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11.
12.
自抗扰控制技术在捷联惯导动基座初始对准中的应用研究 总被引:1,自引:1,他引:1
提出并设计了应用自抗扰控制技术(ADRC)的捷联惯性系统动基座初始对准方案。通过数字仿真,将卡尔曼滤波与自抗扰控制的性能进行了详细的比较,证明该方法具有对准时间快,精度高,抗干扰能力强等特点。 相似文献
13.
针对副热带高压的动力预报模型难以准确构建的困难,基于T106数值预报产品500 hPa位势高度场序列,用经验正交函数(EOF)分解方法对位势场序列进行了时、空分解,引入了动力系统重构思想,以EOF分解的空间模态的时间系数序列作为动力模型变量,用遗传算法全局搜索和并行计算优势,进行了动力模型参数的优化反演,建立了客观合理的非线性动力模型.通过对动力模型积分和EOF的时、空重构,实现了副热带高压的中、长期预报.试验结果表明,本文反演的动力模型的副热带高压预报效果优于常规的数值预报产品,该研究工作为副热带高压等复杂天气系统和要素场预报提供了新的方法思路和技术途径. 相似文献
14.
15.
利用Galerkin方法,研究了一类具有结构阻尼的kirchhoff型波动方程,方程是截面弹性杆运动的模型.通过各种不等式技巧及算子半群理论,证明了方程的解半群具有全局吸引子. 相似文献
16.
基于渐近正态随机变量,导出随机变量函数极限分布的两个一般性理论结果.作为应用,证明了渐近正态随机变量一系列具体函数的极限分布,其中包括泊松随机变量平方根的渐近正态性,以及随机变量部分和在正则化常数是随机变量情况下的渐近正态性. 相似文献
17.
设计了紧凑型L波段同轴相对论返波振荡器,通过粒子模拟研究了L波段同轴相对论返波振荡器相互作用的物理过程,并对器件的电磁结构进行了优化和改进。分析表明,采用同轴慢波结构可以在较低的外加磁场下实现L波段返波振荡器的微波输出,同时可以大大减小微波器件的径向尺寸。这是因为同轴慢波结构的TM01模式有类似于TEM模的性质,没有截止频率,但纵向电场不为零,电子束能够与它发生强相互作用过程。粒子模拟优化结果表明,在器件半径仅为4.0 cm,电子束能量240 keV,电子束流1.8 kA,导引磁场仅为0.75 T时,返波振荡器可以在频率1.60 GHz处获得较大功率的微波输出, 平均峰值功率达140 MW,平均峰值功率效率约为32%。 相似文献
18.
光子晶体光纤作为光学非线性良好介质,对超连续谱产生具有重要作用。深紫外超连续谱光源在许多应用中有急切的需求,然而由于实验条件和光纤参数等方面的影响,利用高非线性光子晶体光纤产生深紫外(<280 nm)超连续谱的报道较少。通过理论和实验研究了高非线性光子晶体光纤在深紫外区的频率变换,并分析其产生的物理机理。使用钛宝石飞秒激光器将实验室自制的光子晶体光纤在反常色散区泵浦,研究了不同泵浦功率和泵浦波长对深紫外区超连续谱的影响,结果表明:泵浦波长固定为860 nm时,深紫外频率光谱展宽范围随泵浦功率的增加而逐渐展宽;泵浦功率固定为0.4 W时,泵浦波长的增加不仅展宽超连续谱范围而且极大的提高了深紫外区光谱的转换效率。当泵浦波长为870 nm,泵浦功率为0.4 W,实验所用光子晶体光纤长度为1.45 m,零色散波长为825 nm时,光子与色散波的交叉相位调制使深紫外基模超连续谱扩展到最短波长212 nm。 相似文献
19.
考虑由竞争合同制造商和原始设备生产商(OEM)组成的竞合供应链,竞争合同制造商在上游是OEM的合作者,在下游市场上是OEM的竞争者。当合同制造商因资金约束而不能进行生产运营时,一个通常做法是向银行贷款或者OEM融资;为了更好地探讨竞合供应链的融资决策,考虑了批发价格分别为外生变量和内生变量两种不同的情况下,以OEM为Stackelberg领导者的博弈,这与实际情况很接近。分析结果表明,当批发价格分别为外生变量时,合同制造商融资方式的选择主要受融资利率的影响;当批发价格为内生变量时,合同制造商融资方式的选择主要受自身自有资金量的影响。研究揭示了竞合供应链的融资决策过程,阐明了合同制造商的融资方式选择与自身的自有资金量和融资利率的关系。最后用数值算例对上述结论进行了验证说明。 相似文献
20.
We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials (x up to 0.5) on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content (55%) InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions. 相似文献