二甲双胍化学反应性的密度泛函理论研究及实验研究

二甲双胍(MET)是一个非常优良的降血糖药,一直是治疗II型糖尿病(T2DM)的首选药物,但其脂溶性较差,也存在引起胃肠道不适等副作用,对其结构修饰和衍生化,特别是将其研制成前药(Prodrug)具有一定的临床意义。为了探明二甲双胍化学反应的性能特点,本文基于密度泛函理论（DFT）开展了二甲双胍的化学内禀性质研究,包括各种可能互变异构体的单点能和量子化学反应性指数。此外,还对各异构体互变过程的过渡态以及它们的反应路径进行了研究。在此基础上,本文还对二甲双胍与亲电试剂的化学反应机理进行了初探,并用化学合成反应来验证,从而让我们能够从理论上弄清楚二甲双胍化学反应的特殊性质。     

水泥聚苯模壳格构式混凝土墙体的抗侧性能试验及分析

论文介绍6片不同高宽比的水泥聚苯模壳格构式混凝土墙体在轴压力和水平往复侧推力作用下的试验,分析这种墙体的抗侧强度、刚度和延性等力学性能.试验表明,高宽比大于1的墙体破坏时表现为墙体跟部的单一水平裂缝,其他部位完好;高宽比3∶4的墙体破坏时存在多条通过格构梁柱的斜向裂缝,墙体裂缝分布密集,变形能力好.     

离线预富集电感耦合等离子体质谱法测定天然水体中溶解态硅

以Mg(OH)2共沉淀和阳离子交换树脂作为离线预富集方法,建立了天然水体中溶解态硅电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)测定方法。实验采用NaOH作为Mg(OH)2沉淀引发剂,以共沉淀方式将溶解态硅元素从天然水体中分离富集,再利用阳离子交换树脂将基体Mg2 清除,并对洗脱液流速、共沉淀碱度等条件进行优化选择。结果显示:Mg(OH)2共沉淀步骤可定量回收溶解态硅,控制溶液通过阳离子交换树脂的速率可将硅元素与基体Mg2 完全分离而不会造成损失。不同基体的水样的加标回收率为99%~105%,方法检出限为4.5μg/L(3S,n=8),方法精密度RSD小于3%。     

用于双光子激发荧光寿命显微成像的高重复频率皮秒扫描相机

建立了一台基于新研制的高重复频率皮秒扫描相机的双光子激发荧光寿命显微成像系统,重点介绍所研制的高重复频率皮秒扫描相机。为了在高时间分辨力的同时扩大时间测量范围,实现大面积两维空间高时间分辨取样测量,从而提高采样速率和更有效地发挥扫描相机的作用,设计和研制了一种大面积、高时间分辨力扫描变像管和一种重复频率高达1MHz的斜坡电压扫描电路。基于上述关键部件所研制的扫描相机具有重复频率高、扫描速度可调、时间分辨力高、工作面积大、非线性低、触发晃动小等优点。用钛宝石飞秒激光器作为激光脉冲源,通过脉冲提取器将76MHz的高重复频率降低为1MHz,采用可调延时器和标准具对扫描相机的时间分辨力、扫描速度和非线性进行标定。该系统的时间分辨力达到6.5ps,非线性为2.60%,可测量的时间范围从十几皮秒到几十纳秒。测量了若丹明6G和香豆素314两种标准荧光染料的荧光寿命,取得了与参考文献一致的实验结果。     

反应磁控溅射制备TiO2和Nb2O5混合光学薄膜

利用反应磁控溅射技术在BK-7基片上制备了二氧化钛和五氧化二铌均匀混合的光学薄膜.薄膜的内部微结构、表面形貌、化学成分比例以及光学性质等用X射线衍射、高分辨扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和紫外可见近红外分光光度计进行研究;发现制备的薄膜为非晶结构,薄膜的表面平整、内部结构致密,不存在柱状结构或结晶颗粒的缺陷,TiO2与Nb2O5的成分比例大致是1∶1.54.从光学透射光谱计算的折射率和消光系数显示,在550 nm波长处的折射率为2.34,消光系数为2.0×10－4.结果表明制备的薄膜是TiO2和Nb2O5均匀混合的高质量光学薄膜.     

