Dynamical Model of QCD Vacuum and Color Thaw at Finite Temperatures

In terms of the Nambu-Jona-Lasinio (NJL) mechanism, the dynamical symmetry breaking of a simple localgauge model is investigated. An important relation between the vacuum expectation value of gauge fields and scalarfields is derived by solving the Euler equation for the gauge fields. Based on this relation the SU(3) gauge potential isgiven which can be used to explain the asymptotic freedom and confinement of quarks in a hadron. The confinementbehavior at finite temperatures is also investigated and it is shown that color confinement at zero temperature can bemelted away under high temperatures.     

Oxidation of nonamethylferrocenylcarbinols

Conclusions The reactions of secondary nonamethylferrocenylcarbinols with BaMnO₄ lead mainly to oxidation of the methyl group of the pentamethylcyclopentadienyl ligand and to the formation of heteroannular aldehyde alcohols.Translated from Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Seriya Khimicheskaya, No. 2, pp. 431–434, February, 1988.     

磁场中简并四波混频的偏振旋转效应

本文讨论了磁场中简并四波混频的偏振旋转效应。计算了J_g=0→J_e=1跃迁的三阶非线性极化率X_yxx⁽³⁾。它包括两个部分:一部分是由于布居差的饱和效应产生的;另一部分是由于原子与光场的相互作用中,感生出来的塞曼相干所造成的。 关键词：     

简并四波混频中的能级交叉效应

我们用微扰方法计算了近简并准二能级系统的三阶非线性极化率x⁽³⁾(-ω;ω,ω,-ω)。研究了简并四波混频的能级交叉效应,并与共振荧光的能级交叉效应比较。指出简并四波混频的能级交叉效应可用来测量上能级及下能级的弛豫速率。 关键词：     

中波红外3 μm～5 μm宽带通滤光片的研制

 中波红外宽带通滤光膜通常膜系层数多,膜层总厚度非常大（厚度达到10 μm左右）,膜层的镀制工艺难度较大。通过分析红外带通滤光片几种设计方法的特点,并结合实际镀制工艺技术,采用了长波通与短波通及非规整薄膜设计技术相结合的方法,设计了以锗材料为基底的中波3 μm～５ μm宽带通滤光膜。该设计大幅度降低了膜层的总厚度（约为8.65 μm）,缩短了膜层的镀制周期,提高了膜层的牢固度;在膜层的镀制工艺过程中,通过改变薄膜材料的蒸发速率、修正蒸发硫化锌材料时电子枪的扫描方式、调整蒸发材料在坩埚中的装载方法,使膜层获得了优异的光谱性能,其通带平均透过率大于96%,截止区域的平均透过率小于1%。     

Cu(001)表面CO吸附单层结构和电子态的第一性原理研究

用密度泛函理论(DFT)研究了Cu(001)表面CO吸附单层的表面性质. 总能计算结果表明, 顶位结构总能最低, 相应位置的CO分子吸附能最大. 谷位吸附结构的衬底原子层间距相对于清洁表面的膨胀量约为10%, 从而导致了谷位吸附的不稳定性. 在顶位、桥位和谷位三个吸附结构中, C和Cu原子之间的距离dC-Cu分别为0.1868、0.1975和0.2231 nm, 对应的CO分子键长为0.1154、0.1165 和0.1175 nm. 计算了CO分子的态密度(DOS). 结果表明, 衬底与分子的作用主要是分子和金属轨道的杂化. 在吸附过程中, 电荷主要从碳原子的s轨道向p轨道转移. 在顶位、桥位和谷位吸附结构中, 每个碳原子内电荷的转移量分别为0.45e、0.54e 和0.55e. 衬底向吸附分子的电荷转移量不大, CO 吸附分子层为一绝缘层.