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121.
STUDIES ON THE DYNAMICS OF OPTICAL BISTABILITY SWITCHING IN THE INTERNAL FABRY-PEROT CAVITY WITH A CdSxSe1-x-DOPED GLASS CHANNEL WAVEGUIDE 下载免费PDF全文
We report the optical bistability in CdSxSe1-x-doped glass channel waveguide with rise and fall times of about 24 and 30ps, respectively, in bistable switching by means of fiber coupling input with a power of about 3mW. The third-order nonlinear susceptibility (x(3)) of CdSxSe1-x-doped glass is estimated experimentally to be 1.8×10-9 esu. The high speed switching and the value of x(1) show that the optical bistability is caused by an optical nonlinearity which can be attributed to the band-filling effect. 相似文献
122.
设 G=(V,E)是一简单图.E(G)和 V(G)分别表示 G 的边集合和顶点集合.G 的一个无三角形2-匹配是一个整数向量 x=(x_e:e∈E(G)),使得x_e≥0,(?)_e∈E(G),(1)x(δ(v))≤2,(?)_v∈V(G),(2)x(γ(s))≤2,(?)S(?)V(G),|S|=3.(3)若 x 进一步使(2)都以等式成立,则 x 称为是无三角形完美2-匹配.文献[1]证明了:(1)—(3)的可行解集合就是 G 的无三角形2-匹配的凸包多面体.[1]还同时给出了求最 相似文献
123.
在前一工作中我们应用层子模型基本上解释了所有已观察到的较肯定的稳定和不稳定的介子,指出这些介子都可看作是一对层子和反层子在赝标型简谐振子位阶中J~P=0~-和1~-的态以及这两个态的轨道角动量l=1和2的激发态。在这篇短文中,我们将较详细的给出这个结论在实验上的主要依据。 相似文献
124.
本文利用Bethe-Salpeter型的方程处理了层子模型中的介子内部波函数,指出如果层子和反层子之间的作用可以用一个赝标型位阱来代表,那么0-和1-介子将满足相同的近似迳向波动方程,从而导致SU6对称性。我们以前曾经证明赝标型位阱是唯一可以导致这个对称性的单一型位阱。我们的位阱是V=V0+V1,V0代表一个超强的深位阱,它的作用是降低层子的原始质量M,使它的有效值M′变得很小,使得层子在强子内部的运动是相对论的。V1代表数量级为1/M的简谐振子位阱,另外还引入一个张量力来解释自旋和轨道角动量相同态的能级分裂。我们得出基态和角动量激发态0-和1-介子的解,基本上解释了所有观察到的介子。我们的理论可以同样处理重子态,只要唯象位阱V0只有介子的值的一半。 相似文献
125.
本文计算结果指出,当强作用的影响被考虑以后,超子衰变的上下不对称的实验结果是可以解释的。对衰变的分析可以给出关于强作用的重正化和强度的重要知识。我们的结果指出强作用满足“强作用近似”的条件。 相似文献
126.
设计并优化了一种用808nm的大功率激光二极管为抽运光源,In0.09Ga0.91As量子阱结构为增益介质的920nm光抽运半导体垂直外腔面发射激光器。运用有限元方法,对激光器的电特性方程和光特性方程求自洽解,计算了器件各种特性参量。分析了单个周期内不同阱的个数(1,2和3)、不同阱深、不同垒宽、不同非吸收层组分、不同非吸收层尺寸条件下,器件性能的改变,特别是模式、阈值和光-光转换效率的改变,从而选择一个最佳的结构。 相似文献
127.
128.
高功率980nm垂直腔面发射激光器的亮度特性 总被引:1,自引:0,他引:1
在循环水冷却(工作环境温度控制在15℃)和连续注入电流条件下,从垂直腔面发射激光器(VCSEL)亮度基本定义出发,实验测量了不同注入电流时口径为400μm的高功率980nm InGaAs/GaAs应变量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)的亮度特性。结果表明:在注入电流4 A时,随着注入电流的增加,亮度也跟着增加;当注入电流4A时,尽管输出功率在增加,但是器件的光束质量变差,M2因子升高,表明此时影响器件亮度的主导因素是M2因子,所以亮度减小;在注入电流为4A,输出功率为1.2W时,亮度达到最大值2.43kW/cm2.sr,此时的光束质量最好,M2因子为207。最后,分析了影响高功率VCSEL器件亮度特性的主要因素,提出了提高器件亮度特性的解决方法。 相似文献
129.
目标表面发射率对红外热像仪测温精度的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了红外热像仪测温原理,分析了影响红外热像仪测温精度的因素,计算了不同表面发射率下红外热像仪的测温误差曲线。理论分析表明,目标表面发射率越高,红外热像仪测温精度越高。实验改变表面发射率的设置,计算了不同表面发射率对应的总辐射亮度,得到TP8型长波红外热像仪能够精确测温时,目标表面发射率必须大于0.5的结果。最后,对表面发射率分别为0.96、0.93和0.3的3种材料进行实际测温,结果表明,材料表面发射率较高时,红外热像仪具有较好的测温精度。 相似文献
130.
利用分子动力学方法模拟了碳原子与碳氢薄膜的作用过程。探讨了不同入射能量对碳原子与碳氢薄膜相互作用的影响。模拟结果表明碳原子与碳氢薄膜作用会在表面形成碳薄膜。随着入射能量的增加,碳薄膜厚度变薄。在碳薄膜中碳原子的成键形式主要为Csp2-Csp2和Csp2-Csp3,随入射能量的增加,碳原子键价结合形式从Csp2-Csp2向Csp2-Csp3转化。 相似文献