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81.
Xiao-Min Nie Bo-Yang Shao Chen-Hui Qu Ling Zhou 《International Journal of Theoretical Physics》2013,52(9):3011-3019
We generalize usual second-order effective Hamiltonian approximation into third-order. Employing the generalized method, we propose a scheme to generate three-spin interaction using coupled cavity chain. We show that the third order term not only improves two parties interaction but also induces direct three-spin interaction which has not been simulated before. By controlling the frequency of laser field, one can obtain next nearest neighbor interaction on the same order with the nearest neighbor’s or the three-spin interaction on the same order as next nearest neighbor’s. 相似文献
82.
We analyze a least-squares asymmetric radial basis function
collocation method for solving the modified Helmholtz equations. In
the theoretical part, we proved the convergence of the proposed
method providing that the collocation points are sufficiently dense.
For numerical verification, direct solver and a subspace selection
process for the trial space (the so-called adaptive greedy
algorithm) is employed, respectively, for small and large scale
problems. 相似文献
83.
84.
卟啉和金属卟啉不仅是良好的电子给予体,而且在紫外可见光区有着非常广泛的吸收,这有利于太阳能的利用.富勒烯(C60)由于自身独特的结构而成为较好的电子受体.近年来,大量共价键连卟啉-富勒烯D-A化合物被合成与研究[1-4].通过柔性连接体形成的卟啉-富勒烯化合物有利于增加给-受体间电子的流动性,使化合物具有优良的光电转换性能[2].中间体和产物的合成见图1.1和2的合成、纯化参照文献[2].3的合成:在N2下把37.2mg对羟基苯甲醛、75.2mg2、过量灼烧的无水碳酸钾加入30mL DMF中,80°C反应8h后,甲苯和蒸馏水分液,粗产品用硅胶柱层析,甲苯淋洗,… 相似文献
85.
采用传统固相法和水热法成功地制备出棒状La2Zr2O7:Eu3+荧光粉. 利用X射线粉末衍射仪、透射电镜和荧光光谱仪等分析了产物的结构、形貌和发光特性. 结果表明红色荧光粉La2Zr2O7:Eu3+有良好的晶相,属于立方结构,空间点群为Fd3m; 其形貌主要为纳米棒, 平均直径约47 nm, 长度为50~700 nm. 并对纳米棒的生长机理进行了探讨. 在466 nm蓝光激发下,La2Zr2O7:Eu3+荧光粉能发射出Eu3+的特征红色荧光,发射主峰位于616 nm处,归属于Eu3+的5DO→7F2超灵敏电偶极跃迁.此外,在产物的发射光谱中能够观察到5D1→7FJ (J=0, 1, 2)跃迁和5D1→7FJ (J=1, 2, 4)跃迁的劈裂峰,这说明Eu3+处在低对称性的晶体场格位中. 相似文献
86.
A new image fusion encryption algorithm based on image fusion and DNA sequence operation and hyper-chaotic system is presented. Firstly, two DNA sequences matrices are obtained by encoding the original image and the key image. Secondly, using the chaotic sequences generated by Chen's hyper-chaotic maps to scramble the locations of elements from the DNA sequence matrix which generated form original image. Thirdly, XOR the scrambled DNA matrix and the random DNA matrix by using DNA sequence addition operation. At last, decoding the DNA sequence matrix, we will get the encrypted image. The simulation experimental results and security analysis show that our algorithm not only has good encryption effect, but also has the ability of resisting exhaustive attack and statistical attack. 相似文献
87.
An optical bandpass filter (OBF) is an important element whose properties considerably influence the output performance of a single side band multicarrier source based on a re-circulating frequency shifter. The influence of the OBF in the loop on the output spectrum is theoretically analyzed. Numerical simulations and experiments are Mso carried out. Results show that the steepness and deepness of a nonflat-top filter influence the stability of the spectrum of an output multicarrier. To obtain multicarrier output with tone to noise ratio (TNR) 〉26 dB and error vector magnitude (EVM) 〈0.25, the steepness ratio of the filter should be greater than 0.75 and deepness should be larger than 0.99. 相似文献
88.
为解决用示波器观测单变量非线性系统难的问题, 本文提出了一种45°线法, 该方法能将随时间变化的连续信号以特殊的方式转换成直角坐标上45°线上的点图, 并可用通用双踪示波器 (模拟或数字均可)直接显示出来, 从而达到直接方便地观测和分析单变量被测系统运行时的各种状态, 如周期稳定态, 局部和全局不稳定态. 文中详细阐述了该方法的机理. 同时, 研究和解决了设计实现该方法物理电路的关键问题, 即从连续变化的信号中提取出能反映系统状态的有用信号. 由于蔡氏电路是典型的非线性系统, 且能随参数的变化产生各种丰富的状态, 本文选用该电路作为被测系统进行了大量的物理实验, 实验结果证实了该方法的有效性和实用性.
关键词:
45°线法
单变量系统
系统状态
双踪示波器 相似文献
89.
采用红外光谱技术对未知气体组分进行监测,需要对气体组分进行定性识别分析。基于多元线性回归模型的LASSO变量选择技术广泛应用于数据分析领域。将LASSO方法引入到红外光谱分析领域,提出一种LASSO变量选择技术结合循环线性最小二乘(LCLS)分析的定性识别方法,并开展了相关的实验对其进行验证。实验采集CO,C2H4,NH3,C3H8,C4H10和C6H14六种单组分傅里叶变换红外(FTIR)光谱吸光度谱以及一组C2H4和NH3混合组分的吸光度谱,结合实验室自建光谱数据库,先采用LASSO方法对采集的光谱进行初步定性分析,然后使用LCLS方法剔除干扰组分。实验结果表明,LASSO结合LCLS的方法能有效识别出光谱中的目标组分,即使是在干扰严重的光谱波段也可以剔除掉大部分的干扰组分。 相似文献
90.
Baowei Qiao Jie Feng Yun Ling Ting’ao Tang Bomy Chen 《Applied Surface Science》2006,252(24):8404-8409
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory. 相似文献