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101.
从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于085的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关系,结 果表明,应变的S iGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出了 用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应 变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度,两者可以较好的符合,表明带隙法测量SiG e应变弛豫度是可行的.
关键词:
SiGe合金
应变
带隙 相似文献
102.
研究了晶场二级效应在PrF3晶体中的作用,发现该效应可使Pr3+离子的晶场单态与其他态混合,对PrF3晶体磁化率产生明显影响.进一步研究了晶体内的交换作用有效场,其形式为Hin=(1.9-0.02556T)×10-5M,在100—300 K的温度范围内,以此计算的PrF3晶体的倒数磁化率和Verdet常数的倒数与实验值符合较好.结果表明,在PrF3晶体中,晶场二级效应与离子间的交换作用都不能忽略.
关键词:
晶场二级效应
交换作用有效场
Verdet常数
3晶体')" href="#">PrF3晶体 相似文献
103.
Channel temperature determination of a multifinger AlGaN/GaN high electron mobility transistor using a micro-Raman technique 下载免费PDF全文
Self-heating in a multifinger AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) is investigated by micro-Raman spectroscopy. The device temperature is probed on the die as a function of applied bias. The operating temperature of the AlGaN/GaN HEMT is estimated from the calibration curve of a passively heated AlGaN/GaN structure. A linear increase of junction temperature is observed when direct current dissipated power is increased. When the power dissipation is 12.75 W at a drain voltage of 15 V, a peak temperature of 69.1°C is observed at the gate edge on the drain side of the central finger. The position of the highest temperature corresponds to the high-field region at the gate edge. 相似文献
104.
Compact temperature-insensitive modulator based on a silicon microring assistant Mach-Zehnder interferometer 下载免费PDF全文
<正>On the silicon-on-insulator platform,an ultra compact temperature-insensitive modulator based on a cascaded microring assistant Mach-Zehnder interferometer is proposed and demonstrated with numerical simulation.According to the calculated results,the tolerated variation of ambient temperature can be as high as 134℃while the footprint of such a silicon modulator is only 340μm~2. 相似文献
105.
To date, the lithium ion battery has become the focus of secondary battery studies. A considerable capacity loss during the first lithiation of its carbon electrode is a severe drawback of this kind of battery. It has been suggested frequently that the capacity loss was caused by the decomposition of the electrolyte on the surface of the carbon electrode. However, the contribution of binder reduction to this capacity loss has never been considered until now. This paper deals with the binder polytetrafluorethylene (PTFE) reduction and finds that it plays an important part in the capacity loss. It is found that (1) the capacity loss increased with increasing PTFE binder content, (2) the X-ray diffraction peaks corresponding to the PTFE, binder became weaker, while more of the lithium was consumed by the carbon electrode, and disappeared when the consumed amount of lithium exceeded the theoretical value of 1070 mAh per gram of PTFE and (3) the height of the high voltage plateau of the electrochemical titration curves was just a function of storage time, and the length of the plateau was a function of the PTFE content. 相似文献
106.
基于两个正交一维物体的单幅图像相机标定 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了一种利用两个正交一维物体构成"T"型靶标进行摄像机标定的新方法。该方法只需对"T"型靶标上已知坐标的5点投影一幅图像,然后根据柔性靶标原理计算出由虚点和标记点组成的共直线的4点,由射影变换同素性、接合性以及交比不变性标定出镜头的一阶径向畸变参数。利用已知畸变参数对图像进行畸变校正,然后由基于两个正交一维物体坐标变换的方法即可标定出相机的内外参数。该方法线性求解镜头畸变参数,避免了传统方法非线性迭代优化过程中产生的参数耦合现象。实验表明,不进行镜头畸变校正则相机标定精度随着图像噪声的增加呈不稳定状态;进行畸变校正后对简单标定计算的初始值进行优化得到稳定的高精度标定结果。整个实验设备简单,操作方便,只需一幅图像即可实现镜头畸变和相机内外参数的标定,可以达到实时的效果。 相似文献
107.
有机复合样品如大多数由低原子序数物质构成的多聚物组合材料、生物软组织等具有混合相位和振幅特性,采用传统吸收计算机层析(CT)或纯相位重构算法难以达到较高密度分辨的目的。采用基于吸收修正的Bronnikov相位恢复算法的X射线同轴相衬CT技术对高分子混合组份材料和药物医学样品进行了实验研究。结果表明该相位恢复算法可以实现多聚物组合材料的无损分辨和精确测量,能够清晰辨别各组份材料的电子密度分布;验证了药物样品多孔性结构三维测量的可行性,能够有效提供孔隙测量的阈值选择。该方法在材料科学尤其是聚合物组合材料、泡沫多孔材料都会发挥很好的作用;单距的低辐射优势,尤其适用于生物医学样品三维无损成像。 相似文献
108.
109.
110.
报告了一种新的长焦距光学系统杂光系数测量装置,该装置除具有避免了制作大直径积分球的优点外,还能精确测量轴外杂光系数,分析各部分杂光源对杂光系数的影响. 相似文献