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181.
Ping-xing Chen Jian-ming Cai Zheng-wei Zhou Guang-can Guo 《量子光学学报》2006,12(B08):72-73
The second law of thermodynamics is one of the most fundamental and for-reaching laws of physics. It teaches us that when a closed system undergoes a thermodynamic process the entropy of the system never decreases; it increases, or at least remains constant. If the entropy increases the thermodynamic process is irreversible, otherwise it is reversible. Only ideal thermal process is reversible. In classical world a great number of facts have proved the second law is true. But in quantum world since the quantum coherence and correlations exist we are not sure the second law is still true, at least in principle. This is because that: 1. on the microscopic level the irreversibility is conflict with the reversibility of all fundamental physical laws ; 2. there are not enough evidences to show it is true in quantum world. 相似文献
182.
183.
通过X射线衍射及磁测量手段研究了Dy2AlFe16-xMnx化合物的结构和磁性.研究结果表明Dy2AlFe16-xMnx化合物具有六角相的Th2Ni17型结构.对x=1,2的样品采用X射线热膨胀测定法在104-647K的温度范围内测量了其热膨胀性质,发现这些化合物在低温下存在热膨胀反常现象,在居里点附近出现负膨胀性质.对自发磁致伸缩的研究结果表明Dy2AlFe16-xMnx化合物中存在着较强的各向异性的自发磁致伸缩,随着Mn含量的增加,其低温下的自发体磁致伸缩减弱.磁测量结果表明Mn的替代导致Dy2AlFe16-xMnx化合物的居里温度及自发磁化强度急剧下降. 相似文献
184.
模拟退火法在吸收薄膜的椭偏反演算法中的应用 总被引:18,自引:4,他引:14
将一种广泛用于求解复杂系统优化问题的技术--模拟退火法--用来求解椭偏反演方程。首先假设一个薄膜模型,计算出其相应的椭偏参数(Ψ,Δ)的值,在这个计算值的基础上加入不同标准偏差的高斯噪声;然后将加入噪声后的值(Ψm,Δm)作为模拟的测量数据,采用模拟退火算法进行求解,验证得知这种方法求得的薄膜参数很接近于假设的薄膜模型参数的真值,与其他文献的报道结果一致,而且在扩大搜寻范围时,仍然可以得到准确解,从而证明了该方法的可行性以及有效性。 相似文献
185.
186.
187.
薄原子蒸汽膜的单光子Dcike窄化吸收光谱可以拓展到双光子情形,以级联三能级系统为例,从理论上得到了亚多普勒结构的双光子吸收光谱,其线型表现出和单光子过程相似的与膜厚和探测光波长的比值(L/λ)相关的周期性.当L/λ=(2n+1)/2(膜厚为半波长的奇数倍)时,吸收谱线窄化现象明显.当L/λ=2n/2(膜厚为半波长的偶数倍)时,单光子情形的谱线窄化现象消失,而双光子情形的谱线仍表现为亚多普勒结构,尤其在异侧入射的情形下,可以获得极窄的双光子谱线结构. 这种结构来自原子与腔壁碰撞的消激发效应和双光子过程的抽运-探测机制的贡献.
关键词:
薄原子蒸汽膜
双光子光谱
Dicke窄化 相似文献
188.
189.
采用从头算CCSD(T)/6-311 G(2d,2p)//B3LYP/6-311G(d,p)方法,研究了自由基-分子反应F CH2CHCH3的各种不同的反应通道.该反应主要是通过复合物形成机制进行,即F分别加到碳碳双键的两端形成自由基复合物1和2.这两种亚稳态自由基会解离成三种产物:H C3H5F、CH3 C2H3F和HF C3H5.理论计算结果表明,生成CH3 C2H3F是反应的主要通道,而生成H C3H5F和HF C3H5对产物也有一定的贡献.这一结果和实验符合得很好. 相似文献
190.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
关键词:
MOCVD
InGaAs/InGaAsP
应变量子阱
分布反馈激光器 相似文献