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992.
993.
994.
995.
996.
Rutherford backscattering has been used to measure the lattice positions occupied by Pb following room temperature implantation into silicon. The data provide information on the size and deposition of amorphous zones in relation to the distribution of implanted Pb.  相似文献   
997.
998.
    
Ohne Zusammenfassung  相似文献   
999.
    
Ohne Zusammenfassung  相似文献   
1000.
Vanadium     
Ohne Zusammenfassung  相似文献   
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