Measurement of thermal rise-time of a laser diode based on spectrally resolved waveforms

Thermal resistance and thermal rise-time are two basic parameters that affect most of the performances of a laser diode greatly. By measuring waveforms received after a spectroscope at wavelengths varied step-by-step, the spectrally resolved waveforms can be converted to calculate the thermal rise-time. Basic formulas for the spectrum variation of a laser diode and the measurement set-up by using a Boxcar are described in the paper. As an example, the thermal rise-time of a p-side up packaged short-pulse laser diode was measured by the method to be 390 μs. The method will be useful in characterizing diode lasers and LD modules in high-power applications.     

Fabrication and characterization of double-wall carbon nanotube absorber for passive mode-locked Nd:GdVO<Subscript>4</Subscript> laser

Using the vertical evaporation technique we fabricated saturable absorbers by transferring the double-wall carbon nanotubes (DWCNT) onto a hydrophilic quartz substrate. The fast recovery time and the saturation intensity of the absorber were measured to be 228 fs and 130 μJ/cm², respectively, at 1060 nm. The modulation depth of the absorber was about 3.7%. Passive mode-locked Nd:GdVO₄ laser was demonstrated. The continuous wave mode-locked pulses pulse duration is 5.6 ps and the largest average output power is 1.2 W at the pump power of 9.5 W. To the best of our knowledge, this is the first demonstration of high power continuous wave mode locking laser with DWCNT absorber.     

Effect of pyrolytic polyacrylonitrile on electrochemical performance of Si/graphite composite anode for lithium-ion batteries

The silicon/graphite (Si/G) composite was prepared using pyrolytic polyacrylonitrile (PAN) as carbon precursor, which is a nitrogen-doped carbon that provides efficient pathway for electron transfer. The combination of flake graphite and pyrolytic carbon layer accommodates the large volume expansion of Si during discharge-charge process. The Si/G composite was synthesized via cost-effective liquid solidification followed by carbonization process. The effect of PAN content on electrochemical performance of composites was investigated. The composite containing 40 wt% PAN exhibits a relatively better rate capability and cycle performance than others. It exhibits initial reversible specific capacity of 793.6 mAh g^?1 at a current density of 100 mA g^?1. High capacity of 661 mAh g^?1 can be reached after 50 cycles at current density of 500 mA g^?1.     

缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响

由于ZnO缓冲层对纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致阱和右垒的尺寸、Mg组分值等因素将影响系统中形成二能级.本文考虑内建电场、导带弯曲及材料掺杂对实际异质结势的影响,利用有限差分法数值求解Schr?dinger方程,获得电子的本征能级和波函数,探讨ZnO缓冲层对此类量子阱形成二能级系统的尺寸效应及三元混晶效应的影响;利用费米黄金法则探讨缓冲层、左垒、阱及右垒宽度和三元混晶效应对此类量子阱电子子带间跃迁光吸收的影响.计算结果显示:对于加入ZnO缓冲层的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深单量子阱二能级系统,左垒宽度临界值会随着阱宽和Mg组分值的增大而逐渐减小,随着右垒宽度和缓冲层厚度的增大而逐渐增大;量子阱中电子子带间跃迁光吸收峰会随着左垒、右垒尺寸以及Mg组分的增大发生蓝移,随着阱宽增大而发生红移.本文所得结果可为改善异质结器件的光电性能提供理论指导.     

多源共蒸发制备高性能REBa2Cu3O7-x涂层导体的进展与展望

REBa2Cu3O7-x (RE：钇、钆等稀土元素,REBCO）高温超导体因其具备较高的不可逆场和上临界场等优越性能,一经发现就备受关注。但由于材料本身固有的陶瓷性及弱连接等属性,导致其实际应用起来难度较大。目前,人们已经发展了诸多制备工艺来克服这些困难,实现了REBCO超导体的实际应用。按照前驱膜沉积方法可将REBCO超导薄膜的制备分为物理法和化学法。本文综述了物理气相沉积（PVD-Physical Vapor Deposition）法中多源共蒸发法制备REBCO超导薄膜的技术起源及演变历程,并与金属有机沉积、金属有机化学气相沉积、脉冲激光沉积等不同方法生产的REBCO超导带材进行对比,突出多源共蒸发法制备的REBCO薄膜性能优异、在商业化生产效率上具有更大的优势。最后对多源共蒸发法制备REBCO超导薄膜进行总结及展望,解决多源共蒸发沉积制备REBCO薄膜的成相机理、提高薄膜的钉扎中心等问题对未来第二代高温超导带材的大规模应用具有重要意义。