2007年 | 5067篇 |
2006年 | 4548篇 |
2005年 | 4101篇 |
2004年 | 3281篇 |
2003年 | 2783篇 |
2002年 | 3424篇 |
2001年 | 2568篇 |
2000年 | 2298篇 |
1999年 | 1303篇 |
1998年 | 757篇 |
1997年 | 696篇 |
1996年 | 621篇 |
1995年 | 530篇 |
1994年 | 464篇 |
1993年 | 399篇 |
1992年 | 338篇 |
1991年 | 280篇 |
1990年 | 267篇 |
1989年 | 177篇 |
1988年 | 156篇 |
1987年 | 122篇 |
1986年 | 122篇 |
1985年 | 94篇 |
1984年 | 56篇 |
1983年 | 63篇 |
1982年 | 34篇 |
1981年 | 33篇 |
1980年 | 23篇 |
1979年 | 47篇 |
1978年 | 25篇 |
1977年 | 29篇 |
1975年 | 24篇 |
1973年 | 19篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 203 毫秒
111.
112.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
113.
主成分分析在地区科技竞争力评测中的应用 总被引:16,自引:0,他引:16
近年来对于科技竞争力的研究在国内方兴未艾,其中对于科技竞争力的评测是众多学者研究的重点和热点,也是各级决策者最为关心、最为重要的课题之一。本文根据科技竞争力概念和内涵来确定评测指标体系的构成要素,建立了评测指标体系,并利用主成分分析方法对采集来的数据进行分析,得到最终的评测结果。 相似文献
114.
从点电荷的电势计算公式出发推导出了瓣形均匀带电面在其直径处的电势分布.进一步讨论了均匀带电半球面在其底面以及均匀带电球面内部和外部的电势分布. 相似文献
115.
116.
报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关. 相似文献
117.
118.
可变抽样区间的非参数控制图 总被引:1,自引:1,他引:0
最近几年一些学者研究了可变抽样区间的质量控制图。Amin等提出了可变抽样区间(VSI)的非参数控制图———符号 (Sign)统计量图〔1〕。本文在此基础上研究位置VSI符号控制图的制定方法 ,并设计离散VSI符号控制图。符号控制图的优点是对非正态总体亦可应用 ,并且不需要过程方差的信息。本文将所设计的VSI符号控制图同固定抽样区间 (FSI)的常规图作比较 ,并举实例说明符号控制图的应用 相似文献
119.
120.