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51.
研究了液芯光纤内不同体积比的甲苯和间二甲苯二元混合溶液的受激拉曼散射.实验结果表明:在不同的体积比之下二元溶液的环呼吸振动模式1002 cm-1,甲基的CH伸缩振动模式2920 cm-1 以及芳香环CH对称伸缩振动模式3058 cm-1的拉曼带同时产生受激拉曼辐射,并且2920 cm-1 和 3058 cm-1 拉曼带的一阶受激拉曼散射阈值要低于1002 cm-1拉曼带的二阶
关键词:
分子间费米共振
二元溶液
受激拉曼散射
拉曼散射截面 相似文献
52.
53.
近红外漫反射线性加和光谱在烟叶复烤配方中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
应用近红外光谱分析技术进行烟叶复烤配方的辅助分析以及设计过程中,需要大量的不同混合比例的样品光谱,而混合样品光谱在实际生产过程中是很难获得的;且不同分级的样品很难实现均匀混合,不可避免的引入误差.文章提出了应用近红外漫反射光谱的线性加和原理产生"理论混合均匀光谱"来代替实际的混合样品光谱,不仅能够消除混合不均匀造成的误... 相似文献
54.
Effect of Pretreatment of TaN Substrates on Atomic Layer Deposition Growth of Ru Thin Films 下载免费PDF全文
The polycrystalline ruthenium films are grown on TaN substrates by atomic layer deposition (ALD) using bis(cyclopentadienyl) ruthenium [RuCp2] and oxygen as ruthenium precursor and reactant respectively at a deposition temperature of 330℃. The low-energy Ar ion bombardment and Ru pre-deposition are performed to the underlying TaN substrates before ALD process in order to improve the Ru nucleation. X-ray diffraction, x-ray photoelectron spectroscopy, scanning electron microscopy and atomic force microscopy are carried out to characterize the properties of ALD Ru films. The results show that the nucleation density of Ru films with Ar^+ bombardment to the underlying TaN substrates is much higher than that of the ones without any pretreatment. The possible reasons are discussed. 相似文献
55.
Two-photon resonant nondegenerate four-wave mixing (NFWM) with the
addition of a coupling field in Ba atomic vapour has been studied. We
find that coherence of the atomic level transitions leads to
suppression of the NFWM signal, giving rise to a dip with a linewidth
that is linearly proportional to the intensity of the coupling field. 相似文献
56.
The dynamics of the optomechanical entanglement between optical cavity field modes and a macroscopic mechanical breathing mode in a whispering-gallery cavity as well as the continuous variable entanglement between the phase-quadrature amplitudes of the two whispering-gallery modes have been analysed. Simulated results indicate that under state-of-the-art experimental conditions, optomechanical entanglement is obvious and can occur even at temperatures of above 40 K. Compared with the entanglement of the mechanical oscillator at the ground state temperature, optomechanical entanglement is more intense by several orders of magnitude. 相似文献
57.
采用密度泛函理论研究了Ru(0001) /BaO表面的原子层结构和氮分子的吸附性质. 研究结果表明, 在低覆盖度下氧化钡倾向于以相同的构型形成Ru(0001) 表面原子层. 在此构型中, 氧原子位于表面p(1× 1) 结构的hcp谷位, 而钡原子则位于同一p(1× 1) 结构的顶位附近. 钌氧键键长等于0.209 nm, 比EXAFS的实验值大0.018 nm. 在Ru(0001) /BaO表面氮分子倾向吸附于钡原子附近. 相应位置的氮分子吸附能位于0.70到0.87 eV之间, 大于氧原子附近的氮分子吸附能. 钡原子附近的钌原子对氮分子具有更强的活化性能. 相应位置的氮分子拉伸振动频率等于1946 cm- 1, 比氧原子附近的最大分子振动频率小约130 cm-1. Ru(0001) /BaO表面氮分子键强度介于清洁Ru(0001) 和Ru(0001) /Ba表面之间. Ru(0001)/BaO表面不同位置的氮分子吸附性质差异是由钡和氧原子化学性质不同造成的. 表面钡原子的作用能够减少吸附氮分子的σ*轨道电子密度, 增加π*轨道电子密度, 从而增强氮分子和钌原子间的轨道杂化作用, 弱化氮分子键. 相似文献
58.
Alena Juríková Kornel Csach Jozef Miškuf Václav Ocelík 《Central European Journal of Physics》2007,5(2):177-187
Creep strain recovery and structural relaxation of the amorphous metallic glass Fe40Ni41B19 after longtime loading at different annealing temperatures below the glass transition temperature have been studied using
anisothermal differential scanning calorimetry (DSC) and dilatometry (TMA). It has been demonstrated that structural relaxation
effects depend on the stress-annealing temperature of the amorphous ribbon. The structural relaxation states of the amorphous
ribbon annealed at different temperatures under and without applied stress have been compared. The activation energy spectra
were calculated from the anisothermal dilatometric measurements using the modern method based on the Fourier transformation
technique. The influence of the annealing temperature on the shape of creep strain recovery spectra has been analyzed.
相似文献
59.
测量了含有9个CC共轭双键的链状多烯类生物分子β胡萝卜素在9种溶剂中的紫外—可见吸收和拉曼光谱.结果表明,β胡萝卜素C—C,CC键拉曼散射截面随溶剂体密度增加而线性增加,其机理是β胡萝卜素分子在体密度大的溶剂中受浮动干扰小,分子结构有序性高,π电子离域扩展,产生强的相干弱阻尼CC键振动,而产生大的拉曼散射截面.密度对分子拉曼散射截面影响研究还没见过报道,本文为多烯类链状分子的光散射理论研究提供了实验线索,也对多烯类链状分子性能研究及光电器件研制有参考价值.
关键词:
拉曼散射截面
多烯分子
吸收光谱
分子结构有序 相似文献
60.
采用射频磁控溅射的方法,基于不同氧分压制备的氧化铪构建了Ni/HfO_x/TiN结构阻变存储单元.研究发现,随着氧分压的增加,薄膜表面粗糙度略有降低;另一方面,阻变单元功耗降低,循环耐受性能可达10~3次,且转变电压分布的一致性得到改善.结合电流-电压曲线线性拟合结果及外加温度测试探究了器件的转变机理,得出在低阻态的传导机理为欧姆传导机理,在高阻态的传导机理为肖特基发射机理,并根据氧空位导电细丝理论,对高低阻态的阻变机理进行了详细的理论分析. 相似文献