N在Zn1-xBexO合金中热力学稳定性的第一性原理研究

采用第一性原理计算方法,通过改变Zn1-xBexO合金中Be的浓度及其掺杂位型,研究N在Zn1-xBexO合金中的形成能和受主离化能,分析了p型导电的可能性.结果表明:Be-N共掺杂时,N优先占据周围没有Be的O位置,每增加一个Be近邻掺杂原子,No的形成能增加约0.2 eV.当近邻Be原子数为2和3时,No的受主离化能比较低.Be浓度为11at;时,具有2个近邻Be原子的No的受主离化能降低至0.1 eV左右,可以认为是浅受主,Be-N共掺ZnO才可能呈p型导电.考虑No在室温条件下的受主离化率和No形成能的影响,估算出Be-N所提供的空穴载流子浓度不会高于1017 cm-3;如果计及n型背景载流子的补偿效应,Be-N共掺ZnO的p型导电率应该比较低.     

基于遗传算法的G蛋白偶联受体(GPCR)家族的分类预测研究

G蛋白偶联受体广泛参与各类生理活动的调控,目前市场上1/2的小分子药物均是以GPCR为药物靶标。由于G蛋白偶联受体晶体结构缺乏,采用理论方法对G蛋白受体耦合特异性进行分类预测在药物研发领域有着重要的学术和应用价值。因此,本文采用模式识别方法,基于GPCR序列,以伪氨基酸算法以及遗传算法为基础,用支持向量机方法建立了G蛋白偶联受体耦合特异性的预测模型,取得了可达82.5%的较高的预测准确度。     

等离子体原子发射光谱法研究纳米Al2O3材料对稀土离子(La3+、Eu3+和Yb3+)的吸附行为

采用等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)为检测手段,以纳米Al2O3为吸附材料,系统地研究了其在静态条件下对稀土离子(La3+、Eu3+和Yb3+)的吸附性能,确定了最佳吸附及解脱条件.实验结果表明,在pH=8.0～9.0范围内,分析物可被定量吸附,用1.0 mol·L-1盐酸溶液可将吸附的稀土离子完全解脱.本方法对La3+、Eu3+和Yb3+的检出限分别为10.2 ng·mL-1、5.2 ng·mL-1和1.7 ng·mL-1,相对标准偏差(RSD)分别为3.9%、4.2%和2.9%(n=11,c=0.5μg·mL-1).所得实验数据显示,该吸附材料的吸附容量比色谱用氧化铝高2～3倍.     

Foam/Film Alternating Multilayer Structure with High Toughness and Low Thermal Conductivity Prepared via Microlayer Coextrusion

Multilayer membranes prepared via microlayer coextrusion have attracted wide attention due to their unique properties and broad applications. In present study, the foam/film alternating multilayer sheets based on ethylene-vinyl acetate copolymer(EVA) and high-density polyethylene are successfully prepared via microlayer coextrusion. The cells in the sheets are single-cell-array along the foamed EVA layers with uniform cell size. In addition, the effects of layer number and foam relative thickness on morphology, mechanical properties, damping and heat insulation properties are investigated. The cell size decreases significantly with increasing layer number due to the enhanced confine effects. The tensile strength, elongation at break, and heat insulation also increase significantly. However, the mechanical damping properties change little in the observed frequency. Meanwhile, with higher relative thickness of EVA foam, the sheets have lower tensile strength and lower thermal conductivity, while the damping properties are enhanced in a specific frequency scope. The elongation at break of the optimized sample comes to 800% and the thermal conductivity decreases to 61 mW·m~(-1)·K~(-1), which shows high toughness and low thermal conductivity, indicating a possible method for preparing materials with high toughness and heat-insulating properties.     

3-羟基丙烯醛单键旋转异构光反应机理的从头算研究

应用从头算分子轨道法分别在RHF/6-31G**和UHF/6-31G**水平上对3腔┤┓肿拥幕?S0)和三重激发态(T1)单键旋转异构反应机理进行了研究,优化出反应物和产物在S0态和T1态的4种平衡态和过渡态的几何构型,通过振动分析得到的虚频和计算的内禀反应坐标对过渡态进行了确认,并得到了零点能,根据基态和激发态反应途径分析了光反应机理。计算结果表明,基态和激发态的3腔┤┓肿拥ゼ旃狗从ξ焕萁系停嘏湃菀追⑸永砺凵涎橹ち斯夥从κ笛橹屑钢忠旃固宓拇嬖凇?     

