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所采用的变温光谱差减方法是将待测试样分成两份 ,一份作为参比试样 ,恒定在某一温度 (参比温度 )下 ,另一份作为待测样品 ,选定另一待观测温度 ,在一定的波长范围内 ,用岛津UV 2 4 0型紫外 可见双光束分光光度计扫描 ,获得紫外吸收温差光谱 (UVSDT)。选择不同的温度差 ,测得温差光谱随温差的变化。观测了C60 分子在乙醇、环己烷、正己烷、异丙醇等几种有机溶剂中吸光度随温度的变化。观测结果发现C60 溶液的吸光度变化存在显著的负温度效应。C60 的UV吸收光谱峰随试样温度升高而降低 ,UV吸收温差光谱 (U VSDT)为负峰 ,UVSDT峰强随温差增大而负向增大。说明C60 的结构对温度有较强的依赖关系。这种依赖关系与π π 电子跃迁类型密切相关。实时现场测量C60 溶液的吸光度随温度变化规律 ,对分离、纯化、分析富勒烯 ,认识C60 特性、研究以溶剂为媒介的化学反应机理 ,以及提高测量的准确度和重现性等 ,均有一定的理论意义和实用价值 相似文献
33.
Zhang Qun Ge Kun Duan Jianlei Chen Shizhu Zhang Ran Zhang Cuimiao Wang Shuxiang Zhang Jinchao 《Journal of nanoparticle research》2014,16(11):1-12
The sintering of a silver (Ag) nanoparticle film by laser beam irradiation was studied using a CW DPSS laser. The laser sintering of the Ag nanoparticle thin film gave a transparent conductive film with a thickness of ca. 10 nm, whereas a thin film sintered by conventional heat treatment using an electronic furnace was an insulator because of the formation of isolated silver grains during the slow heating process. The laser sintering of the Ag nanoparticle thin film gave a unique conductive network structure due to the rapid heating and quenching process caused by laser beam scanning. The influences of the laser sintering conditions such as laser scan speed on the conductivity and the transparency were studied. With the increase of scan speed from 0.50 to 5.00 mm/s, the surface resistivity remarkably decreased from 4.45 × 108 to 6.30 Ω/sq. The addition of copper (Cu) nanoparticles to silver thin film was also studied to improve the homogeneity of the film and the conductivity due to the interaction between the oxidized surface of Cu nanoparticle and a glass substrate. By adding 5 wt% Cu nanoparticles to the Ag thin film, the surface resistivity improved to 2.40 Ω/sq. 相似文献
34.
三值光学计算机系统结合光强与光的偏振方向表示三值信息,其核心器件——三值逻辑光学处理器是按照降值设计理论完成的,该处理器能完成所有19683种二元三值逻辑运算.本文旨在提出一种实现加法运算的新方法——用三值逻辑光学处理器实现加法.为了解决加法的串行进位延时问题,使用改良符号数表示进行数据编码,从而实现全并行无进位加法.用三值光学计算机与改良符号数表示相结合的方法实现加法既能够充分发挥三值光学计算机位数巨大的优势以及三值逻辑光学处理器能完成所有二元三值逻辑运算的特性,同时又发挥了改良符号数加法的无进位特点.经实验证明该方法具有可行性和正确性,是实现光学加法器的一种新思路. 相似文献
35.
Souza Filho AG Kobayashi N Jiang J Grüneis A Saito R Cronin SB Mendes Filho J Samsonidze GG Dresselhaus G Dresselhaus MS 《Physical review letters》2005,95(21):217403
In this Letter, we report the effects of strain on the electronic properties of single-wall carbon nanotubes. When we normalize the electronic transition energies to the corresponding values obtained for unstrained tubes, we obtain that, regardless of the tube diameter, all the data collapse onto universal curves following an n - m = constant family pattern. In the case of metallic tubes, quantum interference effects on the Raman cross section are predicted for strained tubes when the energies of the lower and the upper components have nearly the same values. Experimental evidence for the strain-induced Raman cross section changes is observed in single nanotube spectroscopy. 相似文献
36.
基于激光器频率谱检测技术,沿着光的传输方向分析了光波在谐振式集成光学陀螺系统中的传播,结合输入信号特征,建立频域内的数学模型,通过数值仿真和实验得到了调频检测系统下的解调曲线。按照光的传输方向:激光器、声光晶体移频器、光波导环形谐振器、探测器,利用贝塞尔函数展开和光场耦合模理论分析了谐振式集成光学陀螺解调特性,及其调频调制检测系统解调输出信号与谐振频率偏差之间的关系。通过数值计算,分析了解调曲线的变化规律,得到了施加在激光器压电陶瓷驱动器上调制波形的最佳调制系数。在实验上搭建了激光器频率调制解调技术系统,得到了解调曲线。数值仿真和实验结果表明,当调制系数M=2时,线性工作区间斜率最大,解调曲线最好。实测形状与理论分析结果相符,从解调信号得到±2×103 rad/s的陀螺动态范围。 相似文献
37.
锁相检测式二维小角度测量装置 总被引:1,自引:1,他引:1
介绍了一种新型的二维小角度检测装置。由于该装置采用了光电自准直结构,以高灵敏度的四象限硅光电探测器作为检测元件,采用交流调制,锁相放大的方法对信号进行了处理,所以有效地消除了直流漂移的影响,提高了稳定性和测试精度。分析了光斑的形状和大小对测试结果的影响,研制了专门的标定装置。首先由高精度的光电自准直仪标定测量角度与输出信号的关系,并将相关数据存入单片机,然后由软件拟合出关系曲线。测量时,既可自动显示角度的大小,同时也可以与计算机相连。该测试系统结构小巧,具有较高的测量精度。 相似文献
38.
钍快中子裂变反应率是钍铀燃料循环中的重要数据.为了测量基于聚变-裂变混合能源堆包层概念设计的钍样品在宏观中子学装置中的钍快中子裂变数据,发展了钍快中子裂变率的离线活化γ测量方法.通过测量232Th裂变碎片85mKr的β衰变产物85Rb发射的151.16 keV特征γ射线,并结合钍裂变产额数据,获得了钍样品装置中232Th裂变反应率的分布.详细介绍了此方法的原理和影响因素,并利用14 MeV的D-T中子源在贫铀球壳中开展了校验实验,实验不确定度为5.3%—5.5%.采用MCNP5程序和ENDF/B-VI及ENDF/B-VII数据库模拟计算的结果与实验结果在实验不确定度内基本符合,这证明该方法能够有效地模拟装置中232Th裂变反应率. 相似文献
39.
黑腔靶中超热电子特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
近几年来,在“神光”装置上进行了1.053μm激光与平面靶及一系列柱形黑腔靶相互作用实验。用一台多道滤波—荧光X光能谱仪(FFS)测得各种靶发射的超热X射线谱,由谱推导超热电子温度T_h和超热电子总能量E_h当照射靶单束激光能量E_(tar)为400~670J、脉宽τ=650~1150ps时,发现黑腔内明显存在两群服从Maxwell分布高能电子(T_h=35~45keV;T_(hh)=150~350kev),而且E_(he)占E_(tar)的份额为10%~12%。实验还表明:腔内的E_(he)与非线性过程特征量(SRS)有较好的线性关系,因此推断出腔内超热电子产生的主要机制是受激Raman散射。在相同照射条件下,黑腔靶产生的超热电子比平面靶严重。 相似文献
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