Studies on self-pumped phase conjugation in Cu-doped (K0.5Na0.5)0.2(Sr0.61Ba0.39)0.9Nb2O6 crystals

The use of Cu-doped (K_0.5Na_0.5)_0.2(Sr_0.61Ba_0.39)_0.9Nb₂O₆ as self-pumped phase conjugators using internal reflection is reported. Reflectivities as high as 63% at 5145.5 nm and 60% at 632.8 nm were realized. It was found that the photorefractive response changes significantly at different doping concentration. The responses of the crystals to the laser wavelength, incident angle and dopant concentration are studied.     

人血清中几种元素的ICP－AES法测定

本文研究了应用ＩＣＰ－ＡＥＳ测定人血清中Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｚｎ、Ｋ、Ｐ六种元素的方法。将经前处理好的人血清中加入适当的硝酸－过氧化氢混合消解液，在消解罐中经高温、高压下，使其有效地消除血清复杂基体的干扰。选用美国ＩＣＡ９０００（Ｎ＋Ｍ）型仪器的工作条件。以国家标准物质研究中心的贮备液作标准。并采用日本人血清标准和我国ＧＢＷ０９１３１牛血清标准校准仪器。     

提高综合滤波器鉴别率的一种有效方法

提出一种提高综合滤波器鉴别率的有效方法，其做法是：对样本集在等相关峰条件下求解综合滤波器的同时，使样本集的互补样本满足零件相关峰条件，此方法把训练模式类同所有其它模式类在映射空间的距离拉大，有效地提高了综合滤波器的鉴别率，以取自同一手指纹为样本集，求解综合鉴别函数后，建立了指纹的实时模式识别系统，实验结果表明本文提出的改进方法对提高综合滤波器的鉴别率是非常有效的。     

系列柱形薄壁腔靶制备工艺研究

为了从实验上深入研究超热电子产生规律，从而减少或抑制超热电子对惯性约束聚变（ＩＣＦ）的危害，我们制备了一系列薄壁腔靶，以供实验研究。本文详细地描述了柱形薄壁腔靶的制备工艺。利用ＮＧ－１０４型精密单向纵切车床，采用金刚石刀具车削，提高心轴质量，表表粗糙度可达０．１μｍ。采用电镀和磁控溅射二种方法镀膜，为了使腔靶壁厚均匀，在镀膜时，必须使心轴匀速旋转。利用磁控溅射在腔靶外表面再涂上１μｍ左右厚的二氧化硅，以提高超薄壁腔靶的强度和自立能力。在腐蚀心轴时，必须仔细控制酸的浓度，防止在腐蚀时因产生气泡太多，太快而使腔靶破裂。用Ｘ射线照相法和扫描电子显微镜测量腔靶的几何参数。制备系列柱形薄壁腔靶达到指标为：壁厚范围２～３０μｍ，壁厚均匀性小于１０％，表面粗糙度０．２～０．３μｍ。最后介绍了在“神光Ⅰ”上打靶结果。结果表明，实验值与理论值符合较好。     

位相物体的暗场成像

本文介绍一种便于实现的位相物体暗场成像方法，并给出了实验结果．     

半无限晶体中慢速运动的表面极化子

本文研究电子与体纵光学声子耦合弱、与表面光学声子耦合强的半无限晶体中的表面极化子的性质.采用改进了的线性组合算符法和微扰法导出了半无限晶体中的慢速运动极化子的有效哈密顿量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收的不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了对有效哈密顿量,诱生势和有效质量的影响.对AgBr晶体进行了数值计算,结果表明反冲效应中发射和吸收的不同波矢的声子之间的相互作用对有效质量和诱生势的影响随耦合常数αt的增加而增加,对有效质量的影响随坐标z的增加而减小的更多,对诱生势的影响随z的增加而增加的更多.     

D-N交替法与Schwartz交替法的收敛关系分析

This paper has demonstrated that the Schwartz alternating process must converge if D-N alternating process has converged. Its technique is that the overlapping regions in Schwartz alternating process are considered as independent domains, then Schwartz alternating process could be transformed into D-N alter-nating process. Finally the convergence estimation of Schwartz alternating process could be obtained. The results show that its convergence rate is same as that of D-N alternating process.