差动式光纤微小角度传感器

采用双面反射调制技术,设计了双光纤差动式光纤微小角度传感器.动态范图±10’,分辨率1",精度可达3".可用于各种非接触微小角度的测量场合.     

高温退火处理下SiNx薄膜组成及键合结构变化

采用等离子增强化学气相沉积法, 以氨气和硅烷为反应气体, p型单晶硅为衬底, 低温下(200 ℃)制备了非化学计量比氮化硅(SiN_x)薄膜. 在N₂氛围中, 于500–1100 ℃范围内对薄膜进行热退火处理. 室温下分别使用Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱技术和X射线光电子能谱(XPS)技术测量未退火以及退火处理后SiN_x薄膜的Si–N, Si–H, N–H键键合结构和Si 2p, N 1s电子结合能以及薄膜内N和Si原子含量比值R的变化. 详细讨论了不同温度退火处理下SiN_x薄膜的FTIR和XPS光谱演化同薄膜内Si, N, H原子间键合方式变化之间的关系. 通过分析FTIR和XPS光谱发现退火温度低于800 ℃时, SiN_x薄膜内Si–H和N–H键断裂后主要形成Si–N键; 当退火温度高于800 ℃时薄膜内Si–H和N–H键断裂利于N元素逸出和Si纳米粒子的形成; 当退火温度达到1100 ℃时N₂与SiN_x薄膜产生化学反应导致薄膜内N和Si原子含量比值R增加. 这些结果有助于控制高温下SiN_x薄膜可能产生的化学反应和优化SiN_x薄膜内的Si纳米粒子制备参数. 关键词： x薄膜')" href="#">SiN_x薄膜 Fourier变换红外吸收光谱 X射线光电子能谱 键合结构     

Optical path automatic compensation low-coherence interferometric fibre-optic temperature sensor

An interferometric fibre-optic temperature sensing system employing a light emitting diode (LED) as the broadband optical source and a single mode fibre coil which was fabricated in a definite length as the sensor head is described. A reference fibre line transmitting back and forth along the same path as the sensing transmitting fibre is used, so the change caused by the environmental temperature fluctuation of the fibre path can automatically be compensated. The sensitivity of the sensing system can be easily improved by using the long length of the sensing fibre. The experiment results of the sensing gauge length versus the sensitivity are given. Two typical wavelengths (1300 and 1550 nm). LED sources are used, it is shown that the sensitivity of the system between the two wavelengths is different. The experimental curve of the resolution characteristic of the system related to the length of sensing fibre coil is also discussed.     

二自由度反射式光纤传感探头的结构设计

采用五光纤特殊排列方式,研制了全自动补偿光纤二自由度传感探测器.分析了二自由度的探测方法,给出了可能的结构排列方案.理论上,给出了探测响应函数,与实验结果进行了对比.可用于二自由度非接触测量场合。     

Harris公式和ab公式对超形变核转动带的适用性的比较

对A≈190区超变形转动带分别用Harris二参数公式和ab公式进行了系统分析.分析结果表明,与正常变形核动带的情况相似,Harris公式与实验有明显的系统偏离,而ab公式则与实验很接近,可以相当精确和方便地描述超变形转动带.     

利用NMR谱仪及模拟机实现量子算法

报道了利用NMR谱仪和NMR模拟机实现量子算法.以天然苯为样品,我们分别用500 M谱仪和NMR模拟机实现了量子D-J算法,Grover搜寻算法及受控非门(C NOT).通过比较实验谱和模拟谱发现二者能很好符合.利用NMR模拟机实现量子算法比用NMR谱仪更为方便、清晰.     

72Ge40的低激发态能级研究

用低本底反康谱仪(HpGe–NaI)和HpGe–HpGe的三参数符合γ–γ–T系统,对72Ga的衰变γ单谱、符合谱进行了研究,实验共获得2.3×10⁷个符合事件.根据实验结果建立了含有26个能级、87条γ射线的72Ga的衰变能级纲图,其中包含首次测到7条γ射线225.92、826.97、1349.71、1475.32、1667.91、2105.28、2247.39keV和4个能级3248.01、3396.27、3806.10、3864.56keVS并为2939.83keV能级和112.59、937.97、2402.25、2939.95keV4条γ射线的存在提供了证据;实验没有发现113.5、1155.7、1192.4keVγ射线和能级3307.1keV存在的证据。并把317.72keVγ射线的跃迁,由原来的能级3757.26keV跃迁到3439.51keV能级,改为3565.85keV到3248.01keV能级跃迁.     

相分离La0.33Pr0.34Ca0.33MnO3薄膜体系中的交换偏置效应

在相分离La_0.33Pr_0.34Ca_0.33MnO₃薄膜体系中发现了大的交换偏置效应．在4 K时,交换偏置场的大小达到了约1 kOe．交换偏置效应可能源自薄膜内禀的电子相分离特性或薄膜的表面效应．交换偏置效应表现出强的温度、冷却磁场以及厚度依赖的关系．     

基于石墨烯纳米条波导边耦合矩形腔的等离子体诱导透明效应

为了减小器件尺寸、实现超快速响应和动态可调谐,研究了基于石墨烯纳米条波导边耦合矩形腔的单波段和双波段的等离子体诱导透明(PIT)效应,通过耦合模式理论和时域有限差分法从数值计算和模拟仿真两方面分析了模型的慢光特性.通过调节石墨烯矩形腔的化学势,同时实现了单波段、双波段PIT模型的谐振波长和透射峰值的可调谐性.当石墨烯的化学势增加时,各个波段PIT窗口的谐振波长逐渐减小,发生蓝移.此外,通过动态调谐石墨烯矩形腔的谐振波长,当石墨烯矩形腔的化学势为0.41—0.44 eV时,单PIT系统的群折射率控制在79.2—28.3之间,可调谐带宽为477 nm;当石墨烯矩形腔1, 2, 3的化学势分别为0.39—0.42 eV, 0.40—0.43 eV, 0.41—0.44 eV时,双PIT系统的群折射率控制在143.2—108.6之间.并且,整个系统的尺寸小于0.5μm~2.研究结果对于超快速、超紧凑型和动态可调谐的光传感、光滤波、慢光和光存储器件的设计和制作具有一定的参考意义.     

晶格均匀体形变对闪锌矿结构CaC和 SrC半金属性和磁性的影响

采用基于第一性原理的全势能线性缀加平面波方法计算闪锌矿结构CaC和SrC的电子结构.计算结果表明,锌矿结构CaC和SrC是自旋向上电子为非金属性的半金属,其半金属隙分别为0.83 eV和0.81 eV.磁性的计算分析表明,CaC和SrC的晶胞总磁矩都为2.00μ_B,C的原子磁矩较强,Ca和Sr的原子磁矩较弱.使晶格均匀体形变△a/a₀限于±15%,在此范围内计算CaC和SrC的电子结构.计算研究表明,当闪锌矿结构CaC和SrC的晶格常数分别为0.490 nm—0.661 nm和0.539 nm—0.707 nm时,它们的半金属性不变,晶胞总磁矩仍然为2.00μ_B.