首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   533篇
  免费   135篇
  国内免费   169篇
化学   286篇
晶体学   50篇
力学   44篇
综合类   17篇
数学   112篇
物理学   328篇
  2023年   3篇
  2022年   16篇
  2021年   17篇
  2020年   17篇
  2019年   14篇
  2018年   12篇
  2017年   20篇
  2016年   17篇
  2015年   24篇
  2014年   38篇
  2013年   37篇
  2012年   40篇
  2011年   50篇
  2010年   50篇
  2009年   45篇
  2008年   57篇
  2007年   43篇
  2006年   57篇
  2005年   70篇
  2004年   30篇
  2003年   21篇
  2002年   20篇
  2001年   16篇
  2000年   17篇
  1999年   12篇
  1998年   4篇
  1997年   6篇
  1996年   11篇
  1995年   5篇
  1994年   4篇
  1993年   7篇
  1992年   3篇
  1991年   3篇
  1990年   2篇
  1989年   2篇
  1988年   5篇
  1987年   5篇
  1986年   3篇
  1985年   2篇
  1984年   5篇
  1983年   5篇
  1980年   2篇
  1979年   2篇
  1978年   2篇
  1965年   2篇
  1964年   3篇
  1963年   1篇
  1962年   3篇
  1961年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有837条查询结果,搜索用时 140 毫秒
41.
蒲敏  李志宏  吴东  孙予罕 《结构化学》2002,21(4):405-409
应用从头算分子轨道法分别在RHF/6-31G**和UHF/6-31G**水平上对3腔┤┓肿拥幕?S0)和三重激发态(T1)单键旋转异构反应机理进行了研究,优化出反应物和产物在S0态和T1态的4种平衡态和过渡态的几何构型,通过振动分析得到的虚频和计算的内禀反应坐标对过渡态进行了确认,并得到了零点能,根据基态和激发态反应途径分析了光反应机理。计算结果表明,基态和激发态的3腔┤┓肿拥ゼ旃狗从ξ焕萁系停嘏湃菀追⑸永砺凵涎橹ち斯夥从κ笛橹屑钢忠旃固宓拇嬖凇?  相似文献   
42.
探索薄膜电导率法总有机碳分析仪的校准方法.对薄膜电导率法总有机碳分析仪的性能参数进行调查统计,从示值误差、测量重复性、线性误差、检出限和记忆效应5个方面对仪器进行校准.采用500μg/L的蔗糖标准溶液、响应值分别达量程50%、80%对应的蔗糖溶液,以测量值的相对误差最大者作为仪器的相对示值误差,该项建议值为±10%;以...  相似文献   
43.
研究了Er∶Yb∶YCa4O(BO3)3(简称Er∶Yb∶YCOB)的多晶制备和单晶生长,用提拉法生长出光学质量优良的Er∶Yb∶YCOB单晶,测量了其吸收光谱和荧光光谱,分析了其能级和泵浦原理,并进行了以激光二极管为抽运源的激光试验,实现了Er∶Yb∶YCOB晶体的在1.55μm附近110mW的激光输出,且斜效率达18.9;.  相似文献   
44.
为了改善GaN HEMT的自热效应,集成高热导率的金刚石衬底有助于增强器件有源区的热量耗散。然而,化学气相淀积(CVD)生长的多晶金刚石(PCD)具有柱状晶粒结构,导致了各向异性的材料热导率,且其热导率值与生长厚度有关。为此,通过建模金刚石生长过程中晶粒尺寸的演变过程,计算了金刚石沿面内和截面方向的热导率。基于该PCD热导率模型,利用计入材料非线性热导率的GaN器件热阻解析模型,计算得到了GaN HEMT沟道温度的波动范围,并分析了其与器件结构(栅长、栅宽、栅间距、衬底厚度)和功耗的依赖关系。最后,通过与有限元(FEM)仿真结果对比,分区域提取了GaN HEMT器件中PCD衬底的有效热导率,分别为260~310 W/(m·K)和1 250~1 450 W/(m·K)。本文的计算为预测金刚石衬底上GaN HEMT器件的沟道温度提供了快速、有效的方法。  相似文献   
45.
