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101.
102.
Hyperfine Interactions - Perovskite-related phases of the type LaFe1?x Co x O3 (x=0 and 0.5) have been synthesised by milling techniques. The materials are of smaller particle size and more...  相似文献   
103.
The main purpose of this paper is to use the generalized Bernoulli numbers, Gauss sums and the mean value theorems of Dirichlet L-functions between a quadratic residue and its inverse modulo p value formula. to study the asymptotic property of the difference (a prime), and to give an interesting hybrid mean  相似文献   
104.
Within the framework of Feynman-Haken path integral theory, we calculate the ground-state energy of two-dimensional polarons in asymmetric quantum dots for arbitrary electron-phonon coupling constants. From a general three-dimensional Hamiltonian, some interesting problems, such as polarons in quasi-one-dimensional quantum wires and quasi-zero-dimensional asymmetric or symmetric quantum dots can be easily discussed only by taking different limit in the whole coupling regime. After the numerical calculation, we find that the relative polaronic correction increases monotonically with the decrease of effective dot size, and it becomes more pronounced with increasing dimension and asymmetry. Moreover, despite the insensitivity of relative polaronic enhancement to the variation of coupling constant at weak coupling, the correction is related to the coupling constant as the latter becomes larger.  相似文献   
105.
In this paper, the pulsed injection method is extended to measure the chip temperature of various packaged laser modules, such as the DFB laser modules, the FP laser modules, and the EML laser modules. An optimal injection condition is obtained by investigating the dependence of the lasing wavelength on the width and period of the injection pulse in a relatively wide temperature range. The small-signal frequency responses and large-signal performances of packaged laser modules at different chip temperature are measured. The adiabatic small-signal modulation characteristics of packaged LD are first extracted. In the large-signal measurement, the effects of chip temperature, bias current and driving signal on the performances of the laser modules are discussed. It has been found that the large-signal performances of the EML modules depend on the different red-shift speeds of the DFB and EAM sections as chip temperature varying, and the optimal characteristics may be achieved at higher temperature.  相似文献   
106.
In this paper, we prove a sharpening of large deviation for increments of Brownian motion in (p,r)-capacity and Hölder norm case. As an application, we obtain a functional modulus of continuity for (p,r)-capacity in the stronger topology.  相似文献   
107.
108.
This paper describes a simple hydrothermal procedure for high-yield synthesis of single-crystalline ZnO hexagonal nanoplates in a surfactant-free system at 70 °C. The structures and morphologies of the synthesized ZnO nanoplates are derived from characterisation by X-ray diffraction, and scanning and transmission electron microscopy. Their optical properties are recorded by Raman and photoluminescence spectroscopy. These ZnO hexagonal nanoplates exhibit the enhanced photocatalytic activity of phenol photodecomposition, suggesting that they could be served as an active system for the treatment of the waste water, in addition to their common applications. PACS 81.10.Dn; 61.10.Nz; 68.37.Hk; 78.55.Hx  相似文献   
109.
应用改进的量子分子动力学模型,在严格挑选初始核考虑弹靶结构效应的基础上,研究了近垒和垒上融合反应40,48Ca+90,96Zr. 研究表明: 4个反应的理论计算截面与实验值很好符合; 丰中子反应40Ca+96Zr的垒下融合截面比其他3个反应有明显增强的现象.为了理解丰中子反应40Ca+96Zr与40Ca+90Zr相比垒下融合截面增强,而Ca+96Zr垒下融合截面没有明显增强的原因, 进一步分析了484个反应的融合位垒,中子转移与融合位垒的关系、中子转移与Q值的关系,结果表明: 正反应Q值会引起核子(特别是中子)转移的增强,从而导致动力学融合位垒的下降和垒下融合截面增强.  相似文献   
110.
萨宁  康晋锋  杨红  刘晓彦  张兴  韩汝琦 《物理学报》2006,55(3):1419-1423
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词: 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型  相似文献   
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