电磁辐射作用于计算机主板的模拟及效应评估

 提出了一种电磁辐射（EMR）效应评估的方法：通过区域分解并且引入子域敏感因子,采用电场强度的加权平均作为EMR效应评估的参考指标。以一款普通计算机主板作为研究对象,使用时域有限差分法（FDTD）进行模拟计算,得到了EMR作用下计算机主板耦合的电磁场分布。基于该效应评估方法,比较了3~12 GHz 的平面电磁波在0°~90°入射时对计算机主板的效应。数值模拟结果表明：随着平面电磁波入射角度的增加,EMR对计算机主板的影响趋于减弱;EMR频率的变化对效应没有显著影响。当EMR入射角度为40°时,最高主板表面耦合的电场强度达到最大值;0°入射时,主板上平均电场强度达到最大值;随着入射EMR频率的升高,主板表面的最大电场强度趋于减弱。     

纳米氧化铝对As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的吸附行为研究

以HG-ICP-OES为检测手段,研究了纳米氧化铝对As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的吸附行为,据此建立纳米氧化铝微柱分离富集与HG-ICP-OES联用测定环境水样中痕量总As的新方法。     

一类基于苝酰亚胺和亚苯基亚乙炔基交替共轭聚合物的合成与表征

以1,7"bay"位置溴化苝酰亚胺为电子受体、低聚亚苯基亚乙炔基(OPE)为电子给体,通过Sonagashira反应制备了一系列不同OPE含量的具有p-n结构主链全共轭交替聚合物,并对其光物理和电化学性质进行了表征.紫外-可见吸收光谱表明,聚合物具有较宽的光吸收范围(350~900 nm),有利于提高体系的光吸收效率;荧光光谱实验发现,对苝酰亚胺单元进行选择性激发,产生由分子内电荷分离所导致的荧光猝灭现象,为该材料应用于光伏器件提供了理论和实验依据.     

低温热处理温度对SiC衬底上CuAlO2薄膜特性的影响

为了解决双极型碳化硅(SiC)功率器件中由于p型SiC在室温下难以完全电离所导致的p+n发射结注入效率低的问题,提出将p型CuAlO₂与n型SiC形成的异质结作为发射结以提高该结的注入效率。本文利用溶胶凝胶(sol-gel)方法,在4H-SiC衬底上制备了CuAlO₂薄膜,研究了低温热处理温度对CuAlO₂薄膜晶体结构、表面形貌、光学特性的影响。结果表明:较高的热处理温度可以促进中间产物CuO的生成,进而在固相反应阶段促进CuAlO₂相的产生,最终制备的CuAlO₂薄膜主要以CuAlO₂相的(012)晶向择优取向。随着低温热处理温度的升高,薄膜的表面均匀致密,空位缺陷含量降低,结晶质量提高。当低温热处理温度为300 ℃时,CuAlO₂薄膜晶粒尺寸约为35 nm。此外,CuAlO₂薄膜在可见光范围内的透过率超过70%,且随着预处理温度升高,薄膜光学带隙略有增加。     

1维部分相干光束的Z扫描理论分析

 对使用高斯-谢尔模型光束的Z扫描做了理论分析,研究了光阑半径和空间相干度变化对Z扫描曲线的影响。研究发现：随着光阑半径的变大,Z扫描峰谷透过率之差逐渐减小直至为零,其作用效果与完全相干光一致;随着空间相干度的增加,峰谷透过率之差也逐渐增大,当空间相干度大于某一定值后,峰谷透过率之差达到饱和不变。部分相干光束的Z扫描实验为测量其空间相干度提供了一种可行的方法。     

微型计算机微波辐照效应的实验研究

 微波辐照频率为1.2~2.0 GHz时,利用宽带天线对微型计算机主板进行微波辐照,考察了微波辐照载波频率、调制方式和调制深度对微波辐照效应的影响,得到了计算机分别处于满负荷工作、内存读写操作、磁盘读写操作和系统空闲4种工作状态下的微波辐照干扰功率阈值。实验结果表明：微波辐照的载波频率为1.47 GHz时,辐照干扰功率阈值最低,为32.7 dBm,计算机最易被干扰;瞬时功率是干扰微型计算机的关键参数,调制方式、调制频率和深度对微波辐照干扰功率阈值影响不大;处于高负荷工作状态的微型计算机更易于被微波辐射干扰;计算机启动的干扰功率阈值为32.0 dBm,小于正常工作状态时的阈值。     

芴酮对聚醚侧链聚芴体系的影响:合成,表征及光物理性质的研究

利用Yamamoto聚合反应, 通过调节单体2,7-二溴9,9'-二-(三乙氧基甲基)芴和2,7-二溴芴酮的比例, 合成了侧链为极性聚醚链, 芴酮含量逐渐增加的聚芴系列. 通过聚合物溶液及固态薄膜的紫外荧光谱图, 深入研究芴酮作为能量受体的能量转移过程及其对聚合物光物理性质的影响. 结果表明: 稀溶液中体系呈现聚芴本征态的荧光发射, 能量转移对溶液浓度具有依赖性; 固态薄膜中能量转移效率随芴酮含量的增加而快速增长, 退火后这种现象更加明显.     

铱催化的MBH乙酸酯与吲哚酮类化合物的烯丙基化反应

研究了一种新的铱催化的Morita-Baylis-Hillman(MBH)乙酸酯与3-苯基取代的吲哚酮的烯丙基烷基化反应,发现铱催化的区域选择明显不同于钯催化的反应,直接、高效地合成了一类未见报道的具有新结构的3,3-二取代的吲哚酮类化合物.通过对亚磷酰胺、双膦及单膦等配体、金属源、溶剂、碱以及反应温度的筛选,获得了适合该反应的催化体系及最优条件:以[Ir(COD)Cl]₂(摩尔分数5%)和亚磷酰胺配体(L6,摩尔分数10%)为催化剂, CH₃CN为溶剂, Cs₂CO₃为碱,于-30℃反应25 h.在最优条件下,对不同类型取代基的底物进行了考察,发现底物普适性良好,产率最低为84%,最高可达98%.同时还发现,底物取代基的电性对反应产率影响不大,一些其它类型的双膦和单膦配体对催化反应也有较好的催化效果.     

长为{3,4,5}的完备删位纠错码的组合构造

本文研究了混合长度的删位纠错码的构造问题.利用组合设计的方法构造了长为{3,4,5}的完备删位纠错码T(2,{3,4,5},v),当v为正整数且v≠8时,得到了所有的T(2,{3,4,5},v)-码,并给出码字总数的一个上界,T(2,{3,4,5},v)-码的构造推广了长度为单一值的删位纠错码的构造结果.