首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   535154篇
  免费   5371篇
  国内免费   1501篇
化学   274074篇
晶体学   7726篇
力学   26202篇
综合类   25篇
数学   68851篇
物理学   165148篇
  2021年   5171篇
  2020年   5677篇
  2019年   6416篇
  2018年   8599篇
  2017年   8732篇
  2016年   11951篇
  2015年   6478篇
  2014年   10738篇
  2013年   24076篇
  2012年   18897篇
  2011年   22445篇
  2010年   16739篇
  2009年   16576篇
  2008年   21180篇
  2007年   21029篇
  2006年   19024篇
  2005年   17001篇
  2004年   15750篇
  2003年   14234篇
  2002年   14115篇
  2001年   14895篇
  2000年   11488篇
  1999年   8859篇
  1998年   7684篇
  1997年   7555篇
  1996年   7037篇
  1995年   6327篇
  1994年   6336篇
  1993年   6117篇
  1992年   6446篇
  1991年   6903篇
  1990年   6608篇
  1989年   6521篇
  1988年   6350篇
  1987年   6152篇
  1986年   5902篇
  1985年   7450篇
  1984年   7805篇
  1983年   6558篇
  1982年   6843篇
  1981年   6341篇
  1980年   6016篇
  1979年   6515篇
  1978年   6758篇
  1977年   6641篇
  1976年   6595篇
  1975年   6314篇
  1974年   6142篇
  1973年   6431篇
  1972年   4713篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 46 毫秒
891.
892.
893.
Porous silicon (PS) exhibits several photoluminescence (PL) bands, whose spectral position and intensity depend strongly on the actual conditions of preparation of PS, its treatment, and subsequent use. The PS PL band peaking at about 1.8 eV and usually assigned to the intrinsic emission of silicon nanocrystals was studied. It was shown that the temperature-induced variation of the PL kinetics in the 80 to 300-K interval follows a complex pattern and depends noticeably on the actual point on the band profile. The temperature behavior of PL decay in the 1.8-eV band is determined by the electron-hole recombination rate within a nanocrystal and the cascade carrier transitions from small to large nanocrystals, with an attendant decrease in energy.  相似文献   
894.
The contribution to electrical resistance due to scattering of charge carriers by domain walls is analyzed. It is revealed that “unusual” domain walls are created by frustrations in ferromagnet-antiferromagnet multilayer magnetic structures. The thickness of an unusual domain wall is substantially less than that of a usual domain wall. It is shown that scattering of charge carriers by unusual domain walls can contribute significantly to the magnetoresistance of ferromagnet-antiferromagnet multilayer magnetic structures. An analysis of the contribution made by the Levy-Zhang mechanism to the magnetoresistance demonstrates that the initial estimate obtained for this contribution is considerably exaggerated.  相似文献   
895.
Let G be a connected graph with minimum degree at least 3. We prove that there exists an even circuit C in G such that GE(C) is either connected or contains precisely two components one of which is isomorphic to a 1-bond. We further prove sufficient conditions for there to exist an even circuit C in a 2-connected simple graph G such that GE(C) is 2-connected. As a consequence of this, we obtain sufficient conditions for there to exist an even circuit C in a 2-connected graph G for which GE(C) is 2-connected.  相似文献   
896.
897.
898.
899.
    
Ohne Zusammenfassung  相似文献   
900.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号