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101.
四区域法消除偏振棱镜缺陷对波片相位延迟测量的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在起偏器-待测波片-检偏器系统基础卜提出一种四区域测量波片相位延迟量的方法.调整待测波片和检偏器的方位角,获得相应的四组光强值,通过线性运算得到待测波片的相位延迟量,完全消除了起偏器和检偏器不完全消光带来的误差.由于测量系统中不存在标准波片或其他相位调制元件,允许测量波长仅受偏振棱镜和探测器的限制,因此四区域法可适用于很大波长范围内的波片测量.以λ/4波片为例,理论分析了测量系统利用四区域测量法后的仪器误差为σφ≤士3.49065×10-3rad(约0.2°),精度比原算法提高约1个数量级.实验验证了四区域法能有效提高系统精度. 相似文献
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利用不同能量的质子在大气环境中辐照拟南芥的含水种子,能量从1.1MeV到6.5MeV.根据模拟计算结果,相应能量的离子对种子的损伤区域分别为胚的浅层、胚的一半和整个胚.本实验中,具有较高能量的质子可以完全均匀地作用于拟南芥生长、发育及遗传密切相关的胚茎端分生组织,而能量较低的质子则不能直接作用于茎端分生组织.实验所用质子注量范围为4×109ions/cm2—1×1014ions/cm2.实验结果显示,虽然拟南芥种子的发芽率和幼苗存活率随离子注量增加都呈现下降的趋势,但对应于不同的胚损伤区域,即在不同的入射质子能量条件下,注量曲线具有各自的特征.实验结果显示,拟南芥种子中除了胚茎端分生组织作为对离子辐照敏感的辐射主靶外,茎端分生组织之外的胚区域可能作为离子辐射次靶,影响到最终的辐射生物学效应.
关键词:
离子辐照
拟南芥
胚区域
生物效应 相似文献
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105.
SOI新结构——SOI研究的新方向 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI(silicon-on-insulator:绝缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展,但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层,以硅作为顶层的半导体材料,这样导致了一些不利的影响,限制了其应用范围。为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点。如SOIM,GPSOI,GeSiOI,SionAlN,SiCOI,GeSiOI,SSOI等。文章将结合作者的部分工作,报道SOI新结构研究的新动向及其应用。 相似文献
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107.
108.
л������������ 《核聚变与等离子体物理》2018,38(2):158-162
为HL-2A 装置中性束注入器研制了引出束功率为1MW 的射频离子源。在测试平台上,实验离子源已经成功引出了束能量和束电流分别为35keV 和12.4A、束质子比为79%、脉宽为100ms 的氢离子束,达到了设计束功率要求的44%。在射频离子源实验平台上,利用多普勒频移光谱方法测量了离子源引出束流成分比例,对比了束流成分和射频离子源引出束流之间的关系。实验数据分析表明,在10A 引出束流的情况下,离子流成分 H+ 1、H+ 2 和H+ 3 分别为75%、18%和7%。并且当引出束流从3.3A 升至10.4A 时,H+ 1 从37%升至78%,而H+ 3 则从19%降至9%。 相似文献
109.
110.
Monte Carlo模拟研究了两平行硬墙受限下各向异相的硬椭球液体形成的有序结构. 墙壁对椭球粒子的过量吸附和椭球的长短径之比有关;对于高密度的椭球液体,它在一个临界的长短径之比 a/b=2.9处达到最大值,表明在墙表面附近发生了取向有序. 墙表面附近的密度分布和取向序参量进一步证实这结论. 相同密度条件下体相中的取向序参量计算表明体相结构均为各向同性,这是由于体系的密度依然低于各向同性相向相列向转变的临界密度. 该受限椭球液体中墙表面的取向有序是由墙面的几何受限所导致的. 相似文献