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本文研究了线性模型响应变量被污染且被区间截断下的参数估计问题, 借助于区间数据的无偏转换, 得到了回归系数和污染系数的估计, 并在一定的条件下得到了这些估计的强相合性. 通过若干模拟例子说明, 尽管数据经过污染和区间截断的双重信息损失, 但用本文提出的方法得到的估计, 仍能取得良好的估计效果     

中国区域间技术创新的空间溢出效应研究

本文结合新经济地理学K关联的思想构造了外部技术创新溢出指数模型,在此基础上运用2006~2014年中国30个省级行政区的面板数据对中国区域间技术创新空间溢出效应进行了实证研究,结果表明:(1)全国技术创新溢出效应主要是东部地区带动的,东部地区的省份对东部、中部和西部地区其他省份存在技术创新溢出效应,而中部和西部并没有对其他地区技术创新产生溢出效应,并且中部地区和西部地区内部各省之间存在竞争效应。(2)无论是全国还是东部、中部和西部地区,R&D经费、R&D人员和知识存量均对技术创新产生正向作用,并且这些地区的技术创新产出均处于规模报酬递减阶段,不同的是,全国、东部和中部地区R&D人员对技术创新的贡献比R&D资本要大,而西部地区R&D资本对技术创新的贡献则要大于R&D人员。     

经典风险模型中破产概率的一个渐近式

本文研究经典风险模型中破产概率的渐近行为．利用几何和的方法，获得了索赔额的分布属于S（γ）．γ〉0。时破产概率的一个局部渐近式．同时．给出了一个具体的数值的例子．     

高压退火对碳纳米管微结构转变的影响

利用高分辨电子显微镜研究了在高压退火条件下碳纳米管的微结构变化规律，发现在5.5GPa下，770℃退火后即发生了明显的结构改变；在950℃退火25min后发现形成了类碳纳米洋葱和纳米碳条带结构.碳纳米管转变成类碳纳米洋葱可以分成几个步骤，首先碳纳米管破裂，然后形成碳纳米球，最后形成类碳纳米洋葱结构.讨论了高压和退火温度对碳纳米管结构变化的影响. 关键词：     

关于非线性规划问题的组合同伦内点法

文[1]在条件(C1)、(C2)和(C3)之下，利用组合同伦内点法讨论了非凸非线性规划问题K—K—T点的存在性，本文对条件(C2)和(C3)进行了改进和处理。     

基于超声波测量技术的颗粒尺寸分布模型的研究

提出了一种利用单颗粒背向散射信号来进行粒径分布估算的超声波测量技术,系统阐述了其 理论基础及基本工作原理。被测颗粒的散射信号幅度与它在探测区中的位置、颗粒尺寸和形状有关。 通过理论分析,建立了一个可用于描述散射信号幅度概率分布与颗粒系尺寸分布之间关系的数学模 型,对该模型的反演计算便可得到颗粒系的尺寸分布信息。为了避免求解过程中的病态系数矩阵问 题,将模型求解转化成了易于解决的最优化问题。仿真实例结果验证了该技术的可行性。     

纳米晶体结构与性能的模拟研究

通过分子动力学方法模拟纳米晶体（1—3nm）的结构．利用模拟的结果，进行了X射线衍射点阵常数、晶粒尺寸及点阵畸变的模拟计算，还计算了结合能及弹性模量等．结果表明纳米晶体无论是晶界和晶粒都与传统的粗晶粒晶体材料没有本质的区别，只是由于晶粒尺寸变小，以及晶界的体积分数等的作用，导致一系列的性能差异 关键词：     

Bagging算法在混合适应性样条中的应用

本文通过分析Bagging算法在混合适应性样条估计中的作用，提出了一种新的空间适应性非参数函数估计算法．模拟研究表明该算法在空间适应性上具有明显优势，在估计精度和稳定性方面也可与其他同类方法相媲美，并且易于推广到多元情形．     

YBCO薄膜中自旋极化准粒子的注入效应

采用Nd0 .7Sr0 .3MnO3/SrTiO3/YBa2 Cu3O7-δ的异质结构 ,研究了自旋极化准粒子的注入效应 .在 5 6 μm宽的YBCO膜条上成功地制备了与超导膜条同样宽度但不同长度的六个注入结区 ,长度L分别为 80 μm ,4 0 μm ,2 0 μm ,10 μm ,5 μm和 2 μm .80nm厚的YBCO薄膜在 16K温度下Jc 为 2× 10 5A/cm2 .Iin=0 .5mA的自旋电流注入下 ,随L从 80 μm逐渐顺次减小时 ,注入效率 η =ΔJc/ΔJin逐渐增大 .而当L≤ 2 0 μm后 ,η不再增加 ,达到几乎相同的值 (～ 6 ) .初步分析认为这与自旋极化准粒子在超导膜内的有效自旋扩散长度有关 .异质结构中YBCO薄膜的超导电性以及注入窗口的尺寸对获得大的自旋注入效率十分重要 .     

表面等离子体亚波长光学前沿进展

目前表面等离子体激元(surface plasmon polaritons，SPPs)在光存储、光激发、显微术以及生物光子学等领域中的应用前景受到了广泛的关注．文章介绍了SPPs的基本性质和表面等离子体亚波长光学(surface plasmons subwavelength optics)研究中的热点问题及发展方向．