全文获取类型
收费全文 | 658篇 |
免费 | 210篇 |
国内免费 | 222篇 |
专业分类
化学 | 399篇 |
晶体学 | 39篇 |
力学 | 78篇 |
综合类 | 11篇 |
数学 | 94篇 |
物理学 | 469篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 6篇 |
2022年 | 33篇 |
2021年 | 22篇 |
2020年 | 21篇 |
2019年 | 27篇 |
2018年 | 30篇 |
2017年 | 36篇 |
2016年 | 19篇 |
2015年 | 36篇 |
2014年 | 42篇 |
2013年 | 49篇 |
2012年 | 51篇 |
2011年 | 62篇 |
2010年 | 68篇 |
2009年 | 59篇 |
2008年 | 58篇 |
2007年 | 56篇 |
2006年 | 65篇 |
2005年 | 60篇 |
2004年 | 34篇 |
2003年 | 28篇 |
2002年 | 26篇 |
2001年 | 41篇 |
2000年 | 34篇 |
1999年 | 10篇 |
1998年 | 12篇 |
1997年 | 7篇 |
1996年 | 7篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 10篇 |
1993年 | 8篇 |
1992年 | 8篇 |
1991年 | 9篇 |
1990年 | 6篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
1978年 | 2篇 |
1976年 | 2篇 |
1962年 | 3篇 |
1961年 | 1篇 |
1954年 | 1篇 |
1936年 | 1篇 |
排序方式: 共有1090条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
82.
83.
使用三氟甲烷和苯的混合气体,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0.11—0.62之间的α-C∶F薄膜.研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率,降低了薄膜的F/C比,也降低了薄膜中CF和CF3基团的密度,而使CF2基团的密度保持不变.在高微波功率下可以获得主要由CF2基团和C=C结构组成的α-C∶F薄膜.薄膜的介电频率关系(1×103—1×106Hz)和损耗频率关系(1×102—1×105Hz)均呈指数规律减小,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致.α-C∶F薄膜的介电极化主要来源于电子极化
关键词:
氟化非晶碳薄膜
ECR等离子体沉积
键结构
介电性质 相似文献
84.
85.
用3只976 nm半导体激光短列阵作为子模块,研制出连续工作的百瓦级高亮度光纤耦合模块。首先,利用光束转换器将每个半导体激光短列阵进行光束整形;然后采用空间复用技术将3个半导体激光短列阵在光参数积小的方向上叠加,并利用倒置伽利略望远镜作为扩束器进一步压缩发散角;最后利用优化结构的透镜组将激光聚焦到芯径200 μm,数值孔径为0.22的光纤中。测量结果显示:聚焦后激光的发散角为24.8°,焦平面的光斑尺寸为175.2 μm;耦合后测量光纤出光功率可达107 W,对应亮度为2.23 MW/(cm2·sr),达到了国内利用列阵进行光纤耦合的领先水平;在工作电流为52.5 A时,电光转换效率为43.1%,远高于全固态等激光器;最后测量本模块在不同驱动电流时的光谱,并以此计算出模块的热阻为1.29 K/W,说明它的散热性能良好。结果表明,本光纤耦合模块适合应用于泵浦光纤激光器、医疗和激光加工等领域。 相似文献
86.
87.
本文计算了双星的辐射阻尼。按照广义相对论,在广义坐标变换下,星体的运动方程中出现的力是与坐标的选择有关的。不同坐标条件将原则上导致不同的阻尼力。现在人们已经成功地观察到双星辐射阻尼效应。这表明应该找出一个物理的坐标系。在这个坐标系中算出的阻尼力等于观察到的值。我们提出下面物理条件代替通常的坐标条件。这个条件就是不存在时间方向和纵向极化的引力波。这个条件在所要求的近似下决定了我们认为是物理的坐标系。在这个坐标系中得出双星公转周期p的变化为P=-6.5×10-12(m1m2)/M⊙2((m1+m2)/m⊙)-1/3。
关键词: 相似文献
88.
89.
Structure Characterization of HSQ Films for Low Dielectrics Using D5 as Sacrificial Porous Materials
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Low-density materials, commercially available hydrogensilsesquioxane (HSQ) offer a low dielectric constant. HSQ films can be obtained by spin on deposition (SOD). In this work, low-dielectric-constant HSQ films are prepared by using D5 (decamethylcyclopentasiloxane) as sacrificiaJ porous materials. The dielectric constant of silica films significantly changes from 3.0 to 2.4. We report the structural aspects of the films in relation to their composition after annealed at 300℃, 400℃, and 500℃ for 1.5h in nitrogen ambient and annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. Si-OH appears after annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. The results indicate that the proper condition is in nitrogen ambient. Intensity of the Sill peak increases with the increasing temperature. Fourier transform infrared spectroscopy is used to identify the network structure and cage structure of Si-O-Si bonds and other possible bonds. Dielectric constant k is significantly lowered by annealing at 350℃ for 1.5h in nitrogen ambient. The I-V and C-V measurements are used to determine the dielectric constant, the electric resistivity and the breakdown electric field. 相似文献
90.