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231.
S. H. Park J. H. Chang M. Yang H. S. Ahn S. N. Yi K. Goto M. W. Cho T. Yao J. S. Song 《Current Applied Physics》2004,4(6):607-610
Photoluminescence (PL) linewidth broadening of CdxZn1 − xSe/ZnSe triple quantum wells, grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE), has been investigated. Various quantum well (QW) samples have been prepared with different QW thickness and composition (Cd-composition). Measured and calculated PL linewidth are compared. Both composition and thickness fluctuations are considered for the calculation with the parameters such as the volume of exciton, nominal thickness and composition of QWs. Surface roughness measured by atomic force microscopy (AFM) is used to estimate the interface roughness. Results show that when Cd-composition increases additional linewidth broadening due to Zn/Cd interdiffusion is enhanced. 相似文献
232.
H. Schwanert und E. Salkowski 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1872,11(1):356-357
Ohne Zusammenfassung 相似文献
233.
Karl Dörge 《Mathematische Annalen》1941,118(1):310-311
Ohne Zusammenfassung 相似文献
234.
H. Holthöfer und A. Juckenack 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1941,122(7-8):302-303
Ohne Zusammenfassung 相似文献
235.
H. hadwiger 《Commentarii Mathematici Helvetici》1940,13(1):195-200
Ohne Zusammenfassung 相似文献
236.
H. A. Landwehr 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1884,23(1):603
Ohne Zusammenfassung 相似文献
237.
H. G. Zeuthen 《Mathematische Annalen》1869,1(3):432-454
Sans résumé 相似文献
238.
239.
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