A／W生物活性微晶玻璃的制备

生物活性玻璃陶瓷材料由于能够与活体组织自发产生紧密的化学键合而成为骨修复材料中的重要分支,其中A／W生物微晶玻璃更是由于在保持良好生物活性的基础上,力学性能接近甚至超过自然骨而作为承重的生物活性材料应用于临床。采用正硅酸乙酯和磷酸三乙酯,利用溶胶-凝胶法制备玻璃粉体,这种玻璃粉体经过一定的热处理工艺可以得到含有磷灰石和硅灰石的A／W生物微晶玻璃。     

糖尿病大鼠微量元素与动脉血栓形成的关系

为研究糖尿病大鼠微量元素的含量变化及其与动脉血栓形成的关系,用链脲佐菌素（STZ）诱导出糖尿病大鼠模型,三氯化铁（FeCl3）造颈总动脉血栓后,测定血糖、胰岛素（INS）、6-酮-前列腺素F1α（6-K-PGF1α）、血栓素B2（TXB2）、内皮素（ET1）以及全血微量元素镁、锌含量。结果表明,①与正常对照组比,糖尿病大鼠的血糖、TXB2、ET1和锌的含量、ρ（TXB2）／ρ（6-K-PGF1α）、（T／P）比值及血栓质量增加（P〈0．05）,INS含量降低（P〈0．001）,镁和6-K-PGF1α含量无改变（P〉0．05）;②糖尿病组的TXB2与糖、锌（P=0．001）、胰岛素正相关（P=0．003）,ET1仅与锌正相关（P=0．096）,6-K-PGF1α与镁、锌无相关关系。提示：①糖尿病大鼠血管内皮功能受损,血液处于T／P失衡的高凝状态,更易形成动脉血栓;②糖和锌代谢紊乱在T／P失衡和内皮功能损伤中有重要作用。     

405 nm成像体系用三嗪类光生酸剂的制备、性质和应用研究

制备了5种三氯甲基取代的三嗪类光生酸化合物,其结构经1HNMR、IR等分析确认,分别考察了它们在有机溶剂中的溶解性,通过TG测定确定了其热分解性能,并测定了它们的紫外可见吸收光谱,以及对在405、365 nm光源下的光分解及产酸性能进行了研究.成像实验表明,它们可用于405 nm的成像组成物中.     

荧光猝灭法测定超氧阴离子自由基的研究

合成了一种新的荧光探针试剂香草醛缩苯胺,利用元素分析、红外光谱等手段对探针试剂进行结构表征;结合邻苯三酚的自氧化作用,建立了一种荧光法测定超氧阴离子自由基(O_2~(-·))的新方法.该方法具有操作简单、灵敏度高和选择性好等特点.邻苯三酚线性范围为4.0×10~(-6)～1.0×10~(-5) mol·~(-1).检出限为2.0×10~(-7) mol·~(-1).方法用于大蒜等样品中超氧化物歧化酶(SOD)活性检测,结果满意.     

新型芯片电泳柱端安培检测系统的构建与评价

自行设计开发了一套便于与电泳芯片集成的一体式柱端安培检测池系统．该系统由整块透明有机玻璃精密加工而成,包括电泳芯片支架和安培检测池两部分,芯片可通过芯片插槽和不锈钢夹具固定在芯片支架上,各种检测用电极可直接通过螺母固定在安培检测池中．以100μmol／L的DA为模式分析物,分别采用直径为100、300和500μm的铂金圆盘电极与表观直径为240μm的碳纤维电极作为工作电极均在该装置上实现了良好组装和高灵敏检测．采用碳纤维工作电极对该系统的检测参数进行了优化．测试结果表明该系统在电化学清洗程序下连续六次测定100μmol／L多巴胺的峰电流相对标准偏差为3．2％,保留时间相对标准偏差为0．5％,DA的检测限为0．4μmol／L（按照S／N=3计）．该系统体积小巧,测试稳定,检测灵敏度较高,工作电极更换方便,适合作为芯片电泳柱端安培检测通用平台．