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151.
This paper through discussing subdifferentiability and convexity of convex functions shows that a Banach space admits an equivalent
uniformly [locally uniformly, strictly] convex norm if and only if there exists a continuous uniformly [locally uniformly,
strictly] convex function on some nonempty open convex subset of the space and presents some characterizations of super-reflexive
Banach spaces.
Supported by NSFC 相似文献
152.
本文是文[1-7]的继续,研究变权综合问题,从确定变权的经验公式入手引出了变权原理,给出了变权的公理化定义,讨论了与之有关的均衡函数及其梯度向量。 相似文献
153.
The Al2O3−CdSe interface of a thin-film transistor is investigated in the frequency range 30 Hz-30 kHz under weak depletion and accumulation.
The surface states are, most likely, located in the insulator Al2O3 with a concentration varying from 4·1018 to 1019 cm−3 eV−1. The surface states have a negligible influence on the thin-film transistor operation. 相似文献
154.
155.
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词:
Yb:KYW
TSSG法
晶体结构
光谱参数 相似文献
156.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
157.
Li Boyu 《数学学报(英文版)》1991,7(3):247-251
H. Crapo raised in 1982 the following problem: IfP is a complete lattice, is Retr (P) a complete lattice? here Retr (P) denotes the set of all retraction operators onP with the pointwise order, that is,f≤g in Retr (P) ifff(x)≤g(x) for everyx inP. An affirmative answer will be given in the present paper. 相似文献
158.
159.
Zi-Cai Li 《Numerical Methods for Partial Differential Equations》1989,5(4):279-295
The nonconforming combination of Ritz-Galerkin and finite difference methods is presented for solving elliptic boundary value problems with singularities. The Ritz-Galerkin method is used in the subdomains including singularities, the finite difference method is used in the rest of the solution domain. Moreover, on the common boundary of two regions where two different methods are used, the continuity conditions are constrained only on the nodes of difference grids. Theoretical analysis and numerical experiments have shown that average errors of numerical solutions and their generalized derivatives can reach the convergence rate O(h2-δ), where h is the mesh spacing of uniform difference grids, and δ is an arbitrarily small, positive number. This convergence rate is better than O(h), obtained by the nonconforming combination of the Ritz-Galerkin and finite element methods. 相似文献
160.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献