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Fa‐Yan Meng Xu‐Qing Liu Seik Weng Ng 《Acta Crystallographica. Section C, Structural Chemistry》2007,63(7):m341-m342
The terephthalate dianion and the bis(imidazolyl)benzene ligand of the title compound, {[Zn(C8H4O4)(C20H14N4)]·C2H6O}n, each bridges two adjacent zinc centers, resulting in a layer‐type coordination polymer; the zinc center shows tetrahedral coordination. The disordered ethanol solvent molecules occupy the spaces between the layers and are hydrogen bonded to the layers. The two symmetry‐independent dianions lie on different inversion sites. 相似文献
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Measurement of small-signal and large-signal responses of packaged laser modules at high temperature
Ning Hua Zhu Ji Min Wen Hai Peng Song Shang Jian Zhang Liang Xie 《Optical and Quantum Electronics》2006,38(15):1245-1257
In this paper, the pulsed injection method is extended to measure the chip temperature of various packaged laser modules,
such as the DFB laser modules, the FP laser modules, and the EML laser modules. An optimal injection condition is obtained
by investigating the dependence of the lasing wavelength on the width and period of the injection pulse in a relatively wide
temperature range. The small-signal frequency responses and large-signal performances of packaged laser modules at different
chip temperature are measured. The adiabatic small-signal modulation characteristics of packaged LD are first extracted. In
the large-signal measurement, the effects of chip temperature, bias current and driving signal on the performances of the
laser modules are discussed. It has been found that the large-signal performances of the EML modules depend on the different
red-shift speeds of the DFB and EAM sections as chip temperature varying, and the optimal characteristics may be achieved
at higher temperature. 相似文献
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J. Xu Y. Z. Meng S. J. Wang A. S. Hay 《Journal of polymer science. Part A, Polymer chemistry》2006,44(10):3328-3335
A series of novel soluble pyridazinone‐ or pyridazine‐containing poly(arylene ether)s were prepared by a polycondensation reaction. The pyridazinone monomer, 6‐(4‐hydroxyphenyl)pyridazin‐3(2H)‐one ( 1 ), was synthesized from the corresponding acetophenone and glyoxylic acid in a simple one‐pot reaction. The pyridazinone monomer was successfully copolymerized with bisphenol A (BPA) or 1,2‐dihydro‐4‐(4‐hydroxyphenyl)phthalazin‐1(2H)‐one (DHPZ) and bis(4‐fluorophenyl)sulfone to form high‐molecular‐weight polymers. The copolymers had inherent viscosities of 0.5–0.9 dL/g. The glass‐transition temperatures (Tg's) of the copolymers synthesized with BPA increased with increasing content of the pyridazinone monomer. The Tg's of the copolymers synthesized from DHPZ with different pyridazinone contents were similar to those of the two homopolymers. The homopolymers showed Tg's from 202 to 291 °C by differential scanning calorimetry. The 5% weight loss temperatures in nitrogen measured by thermogravimetric analysis were in the range of 411–500 °C. 4‐(6‐Chloropyridazin‐3‐yl)phenol ( 2 ) was synthesized from 1 via a simple one‐pot reaction. 2 was copolymerized with 4,4′‐isopropylidenediphenol and bis(4‐fluorophenyl)sulfone to form high‐Tg polymers. The copolymers with less than 80 mol % pyridazinone or chloropyridazine monomers were soluble in chlorinated solvents such as chloroform. The copolymers with higher pyridazinone contents and homopolymers were not soluble in chlorinated solvents but were still soluble in dipolar aprotic solvents such as N‐methylpyrrolidinone. The soluble polymers could be cast into flexible films from solution. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem 44: 3328–3335, 2006 相似文献
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应用改进的量子分子动力学模型,在严格挑选初始核考虑弹靶结构效应的基础上,研究了近垒和垒上融合反应40,48Ca+90,96Zr. 研究表明: 4个反应的理论计算截面与实验值很好符合; 丰中子反应40Ca+96Zr的垒下融合截面比其他3个反应有明显增强的现象.为了理解丰中子反应40Ca+96Zr与40Ca+90Zr相比垒下融合截面增强,而Ca+96Zr垒下融合截面没有明显增强的原因, 进一步分析了484个反应的融合位垒,中子转移与融合位垒的关系、中子转移与Q值的关系,结果表明: 正反应Q值会引起核子(特别是中子)转移的增强,从而导致动力学融合位垒的下降和垒下融合截面增强. 相似文献
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研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
100.
LB膜中螺吡喃材料的光学性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用LB技术制备螺吡喃有序分子膜,研究了气液界面上螺吡喃材料在不同成份和不同pH值亚相时的成膜行为,着重研究了螺吡喃在LB膜这个特殊介质环境中不同于溶液的光致变色机理和光学性质 相似文献