碳基和氮化物基涂层的摩擦-腐蚀交互行为的原位研究   总被引:1,自引:3,他引:1  
海洋装备大量关键金属运动部件同时承受摩擦与腐蚀作用,其表面防护涂层在海水环境下的抗磨擦-腐蚀性能成为考察涂层性能优劣的关键.本文中采用摩擦-腐蚀试验机原位实时监测了DLC、Cr-DLC、Cr N与Ti N四种涂层与氧化铝陶瓷摩擦副在人工海水环境下的开路电位和摩擦系数等腐蚀-磨损特性,并采用动电位扫描法测试了四种涂层在腐蚀和摩擦-腐蚀过程中的电化学行为,综合分析了涂层在海水介质中的磨损-腐蚀交互机制.研究结果表明:非晶结构的碳基涂层在海水介质中具有优异的抗腐蚀和抗摩擦-腐蚀性能,其中金属铬的掺入能够进一步提高DLC涂层的抗摩擦-腐蚀性能;而氮化物基涂层的粗大柱状晶结构显著削弱了其在海水环境中的抗摩擦-腐蚀性能.  相似文献   
46.
针对RV减速器角接触球轴承承受预紧力、轴向力和径向力等联合外载荷作用的工况,分析得出了内、外圈滚道接触界面的接触区几何参数和接触载荷.在此基础上,综合考虑了角接触球轴承的接触区宏观几何、接触载荷、真实表面粗糙度、瞬态效应等因素,建立了角接触球轴承混合润滑数学模型,分析了在不同工况下角接触轴承的润滑状况及表面以下应力分布.结果表明:随着载荷的不断增加,钢球与内圈沟道之间的油膜厚度会不断减少,导致干接触面积迅速扩大,接触点表面以下最大应力增大;转速的增加会使油膜变厚,干接触面积缩小.该结果对角接触球轴承的实际工程应用具有重要借鉴意义.  相似文献   
47.
应用各种数值计算方法及计算处理技术,编制程序实现了对弹体入水后爆炸问题全过程的数值模拟.其中弹体与水,爆轰产物气体与弹壳之间的相互作用通过流固耦合技术来描述;水面与空气、爆轰产物与水、空气之间的相互作用采用VOF方法(Volume-of-Fluid)来描述;采用了刚体-柔体转换、单元失效删除等计算技术以更高效、更好地模...  相似文献   
48.
采用熔融法熔制具有金色星点的微晶玻璃,制备过程无需热处理.利用DSC-TG、XRD、SEM、EDS、TEM、BSE、FTIR和热膨胀研究该微晶玻璃配合料的高温熔制过程和不同熔制温度、保温时间对微晶玻璃晶体含量、显微结构和性能的影响.研究表明:配合料在850℃生成钙铝黄长石晶体并在1010℃逐渐转变为辉石,配合料在1200℃时大量熔化,仅含有熔点较高的正方铬铁矿石,随着温度的升高,正方铬铁矿溶解,玻璃液中析出绿铬石晶体;晶体含量随着熔制温度的升高而减少,随着保温时间的延长而增加.  相似文献   
49.
In this work,a fluorescent probe(TPEBe-I)was developed for adenosine triphosphate(ATP)detection based on the synergetic effect of aggregation-induced emission and counterion displacement.TPEBe-I gave weak emission in aqueous solution due to the heavy-atom effect of counter iodide ion.However,upon the addition of ATP,the new aggregate complex(TPEBe-ATP)was formed between the cationic unit of TPEBe-I and ATP through electrostatic interactions,which not only restricted the intramolecular motion of luminogen but also eliminated the quenching effect of iodide ion.As a result,the fluorescent light-up detection for ATP was successfully achieved.Moreover,TPEBe-I exhibited high selectivity towards ATP and showed a wide linear detection region towards the logarithm of ATP concentration(5—600μmol/L)with a detection limit of 1.0μmol/L,enabling TPEBe-I as a promising probe for ATP quantitative analysis.  相似文献   
50.
罗宏  蒲志林  陈光淦 《应用数学》2002,15(4):140-146
本文考虑了反应扩散方程的渐近吸引子,即构造了一个有限维解序列。首先利用数学归纳法证明了该解序列不会远离方程的整体吸引子,其次证明了它在长时间后无限趋于方程的整体吸引子,并且给出了渐近吸引子的维数估计。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号