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本文从速率方程出发,讨论了类锂铝复合等离子体的激发态结构,衰减常数,反转率和小信号增益等表征介质增益特性的物理量以及它们随电子温度,电子密度和光子逃逸几率的变化。找到了进行类锂铝离子通过复合机制产生X光激光设计应创造的等离子体状态目标区域。还讨论了这些物理量随原子序数变化的定标律。 相似文献
33.
Heng-You Lan 《Journal of Mathematical Analysis and Applications》2007,327(1):481-493
In this paper, we introduce and study a new system of nonlinear A-monotone multivalued variational inclusions in Hilbert spaces. By using the concept and properties of A-monotone mappings, and the resolvent operator technique associated with A-monotone mappings due to Verma, we construct a new iterative algorithm for solving this system of nonlinear multivalued variational inclusions associated with A-monotone mappings in Hilbert spaces. We also prove the existence of solutions for the nonlinear multivalued variational inclusions and the convergence of iterative sequences generated by the algorithm. Our results improve and generalize many known corresponding results. 相似文献
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利用微扰展开技术推导出变参数波振器的小信号增益两个近似求积表达式并将其计算结果与数值模拟结果进行了比较,二者吻合很好。利用近似解析式对小信号增益进行了初步探讨,得到了电子入射能量可低于初始谐振能,能散度允许范围受波振器设计影响以及降低锥度改变率可提高小信号增益等新结论。 相似文献
35.
Suoyuan Lian Lei Gao Zhenhui Kang Di Wu Yang Lan Lin Xu 《Solid State Communications》2004,132(6):375-378
Single-crystal magnetite nanowires with average diameter of ca. 20 nm and length of up to several micrometers were prepared by a simple alkaline surfactant-free hydrothermal process. The crystallinity, purity, morphology, and structural features of the as-prepared magnetite nanowires were investigated by powder X-ray diffraction, transmission electron microscopy (TEM) and selected area electron diffraction. The composition and length of nanowires depends on the pH, with higher pH favoring longer nanowires composed entirely of Fe3O4. A mechanism for nanowire growth is proposed. 相似文献
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对于高温高压下氩等离子体的电离度和物态方程,本文给出了一种基于Thomas-Feimi(TF)统计模型的简化计算新方法:首先将TF模型电离势的数值结果进行函数逼近,给出一个便于数值求解的计算电离度的近似计算方法,并由此计算了局部热动平衡下的氩等离子体在10~1000 eV高温范围内的物态方程.计算结果与国外报道的其他几种理论模型的计算结果均符合很好,与实验值也吻合较好.本文所提出的简单模型也适用于计算混合物物态方程,可以在电磁发射技术领域中的强电离等离子体中有更为广阔的应用前景. 相似文献
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Unintentionally doped and zinc-doped indium nitride (U-InN and InN:Zn) films were deposited on (0 0 0 1) sapphire substrates by radio-frequency reactive magnetron sputtering, and all samples were then treated by annealing to form In2O3 films. U-InN and InN:Zn films have similar photon absorption characteristics. The as-deposited U-InN and InN:Zn film show the absorption edge, ∼1.8-1.9 eV. After the annealing process at 500 °C for 20 min, the absorption coefficient at the visible range apparently decreases, and the absorption edge is about 3.5 eV. Two emission peaks at 3.342 eV (371 nm) and 3.238 eV (383 nm) in the 20 K photoluminescence (PL) spectrum of In2O3:Zn films were identified as the free-exciton (FE) or the near band-to-band (B-B) and conduction-band-to-acceptor (C-A) recombination, respectively. 相似文献
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