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231.
232.
Methods are described for the determination of trace tellurium in acid solution in the absence and presence of the inorganic matrices As, P, Ga, GaP and GaAs and for the direct determination in solid GaP and GAs. The following methods were used: AAS with electrothermal atomization, AFS with electrothermal atomization, and AES with d.c. arc excitation. The conditions for each of the methods were optimized and the analytical results were compared. It is shown that AAS with electrothermal atomization gives the best absolute and also relative limit of detection for trace tellurium (90 pg Te, or 4 ppm Te in GaAs or GaP). Therefore this method is recommended for the determination of trace tellurium in very small samples of AIIIBV-semiconductors. 相似文献
233.
234.
Andreas Vogel 《Physik in unserer Zeit》1992,23(3):111-120
235.
Vogel 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1885,24(1):294
Ohne Zusammenfassung 相似文献
236.
Alfred Vogel 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1868,7(1):152-157
Ohne Zusammenfassung 相似文献
237.
J. J. Pohl und Aug Vogel Jr. 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1867,6(1):270-275
Ohne Zusammenfassung 相似文献
238.
239.
240.