首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1093篇
  免费   191篇
  国内免费   323篇
化学   663篇
晶体学   23篇
力学   128篇
综合类   44篇
数学   150篇
物理学   599篇
  2024年   2篇
  2023年   17篇
  2022年   41篇
  2021年   41篇
  2020年   47篇
  2019年   37篇
  2018年   28篇
  2017年   68篇
  2016年   45篇
  2015年   67篇
  2014年   75篇
  2013年   94篇
  2012年   89篇
  2011年   87篇
  2010年   104篇
  2009年   92篇
  2008年   86篇
  2007年   95篇
  2006年   84篇
  2005年   77篇
  2004年   61篇
  2003年   41篇
  2002年   41篇
  2001年   30篇
  2000年   30篇
  1999年   26篇
  1998年   10篇
  1997年   7篇
  1996年   13篇
  1995年   7篇
  1994年   14篇
  1993年   8篇
  1992年   5篇
  1991年   7篇
  1990年   5篇
  1989年   5篇
  1988年   8篇
  1987年   2篇
  1986年   2篇
  1985年   5篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1980年   1篇
  1978年   1篇
排序方式: 共有1607条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
在简易磁屏蔽室中,用单通道的高温超导rf SQUID梯度计构成心磁图(MCG)测量系统,依照MCG测定部位的约定,测得数例成人胸前多点MCG.不计心动周期随时问的变化,用数据分析软件对这些MCG数据进行分析处理,得到包括了空间信息、可直观展示心脏电磁活动的二维心磁图谱(例如等磁图、时序等磁图、电流箭头图和时序电流箭头图等)  相似文献   
62.
应用坩埚下降法生长了掺杂Cr与双掺杂Cr,Zn的LiNbO3晶体。测定了掺杂晶体不同部位的吸收系数。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法测定了Cr离子在LN晶体中的浓度,并计算了Cr离子在LiNbO3晶体中的有效分凝系数。研究结果表明:在单掺杂Cr的LiNbO3晶体中,随着Cr^3 掺杂浓度从0.1增加到0.5mol%时,其有效分凝系数从3.75减少到2.49,Cr^3 离子在晶体中的浓度分布差异逐步减少;ZnO的掺入能有效地减少Cr^3 的分凝系数,然而ZnO掺杂浓度从3增加到6mol%时,其有效分凝系数且从1.85增加到2.25。可从ZnO组分对Cr离子的排斥作用及Zn离子在LN晶体中随掺杂数量变化的分凝现象解释了产生Cr离子浓度及有效分凝系数变化的原因。  相似文献   
63.
用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱(AES)等对薄膜进行了检测。结果表明:随源气体中N气含量的增加,透过率和折射率变小, 而光学带隙先增大后减小; 当薄膜中N的含量很少,N的掺入对sp3杂化C起稳定作用,使得薄膜光学带隙Eg增大。而较高量N的掺入抑制了sp3杂化C的形成,提高了薄膜中sp2键含量,使得薄膜光学带隙变小。参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值来计算薄膜的sp2键的百分含量,俄歇电子能谱(AES)表征也表明:较高量的N的掺入抑制了sp3杂化C的形成。所以应该考虑在较低N分压条件下掺N来改善非晶C薄膜的光学性能。  相似文献   
64.
为消除反馈正离子对三代微光夜视器件光阴极的有害轰击,提高微光像增强器的工作寿命,开展了低磁控溅射率法沉积微通道板(MCP)Al2O3防离子反馈膜的工艺研究。通过优化制备工艺,获得了制备MCP防离子反馈膜的最佳沉积条件:溅射电压1000V,溅射气压(4~5)×10-2 Pa,沉积速率0.5nm/min等。研究结果表明:在此工艺条件下,能够制备出均匀、致密且通孔满足质量要求的MCP防离子反馈膜。如果偏离这一最佳工艺条件,制备出的MCP防离子反馈膜膜层疏松、不连续,且通孔不能满足要求。  相似文献   
65.
以纳米量级金属履带矩形光栅为模型,研究了表面增强喇曼散射的特性.针对TM模的入射光,采用严格的耦合波原理对金属表面的衍射场进行了分析,并用数值计算方法讨论了光栅深度、光栅占空比等参量对金属表面增强的影响以及增强因子随光栅深度的变化关系.结果显示:当入射光波长为700 nm、入射角度为10°、光栅周期p=600 nm、 光栅深度d=37.5 nm、占空比为1/3时,获得最大增强,增强因子G达104倍.  相似文献   
66.
We consider a two-qubit Heisenberg XXZ chain as a resource for quantum teleportation via the standard teleportation protocol To. The effects of anisotropic on teleportation fidelity and entanglement are studied in detail. We find anisotropic not only improves the criticM temperature Tc and criticM magnetic field Bc, beyond which quantum teleportation is inferior to classicM communication protocol, but also enhances the fidelity for fixed magnetic field B and temperature T. For entanglement teleportation, the effects of magnetic field on average fidelity and output entanglement are studied.  相似文献   
67.
韩军  郑婷  聂亮  安毓英 《光子学报》2011,(9):1413-1418
针对不同非球面面形的实时检测需求,研究了基于空间光调制器的标准波面重建技术.基于空间光调制器波面重建的原理设计了干涉测量系统,依据空间光调制器的自身特点选取修正离轴计算全息编码方式实现对标准球波面的编码.针对实验中空间光调制器作为全息再现介质引起重建波面质量下降问题,提出了错位叠加优化方案,并将这一过程进行了模拟实验....  相似文献   
68.
通过介绍六粒子纠缠态的新应用研究,提出了一个二粒子任意态的信息分离方案.在这个方案中,发送者Alice、控制者Charlie和接受者Bob共享一个六粒子纠缠态,发送者先执行两次Bell基测量;然后控制者执行一次Bell基测量;最后接受者根据发送者和控制者的测量结果,对自己拥有的粒子做适当的幺正变换,从而能够重建要发送的...  相似文献   
69.
实验表明,团簇离子在物质中的能量损失并不等于各成分单独作用的总和,而是具有非线性效应.这种非线性效应与团簇离子的能量、团簇的种类和大小、团簇成分之间的空间关联程度以及作用物质的结构有关.对团簇作用的非线性效应研究对于了解团簇与物质相互作用的机制具有非常重要的理论意义.MeV能区的团簇离子在物质中的非线性电子能损和核能损方面的直接实验数据还相当缺乏,其理论模型也更待建立.评述了载能团簇离子在物质中的能量损失及测量方法.Fast ions deposit energy in matter through electronic and nuclear collision processes. The relaxation of the deposited energy induces emission of photons, electrons, ions, and neutral species from the target. Comparing with single incident ion, cluster induces many new phenomena: such as non-linear energy loss, non-linear emission of secondary ions, production of giant tracks and craters in various irradiated materials. These new phenomena induced by clusters are attributed to the vicinage effect ......  相似文献   
70.
针对污染气体红外光谱特征分布的复杂性,结合几种线性分类器的特点,通过对每个环节的深入分析,设计出一种混合多叉树状光谱鉴别器。实验结果表明:此光谱鉴别器不仅结构简洁,设计合理,具有很高的分类能力和判别准确率,而且具有较好的灵活性和稳定性,完全满足快速识别的需要,是一种高效的光谱鉴别器。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号