首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   34250篇
  免费   4383篇
  国内免费   4592篇
化学   23458篇
晶体学   324篇
力学   2072篇
综合类   270篇
数学   4011篇
物理学   13090篇
  2024年   48篇
  2023年   485篇
  2022年   716篇
  2021年   913篇
  2020年   1003篇
  2019年   958篇
  2018年   853篇
  2017年   844篇
  2016年   1244篇
  2015年   1244篇
  2014年   1399篇
  2013年   1994篇
  2012年   2288篇
  2011年   3632篇
  2010年   2235篇
  2009年   2194篇
  2008年   1815篇
  2007年   1693篇
  2006年   1592篇
  2005年   1548篇
  2004年   2145篇
  2003年   1506篇
  2002年   1357篇
  2001年   1065篇
  2000年   726篇
  1999年   748篇
  1998年   721篇
  1997年   645篇
  1996年   618篇
  1995年   516篇
  1994年   503篇
  1993年   725篇
  1992年   762篇
  1991年   565篇
  1990年   497篇
  1989年   458篇
  1988年   195篇
  1987年   123篇
  1986年   129篇
  1985年   115篇
  1984年   80篇
  1983年   65篇
  1982年   49篇
  1981年   38篇
  1980年   35篇
  1979年   20篇
  1978年   14篇
  1977年   17篇
  1976年   10篇
  1975年   11篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
Boundedness of commutators on homogeneous Herz spaces   总被引:9,自引:0,他引:9  
The boundedness on homogeneous Herz spaces is established for a large class of linear commutators generated by BMO(R n ) functions and linear operators of rough kernels which include the Calderón-Zygmund operators and the Ricci-Stein oRfiUatory singular integrals with rough kernels. Project supponed in pan by the National h’atural Science Foundation of China (Grant No. 19131080) and the NEDF of China.  相似文献   
32.
Let $\{\xi_{\bold t}, {\bold t} \in {\bold Z}^d\}$ be a nonuniform $\varphi$-mixing strictly stationary real random field with $E\xi_{\bold 0}=0, E|\xi_{\bold 0}|^{2+\delta}<\infty$ for some $0<\delta<1$. A sufficient condition is given for the sequence of partial sum set-indexed process $\{Z_n(A),\ A\in \Cal A\}$ to converge to Brownian motion. By a direct calculation, the author shows that the result holds for a more general class of set index ${\Cal A}$, where ${\Cal A}$ is assumed only to have the metric entropy exponent $r, 0相似文献   
33.
聚硅烷研究进展 (1)聚硅烷的合成及应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
聚硅烷的合成及应用因可溶性聚硅烷的发现而成为聚合物研究的又一热点。本文综述了聚硅烷合成与应用的近期发展。  相似文献   
34.
报道四苯并卟啉锌/芳晴/有机玻璃TZT/AC/PMMA体系光化学烧孔的光谱稳定性、多重烧孔及激光诱导的填孔效应。 关键词:  相似文献   
35.
固体力学有限元体系的结构拓扑变化理论   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文是文[1]的继续.文[1]提出了杆件系统的结构拓扑变化理论和拓扑变化法本文将这一理论和方法推进到连续体有限元体系;且在此基础上揭示出有限元体系的一个新性质,称为基本位移之梯度的正交性定理,从而给出一套设计敏度的显式表达式,可直接用于计算.  相似文献   
36.
A simple method is introduced to improve the analysing accuracy of circular groove guide. With this method, the characteristic equation of circular groove guide is derived and its solution is given and discussed.The Project Supported by National Natural Science Foundation of P.R.China  相似文献   
37.
四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
卢红亮  徐敏  陈玮  任杰  丁士进  张卫 《物理学报》2006,55(3):1374-1378
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词: 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO2(001) 表面电子结构  相似文献   
38.
油水两液相一维非等温渗流的传递分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
在求解油水两液相非等温渗流的温度场、压力场基础上,以驱动功、驱动功率、驱动阻力、驱动速率为特征参数,对该过程进行(火用)传递分析。数值模拟的结果表明:含水通过降低油的相对渗透率、从而增大驱动阻力、减小驱动功率, 最终导致原油产量降低。  相似文献   
39.
Polycrystalline Pb(Zr0.55Ti0.45)O3 thin film was deposited on Pt/Ti/SiO2/Si(1 0 0) by radio-frequency-magnetron sputtering method, and the writing of charge bits on the surface of PZT thin film was studied by Kelvin probe force microscopy. It is found that the surface potential of the negative charge bits are higher than those of the corresponding positive ones. When ferroelectric polarization switching occurs, the potential difference becomes even more remarkable. A qualitative model was proposed to explain the origin of the asymmetric charge writing. It is demonstrated that the internal field in the interface layer, which is near the ferroelectric/electrode interface in ferroelectric film, is likely to be the cause for the occurrence of this phenomenon.  相似文献   
40.
The quantum states are presented in these processions of fabricating poly-Si films. Amorphous silicon films prepared by PECVD has been crystallized by conventional furnace annealing (FA) and rapid thermal annealing (RTA), respectively. It is found that the thin films grain size present quantum states with the increasing of the gas flow ratios of SiH4, H2 mixture, substrate temperatures, frequency power, annealing temperature and time.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号