TiO2薄膜锂化工艺及其性能研究

本文以钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)为原料,采用溶胶-凝胶法在ITO导电玻璃基片表面制备了均匀透明的TiO2薄膜。使用X射线衍射仪表征了薄膜的晶型结构。通过电化学方法对TiO2薄膜进行锂化,研究了TiO2薄膜的厚度、热处理温度和外加电压对薄膜锂化效果的影响。结果表明,当镀膜层数为4层,热处理温度为400℃时,TiO2薄膜Li+存储能力最强。当TiO2薄膜相对参比电极外加电压为±2V时,Li+可充分进入薄膜并与之结合形成蓝色化合物LixTiO2,变色效果最为明显。     

人民币实际汇率变化对中国进出口影响的实证分析

人民币汇率的变化直接和间接地对我国的经济产生影响.采用面板数据来实证分析人民币实际汇率变化对中国的11个贸易伙伴的进口值和出口值的影响.     

区间直觉模糊数的新得分函数及其在多属性决策中的应用

通过对区间直觉模糊数的犹豫区间进行讨论,提出了区间直觉模糊数的新得分函数和精确函数,并讨论新的得分函数具有的性质,在此基础上给出了区间直觉模糊数的一种新的排序方法.进而,结合区间直觉模糊加权平均算子给出了属性值为区间直觉模糊数的多属性决策方法,并通过算例阐明该方法的可行性和有效性.     

硅藻土原位负载网状纳米结构硅酸镁及其对Cr(Ⅵ)吸附性能

采用MgCl_2·6H_2O作为镁源,NH_3·H_2O作为沉淀剂,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为模板剂,以水热法在硅藻土表面原位生长纳米花状Mg(OH)_2,随反应时间增加,转变成单斜晶系网状结构Mg_3Si_4O_(10)(OH)_2纳米花。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、氮气吸附-脱附测试、傅里叶红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对样品进行了表征,结果显示:反应时间为0.5～2.0 h时硅藻土表面以生长Mg(OH)_2为主,样品的比表面积为180 m~2·g~(-1);反应时间至3h时,硅藻土表面Mg(OH)_2转化成网状结构Mg_3Si_4O_(10)(OH)_2,样品比表面积增大到350 m~2·g~(-1),此复合结构对Cr(Ⅵ)最大吸附量可达570 mg·g~(-1)。     

基于双(苯并咪唑)桥联配体构筑的三个配位聚合物的合成、晶体结构及荧光识别性能

利用双(苯并咪唑)桥联配体1,4-双(2-苯并咪唑基)苯(bbib)和4,4′-双(2-苯并咪唑基)联苯(bbibp)与过渡金属盐在水热条件下反应,合成了3种新型的一维配位聚合物,{[Mn(bbib)(H_2O)_4](H_2BTC)·2H_2O}_n(1),[Zn(bbib)Cl_2]_n(2)和[Zn(bbibp)Cl_2]_n(3),并通过元素分析、红外光谱、粉末X射线衍射分析、单晶X射线衍射等对其结构进行了表征。结构分析表明,配合物1中的O-H…O氢键以及配合物2和3中的C-H…Cl氢键在上述配合物的三维超分子结构的构筑过程中起着重要的作用。在考虑配合物强氢键作用的基础上,配合物1的超分子结构可以简化为(4,6)-连接的{42·58·64·7}{42·64}网络,配合物2可以看做是一个5-连接的{43·67}骨架,配合物3可以简化成6-连接(48·67)-msw网络结构。此外,荧光识别性能研究表明配合物2和3可以实现对水相中Fe~(3+)离子的高灵敏性和高选择性识别。     

基于真实情境的深度学习——以研究木耳中铁含量为例

教师创设研究木耳中铁含量的课题,引导学生充分利用已经学习过的铁单质、铁的氧化、铁的检验等知识及溶解、过滤等实验技能,通过在真实背景下自觉地进行研究并解决问题,在实践中学习新知识和新方法,将课本上的浅表性知识批判性吸收,有效提升学生对知识的理解与应用能力。     

Single-Photon Emission from a Single InAs Quantum Dot

Excitation power-dependent micro-photoluminescence spectra and photon-correlation measurement are used to study the optical properties and photon statistics of single InAs quantum dots. Exciton and biexciton emissions, whose photoluminescence intensities have linear and quadratic excitation power dependences, respectively, are identified. Under pulsed laser excitation, the zero time delay peak of second order correlation function corresponding to exciton emission is well suppressed, which is a clear evidence of single photon emission.     

Temperature Dependence of Photoluminescence from Single and Ensemble InAs/GaAs Quantum Dots

We investigate the temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots systematically. As temperature increases, the exciton emission peak for single quantum dot shows broadening and redshift. For ensemble quantum dots, however, the exciton emission peak shows narrowing and fast redshift. We use a simple steady-state rate equation model to simulate the experimental data of photoluminescence spectra. It is confirmed that carrier-phonon scattering gives the broadening of the exciton emission peak in single quantum dots while the effects of carrier thermal escape and retrapping play an important role in the narrowing and fast redshift of the exciton emission peak in ensemble quantum dots.     

H_2S_2的构型及其异构化的量子化学研究

采用量子化学中的二阶微扰(MP2)方法,在6-311+G(3df,2p)水平上,利用Gaussian软件优化反应物,过渡态和生成物的几何结构,在相同水平上对反应物,过渡态和生成物进行了频率分析,同时完成了内禀反应坐标(IRC)分析.进而利用过渡态理论,计算了温度在300K时的H迁移异构化反应的速率常数.研究结果表明,H2S2的构型有两种,分别为:线型和分叉型,其中线型HSSH的能量较低,为稳定结构;平衡常数很小,为2.2×10-20,不利于平衡从线型向分叉型异构体转化,反之,分叉型向线型转化较容易,因此分