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51.
WANG Ling ZHANG Xiao-xia YUAN Hong-ming CHEN Yan DONG Zhong-ping PANG Guang-sheng FENG Shou-hua 《高等学校化学研究》2008,24(1):1-3
Cu2O particles with different morphologies and scales were prepared sonochemically on the solid-liquid interface of CuCl and water, by adjusting the reaction factors. The products were characterized by powder X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy(SEM). The formation and morphology of Cu2O crystals were influenced by high-intensity ultrasound, reaction temperature, and addition of CuCl. The results indicate that micrometer Cu2O was crystallized in cubic and octahedral shapes, whereas, nanometer Cu2O was not produced in well-shaped crystals. 相似文献
52.
53.
大肠杆菌HB101感受态细胞的显微观察与分析 总被引:2,自引:1,他引:2
对数生长前期的大肠杆菌在生理盐水中用CaCl2可以直接诱导建立感受态并完成转化过程。利用H-8100透射电子显微镜观察用CaCl2直接在生理盐水中诱导建立感受态的大肠杆菌细胞,发现感受态细胞整体电子密度趋于均匀,但存在有电子密度较高颗粒,表明大肠杆菌感受态建立过程中,细胞整体对电子通透性增强,可能存在涉及细胞膜通透性的复合物重新形成相关的胞内物质代谢及其在细胞内定位的受控改变,暗示大肠杆菌可能具有建立自然感受态的能力。 相似文献
54.
总悬浮物(TSM)是海洋水质和水环境评价的主要参数之一。舟山海域位于杭州湾边缘,泥沙含量多,总悬浮物长期处于高浓度状态,其分布与动态变化对近岸水质、水循环以及该区域的渔业、旅游业都有较大影响。Landsat-8卫星影像作为一种应用广泛、空间分辨率高、便于获取的光学信息,可以为舟山海域的TSM观测提供有力的技术手段。利用舟山近岸海域实测TSM吸收系数ap(440)和水面光谱,开发了基于Landsat-8反演TSM的最优模型,发现基于近红外和蓝色波段比B5/B2的S-函数和线性函数模型反演精度较好,相对于线性模型,S-函数具有更强的鲁棒性,该模型形式为ap=3.72/(0.009+e-5.249B5/B2),克服了常用函数模型(如线性、对数、指数函数)应用于实际卫星影像时出现光谱幅度范围受限的困难。海岸带内陆复杂水体水色遥感的另一难点是大气校正,以往的研究往往只采用某种大气校正模型,但该模型不一定适合研究水域,从而使得校正结果并不一定是最优的。在本研究中,验证比较了FLAASH,6S和ACOLITE三种大气校正方法面向Landsat-8水色反演的校正结果,发现ACOLITE方法获取的光谱形状最准确,误差最小,特别在蓝色波段,明显好于FLAASH和6S方法。将最优模型应用于舟山近岸海域2013到2018年的10幅Landsat-8图像。实测数据和反演结果显示:舟山近岸海域的TSM吸收系数ap(440)的变化范围在1.64~417.04 m-1,均值118.47 m-1,TSM吸收占水体总吸收的90%以上,该海域实测的水面光谱形状呈现典型的河口海岸带复杂浑浊水体的光谱特征,很多光谱曲线具有双峰特征,遥感反射率幅值较大,特别是红色、近红外波段,由于受河口高浓度TSM的影响,遥感反射率高于远海较清洁的海水;衢山、洋山、宁波等近岸区域的TSM浓度明显高于东极、嵊泗等远海区域,随河口羽化区呈现由高到低的梯度变化,在近岸区域分布复杂,外海区域分布较为均匀。在时间分布上具有冬季浓度远高于夏季的特点,其中12月最高,最大值为413.32 m-1,8月最低,最小值为3.69 m-1,5月、10月期间也有TSM的局部峰值。这些TSM时空变异特征表明舟山海域悬浮物的分布和变化一方面受地形、海流、潮汐、季风、台风等自然环境因素的影响,另一方面也受如海运、港口建设、海岛旅游等人类活动的较大影响。 相似文献
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56.
57.
庞小峰 《原子与分子物理学报》2002,19(3):319-326
ATP水解作用所释放的能量能引起蛋白质分子中额外电子的激发,其激发与氨基酸残基晶格畸变相互作用,使额外电子自陷成孤子,这孤子在附着有供体(D)和受体(A)的蛋白质分子中运动时,由于孤子与供体电子的相互作用而"自局域"在孤子上进行迁移,从而可把电子供给受体.使用作者提出的孤子理论研究了这种迁移的特征,计算了在这种非平衡态过程中由孤子迁移电子的速率和动能系数,得到了一些有趣的结果,揭示了这种迁移的本质,求得了迁移的大小. 相似文献
58.
CdS/TiO2/漂珠复合光催化剂制备及其降解高效氯氰菊酯研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶-浸渍法制备了Cds/TiO2/漂珠复合光催化剂,通过SEM,XRD对其结构进行了表征.以高效氯氰菊酯(BEC)杀虫剂的光催化降解为模型反应,研究了CdS/TiO2/漂珠的光催化性能,探讨了影响催化剂活性的因素及采用太阳光作光源处理BEC的可行性.结果表明,CdS/TiO2/漂珠投加量为3 000mg·L-1,初始浓度为45 mg·L-1、初始pH为6.5,通气量为200 mL·min-1时间为60 min,BEC降解率分别为92.1%(125W高压汞灯)和79.3%(5 W紫外灯),采用太阳光照射300 min,BEC降解率可达93.4%.BEC的降解反应遵从L-H动力学模型,测得反应速率常数9.80 mg·(L·min)-1,吸附常数4.36×10-3 L·mg-1. 相似文献
59.
An All-Solid-State Tunable Dual-Wavelength Ti:Sapphire Laser with Quasi-Continuous-Wave Outputs 下载免费PDF全文
A high power dual-wavelength Ti:sapphire laser system with wide turning range and high efficiency is described, which consists of two prism-dispersed resonators pumped by an a11-solid-state frequency-doubled Nd:YAG laser. Tunable dual-wavelength outputs, with one wavelength range from 750nm to 795nm and the other from 80Ohm to 850nm, have been demonstrated. With a pump power of 23 W at 532nm, a repetition rate of 6.5kHz and a pulse width of 67.6ns, the maximum dual-wavelength output power of 5.6 W at 785.3nm and 812.1 run, with a pulse width of 17.2ns and a line width of 2nm, has been achieved, leading to an optical-to-optical conversion efficiency of 24.4%. 相似文献
60.
The electronic band structures of wurtzite GaN with Ga and N vacancy defects are investigated by means of the first-principles total energy calculations in the neutral charge state. Our results show that the band structures can be significantly modified by the Ga and N vacancies in the GaN samples. Generally, the width of the valence band is reduced and the band gap is enlarged. The defect-induced bands can be introduced in the band gap of GMV due to the Ga and N vacancies. Moreover, the GaN with high density of N vacancies becomes an indirect gap semiconductor. Three defect bands due to Ga vacancy defects are created within the band gap and near the top of the valence band. In contrast, the N vacancies introduce four defect bands within the band gap. One is in the vicinity of the top of the valence band, and the others are near the bottom of the conduction band. The physical origin of the defect bands and modification of the band structures due to the Ga and N vacancies are analysed in depth. 相似文献